0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵半導(dǎo)體優(yōu)化無線充電功率

要長高 ? 2024-10-22 11:09 ? 次閱讀

全球領(lǐng)先的功率系統(tǒng)與物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技股份公司(股票代碼:FSE: IFX, OTCQX: IFNNY)近期宣布與加拿大企業(yè)AWL-Electricity建立戰(zhàn)略伙伴關(guān)系。AWL-Electricity是兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸技術(shù)的佼佼者。此次合作中,英飛凌將向AWL-Electricity提供其CoolGaN? GS61008P產(chǎn)品,助力后者開發(fā)前沿的無線功率解決方案,為多個(gè)行業(yè)提供創(chuàng)新的功率問題解決之道。

通過結(jié)合英飛凌的先進(jìn)氮化鎵(GaN)技術(shù)和AWL-Electricity創(chuàng)新的兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸系統(tǒng),雙方共同實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的無線功率傳輸效率。英飛凌的GaN晶體管技術(shù)以其卓越的效率和功率密度,以及在高開關(guān)頻率下的穩(wěn)定運(yùn)行能力而著稱。這不僅使AWL-Electricity的系統(tǒng)壽命得以延長,停機(jī)時(shí)間和運(yùn)營成本降低,還提升了產(chǎn)品的用戶體驗(yàn)。在汽車領(lǐng)域,該技術(shù)將推動車內(nèi)體驗(yàn)和座椅動態(tài)性能邁上新臺階;在工業(yè)領(lǐng)域,它則為自動導(dǎo)引車輛、機(jī)器人應(yīng)用等提供了幾乎無限的設(shè)計(jì)自由度。此外,由于該技術(shù)允許全密封系統(tǒng)設(shè)計(jì),無需充電端口,從而有助于減少全球電池的使用量。

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)(PSS)事業(yè)部全球合作與生態(tài)系統(tǒng)管理團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Falk Herm表示:“通過與AWL-Electricity的合作,我們再次證明了英飛凌CoolGaN?技術(shù)在系統(tǒng)級應(yīng)用中的優(yōu)勢,提升了產(chǎn)品的緊湊性和效率。AWL-Electricity與英飛凌在能力上相輔相成,此次合作展示了GaN在兆赫頻率下工作的潛力,顛覆了功率晶體管的應(yīng)用模式,帶來了更加環(huán)保、性能卓越的產(chǎn)品?!?/p>

AWL-Electricity聯(lián)合創(chuàng)始人、副總裁兼業(yè)務(wù)開發(fā)總監(jiān)Francis Beauchamp-Verdon表示:“英飛凌深知構(gòu)建一個(gè)強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)生態(tài)對于滿足當(dāng)今功率需求的重要性,并因此以獨(dú)特的方式邀請我們加入他們的大家庭。英飛凌的GaN晶體管、評估板以及合作機(jī)會使我們的基于GaN的兆赫級功率耦合系統(tǒng)得以廣泛應(yīng)用?!?/p>

英飛凌作為功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)軍企業(yè),是唯一一家掌握所有功率技術(shù),同時(shí)提供全面產(chǎn)品和技術(shù)組合的制造商,涵蓋硅器件(如SJ MOSFET、IGBT)、碳化硅器件(如肖特基二極管和MOSFET)以及氮化鎵器件(如增強(qiáng)型HEMT)。其產(chǎn)品范圍包括裸片、分立器件和模塊。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    2114

    瀏覽量

    138128
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    26627

    瀏覽量

    212535
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    59

    文章

    1580

    瀏覽量

    115974
  • 無線充電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1293

    文章

    3253

    瀏覽量

    315684
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    納微半導(dǎo)體發(fā)布GaNSli氮化功率芯片

    近日,納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能,在手機(jī)和筆記本電腦充電
    的頭像 發(fā)表于 10-17 16:02 ?130次閱讀

    英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化功率半導(dǎo)體技術(shù),推動行業(yè)變革

    科技股份公司今天宣布,已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300mm氮化(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握
    的頭像 發(fā)表于 09-13 08:04 ?294次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>率先開發(fā)全球首項(xiàng)300mm<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>技術(shù),推動行業(yè)變革

    英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化功率半導(dǎo)體技術(shù), 推動行業(yè)變革

    2024年9月11日訊,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化(GaN)功率
    發(fā)表于 09-12 11:03 ?971次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>技術(shù), 推動行業(yè)變革

    聯(lián)想新品充電器搭載納微半導(dǎo)體GaNFast氮化功率芯片,革新快充體驗(yàn)

    在科技日新月異的今天,充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日,納微半導(dǎo)體宣布其先進(jìn)的GaNFast氮化功率芯片被聯(lián)想兩款全新
    的頭像 發(fā)表于 06-22 14:13 ?822次閱讀

    納微半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化快充

    加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微
    的頭像 發(fā)表于 06-21 14:45 ?1266次閱讀

    英飛凌攜手Worksport利用氮化降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

    3月11日,英飛凌科技股份公司宣布與Worksport Ltd.(Nasdaq代碼:WKSP;WKSPW)合作,共同利用氮化(GaN)降低
    發(fā)表于 03-25 16:51 ?287次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>攜手Worksport<b class='flag-5'>利用</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

    小米氮化充電器和普通充電器區(qū)別

    普通充電器通常采用硅半導(dǎo)體技術(shù)。氮化材料具有許多優(yōu)點(diǎn),例如高能效、高功率密度和低熱耗散等。相比之下,硅
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:28 ?4212次閱讀

    氮化是什么充電器類型

    氮化不是充電器類型,而是一種化合物。 氮化(GaN)是一種重要的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電學(xué)和
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:20 ?830次閱讀

    相同功率氮化充電器和普通充電器區(qū)別

    相同功率氮化充電器與普通充電器之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別。氮化
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:01 ?1749次閱讀

    氮化半導(dǎo)體屬于金屬材料嗎

    氮化半導(dǎo)體并不屬于金屬材料,它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求,我將詳細(xì)介紹氮化
    的頭像 發(fā)表于 01-10 09:27 ?1849次閱讀

    氮化充電器好還是原裝充電器好

    氮化充電器和原裝充電器是兩種不同類型的充電器,它們的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)都有所不同。要判斷哪種更好,需要從不同的角度進(jìn)行比較和分析。 首先,從
    的頭像 發(fā)表于 01-09 16:01 ?8302次閱讀

    氮化半導(dǎo)體芯片和芯片區(qū)別

    氮化半導(dǎo)體芯片(GaN芯片)和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先,氮化
    的頭像 發(fā)表于 12-27 14:58 ?1200次閱讀

    氮化充電器原理 氮化充電器原理圖

    充電器的原理及優(yōu)點(diǎn)。 一、氮化充電器原理 氮化
    的頭像 發(fā)表于 11-24 10:57 ?5059次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>充電</b>器原理 <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>充電</b>器原理圖

    氮化充電器的優(yōu)點(diǎn)?氮化充電器和普通充電器的區(qū)別?

    氮化充電器什么意思?氮化充電器的優(yōu)點(diǎn)?氮化
    的頭像 發(fā)表于 11-21 16:15 ?2821次閱讀

    #氮化 #英飛凌 8.3億美元!英飛凌完成收購氮化系統(tǒng)公司 (GaN Systems)

    半導(dǎo)體氮化
    深圳市浮思特科技有限公司
    發(fā)布于 :2023年10月25日 16:11:22