IGBT和SiC功率模塊封裝用的環(huán)氧材料在現代電子器件中起著至關重要的作用。以下是從多個角度對這些環(huán)氧材料的詳細分析:
1.熱管理
導熱性能:環(huán)氧樹脂需要具備良好的導熱性能,以有效散熱,防止器件過熱。例如,添加氧化鋁(Al2O3)和碳化硅(SiC)填料可以顯著提高環(huán)氧樹脂的熱導率。
熱膨脹系數:環(huán)氧樹脂的熱膨脹系數應與其他封裝材料(如陶瓷基板、金屬底板)相匹配,以減少熱應力,避免封裝材料在高溫下開裂或失效。
2.機械保護
強度和韌性:環(huán)氧樹脂在固化后形成堅硬的外殼,提供機械保護,防止物理沖擊和振動對內部電子元件的損害。
增韌劑的使用:通過添加增韌劑(如端羧基液體丁腈橡膠CTBN),可以提高環(huán)氧樹脂的韌性,減少脆性。
3.電氣絕緣性能
介電強度:環(huán)氧樹脂具有高介電強度,能夠有效防止電氣短路和干擾,保證設備的安全穩(wěn)定運行。
體積電阻率:高體積電阻率確保環(huán)氧樹脂在高電壓下仍能提供可靠的絕緣保護。
4.環(huán)境抵抗力
防潮和防水:環(huán)氧樹脂具有良好的防潮和防水性能,能夠保護電子組件免受濕氣和水分的侵蝕。
抗化學腐蝕:環(huán)氧樹脂能夠抵抗多種化學物質的侵蝕,延長電子組件的使用壽命。
5.加工性能
黏度和流動性:環(huán)氧樹脂需要具備適當的黏度和流動性,以便于加工和施膠。通過調整配方和填料比例,可以優(yōu)化環(huán)氧樹脂的黏度和流動性。
固化時間:環(huán)氧樹脂的固化時間需要適中,以便于工業(yè)生產。固化時間可以通過調整固化劑和催化劑的用量來控制。
6.可靠性和耐久性
耐高溫性能:環(huán)氧樹脂需要在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能,特別是對于SiC功率模塊,工作溫度可能高達300℃。
熱老化特性:環(huán)氧樹脂在長期使用過程中需要具備良好的熱老化特性,以保持其性能不衰退。
7.環(huán)保和可持續(xù)性
環(huán)保材料:隨著環(huán)保意識的提高,環(huán)氧樹脂材料的選擇也需要考慮其環(huán)境影響,趨向于使用更環(huán)保、可回收的材料。
無鹵阻燃:為了滿足環(huán)保要求,環(huán)氧樹脂需要具備無鹵阻燃性能,減少對環(huán)境的污染。
8.市場和供應鏈
主要供應商:IGBT和SiC功率模塊封裝用環(huán)氧樹脂的主要供應商包括亨斯曼(HUNSTMAN)、3M、愛瑪森康明(Emerson & Cuming)等。
市場需求:隨著電動汽車和可再生能源技術的發(fā)展,對高性能封裝材料的需求不斷增加,推動了環(huán)氧樹脂市場的增長。
9.技術進步
新型材料:研究者正在開發(fā)具有低黏度、高導熱、高耐熱等優(yōu)點的新型環(huán)氧樹脂材料,以滿足高效能、高可靠性和高安全性的需求。
改性技術:通過使用硅烷偶聯劑(如KH-570)對填料進行表面改性,可以提高環(huán)氧樹脂的性能,如熱導率和機械強度。
綜上所述,IGBT和SiC功率模塊封裝用的環(huán)氧材料在熱管理、機械保護、電氣絕緣、環(huán)境抵抗力、加工性能、可靠性和耐久性、環(huán)保和可持續(xù)性、市場和供應鏈以及技術進步等多個方面都具有重要的作用。通過不斷優(yōu)化和改進,這些材料能夠更好地滿足現代電子器件的高性能需求。
IGBT封裝用環(huán)氧樹脂材料的研究是一個活躍的領域,研究人員正在不斷探索和改進這些材料的性能。以下是一些研究人員和他們的工作概述:
黃義煉和傅仁利
黃義煉,碩士研究生,主要研究方向為陶瓷與金屬互聯。
傅仁利,教授,主要研究方向為功率電子器件用高性能陶瓷金屬化基板、LED熒光材料。
他們的研究涉及IGBT模塊封裝用基板材料的研究現狀,包括不同金屬材料和陶瓷材料的連接方式,以及連接后基板的可靠性。
曾亮
曾亮,高級工程師,長期從事功率半導體封裝用高分子材料研究與開發(fā)。
他的工作包括環(huán)氧樹脂在IGBT模塊封裝中的應用,特別是環(huán)氧灌封膠和環(huán)氧模塑樹脂(EMC)的研究。
Chunbiao Wang 等人
他們研究了一種高耐熱(250°C)的環(huán)氧樹脂復合材料,這種材料具有優(yōu)異的介電性能。
研究團隊通過引入氰酸酯(CE)和多面體低聚倍半硅氧烷(POSS)來改善環(huán)氧樹脂的介電和熱性能。
其他研究人員
這些研究人員的工作涵蓋了IGBT用環(huán)氧樹脂封裝料的制備與性能研究,包括耐高溫環(huán)氧灌封膠的研制,以及不同環(huán)氧樹脂組合物的制備和應用。
他們的研究重點包括提高環(huán)氧樹脂的耐熱性、降低固化收縮率、降低熱膨脹系數、提高玻璃化轉變溫度和熱穩(wěn)定性。
這些研究工作表明,IGBT封裝用環(huán)氧樹脂材料的研究正在不斷進步,研究人員正在努力提高這些材料的性能,以滿足IGBT模塊在更高溫度、更高功率密度和更高工作電壓下的應用需求。
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