01GaN 異質(zhì)襯底外延生長方法
由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高,很難得到大尺寸的GaN單晶材料,因此,為了實現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件,研究人員經(jīng)過幾十年的不斷研究,并不斷嘗試利用不同的外延生長方法在Si襯底上實現(xiàn)高質(zhì)量的外延生長GaN基材料。GaN材料的生長是在高溫下,通過TMGa分解出的Ga與NH3的化學反應實現(xiàn)的,生長GaN需要一定的生長溫度,且需要一定的NH3分壓。
當前GaN的外延生長方法有:氫化物外延生長法(HVPE)]、分子束外延(MBE)和金屬有機化學氣相沉積法(MOCVD),其特點如下表2-1所示。
1.1 金屬有機物氣相沉積法(MOCVD)
MOCVD(金屬有機物氣相沉積法)是在氣相外延生長的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。在采用MOCVD法制備GaN單晶的傳統(tǒng)工藝中,通常以三甲基鎵作為鎵源,氨氣作為氮源,以Si作為襯底,并用氫氣和氮氣的混合氣體作為載氣,將反應物載入反應腔內(nèi),加熱到一定溫度下使其發(fā)生反應,能夠在襯底上生成GaN的分子團,在襯底表面上吸附、成核、生長,最終形成一層GaN單晶薄膜。采用MOCVD法制備的產(chǎn)量大,生長周期短,適合用于大批量生產(chǎn),但生長完畢后需要進行退火處理,最后得到的薄膜可能會存在裂紋,會影響產(chǎn)品的質(zhì)量。
1.2 分子束外延法(MBE)
用MBE法(分子束外延法)制備GaN與MOCVD法類似,主要的區(qū)別在于鎵源的不同。MBE法的鎵源通常采用Ga的分子束,NH3作為氮源,制備方法與MOCVD法相似,也是在襯底表面反應生成GaN。用該方法可以在較低的溫度下實現(xiàn)GaN的生長,一般為700 ℃左右。較低的溫度可以有效減少反應設(shè)備中NH3的揮發(fā)程度,但低溫使得分子束與NH3的反應速率減小。較小的反應速率可以在制備過程中對生成GaN 膜的厚度進行精確控制,有利于對該工藝中的生長機理進行深入研究,但對于外延層較厚的膜來說反應時間會比較長,在生產(chǎn)中發(fā)揮的效率欠佳,因此該方法只能用于一次制備少量的GaN薄膜,尚不能用于大規(guī)模生產(chǎn)。
1.3 氫化物氣相外延法(HVPE)
HVPE(氫化物氣相外延法)與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源,此方法通常以鎵的氯化物GaCl3個為鎵源,NH3個為氮源,在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長出GaN晶體。用此方法生成的GaN晶體質(zhì)量比較好,且在較高的溫度下生長速度快,但高溫反應對生產(chǎn)設(shè)備,生產(chǎn)成本和技術(shù)要求都比較高。
采用以上傳統(tǒng)方法制備GaN薄膜,對其質(zhì)量好壞的主要影響因素是Si與薄膜晶格的相配程度。欲制備無缺陷的薄膜,首先要滿足兩者之間盡量小的晶格失配度;其次,兩者的線膨脹系數(shù)也要相近。
表1-1 GaN外延生長方法的優(yōu)缺點
氫化物氣相外延法 | 在金屬鎵上流過HCl,形成GaCl蒸汽,當他流到襯底上,與氨氣反應,沉積形成GaN。 | ①生長速度快②可以比較精確地控制膜厚 | ①高溫反應對生產(chǎn)設(shè)備、生產(chǎn)成本和技術(shù)要求都比較高。 |
金屬有機物氣相沉積法 | 氣體或者固體分子在高溫下熱裂解生成團簇,通過載氣擴散到基片上,在催化劑的作用下排列、反應、生長、沉積。 | ①適合于工業(yè)化生產(chǎn)②GaN晶體質(zhì)量好 | ①過程比較復雜②反應速率影響因素多③溫度高,原材料消耗大 |
分子束外延法 | 在真空中億原子束或分子束濺落到襯底上,并在襯底上按一定的結(jié)構(gòu)有序排列,形成晶體薄膜。 | ①生長溫度低②生長反應過程簡單③實時監(jiān)控生長表面的結(jié)構(gòu)、成分和膜厚,均勻性較好 | ①生長速率慢②不能滿足大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)的要求③采用等離子體輔助方式時,容易造成高能離子對于薄膜的損傷 |
制備方法 | 外延生長過程 | 優(yōu)點 | 缺點 |
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經(jīng)過分析了不同的GaN外延生長方法,雖然分子束外延技術(shù)可以在較低的溫度下實現(xiàn)GaN的生長,其生長反應過程簡單,可以實時監(jiān)控生長表面的結(jié)構(gòu)、成分和膜厚,生長溫度低,均勻性較好,但是由于這種方法的生長速率較慢,可以精確地控制膜厚,不能滿足大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)的要求,而且當采用等離子體輔助方式時,容易造成高能離子對于薄膜的損傷。而金屬有機化學氣相沉積法的生長速率適中,可以比較精確地控制膜厚,特別適合于工業(yè)化生產(chǎn)GaN基外延材料,這種方法目前已經(jīng)成為使用最多、外延生長材料和器件質(zhì)量最高的方法。
02異質(zhì)外延生長的基本模式
一般來講,異質(zhì)外延有三種生長模式:Frank-van der Merwe 生長模式(層狀生長模式)、Volmer-Weber生長模式(島狀生長模式)和Stranski-Krastanow生長模式(先層狀生長再島狀生長)^[30-32]^,這三種生長模式如圖4-1所示。
2.1 Frank-van der Merwe 生長模式
層-層生長模式一般發(fā)生于晶格常數(shù)比較匹配,晶格失配較小,襯底與外延層之間的鍵能較高的兩種異質(zhì)材料之間。當外延層材料的的表面自由能σF與界面能σ我之和遠小于襯底材料的表面自由能σ秒時,襯底材料將非常強烈地趨于完全覆蓋襯底表面(即層-層生長模式),也就是外延層與襯底浸潤,因為此生長模式會使整個體系的總表面自由能降低。于是沉積物質(zhì)會先在襯底表面二維成核再擴展成層,然后在一層生長結(jié)束后再進行下一層的生長,如此按逐層生長的模式進行。
2.2 Volmer-Weber 生長模式
當p秒<σF+p我時,外延層與襯底表面不能形成浸潤層,為了使表面能降低以使外延層材料的表面面積最小化,外延層材料會在襯底表面形成許多三維小島。隨著外延層材料沉積的繼續(xù)進行,這些眾多的小島逐漸長大形成柱狀島,并彼此匯聚,最終形成表面粗糙的薄膜。在島狀結(jié)構(gòu)中會有釋放應變產(chǎn)生的失配位錯,島與島之間存在著小角度的取向差別,在彼此匯聚時會產(chǎn)生位錯密度很高的邊界層。
2.3 Stranski-Krastanow生長模式
當外延層材料的表面自由能σF與界面能σ我之和略大于或者略小于襯底材料表面自由能σ小號時,外延生長會大大依賴于襯底與外延層之間的晶格匹配情況。GaN在藍寶石襯底上的異質(zhì)外延生長就屬于此種情況。一開始生長時外延層材料與襯底浸潤,先形成幾個原子層厚度的浸潤層。隨著沉積的進行,應變逐漸積累,最后會通過形成三維島的形式來釋放應力。由于應變能不是通過形成位錯來釋放的,所以小島中不含有位錯。
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原文標題:GaN 外延生長方法及生長模式
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