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今天我們分享第三部分。
四、射頻接口
天線接口管腳定義如下:
表格 19:RF_ANT 管腳定義
管腳名 | 序號 | 描述 |
---|---|---|
LTE_ANT | 46 | LTE 天線接口 |
BT/WiFi_ANT | 34 | 藍牙/WiFi 共用天線接口 |
4.1 射頻參考電路
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圖表 20:射頻參考電路
注意:
- 連接到模塊RF天線焊盤的RF走線必須使用微帶線或者其他類型的 RF走線,阻抗必須控制在50歐姆左右。
- 在靠近天線的地方預留Π型匹配電路,兩顆電容默認不貼片,電阻默認貼0歐姆,待天線廠調試好天線以 后再貼上實際調試的匹配電路;
4.2 RF輸出功率
表格 20:RF 傳導功率
頻段 | 最大 | 最小 |
---|---|---|
LTE FDD B1/B3/B5/B8 | 23dBm +-2dB | <-44dBm |
LTE TDD B34/38/B39/B40/B41 | 23dBm +-2dB | <-42dBm |
4.3 RF傳導靈敏度
表格 21:RF 傳導靈敏度
頻段 | 接收靈敏度 |
---|---|
LTE FDD B1(10M) | < -99dBm |
LTE FDD B3(10M) | < -99dBm |
LTE FDD B5(10M) | < -100dBm |
LTE FDD B8(10M) | < -99dBm |
LTE TDD B34(10M) | < -99dBm |
LTE TDD B38(10M) | < -99dBm |
LTE TDD B39(10M) | < -99dBm |
LTE TDD B40(10M) | < -99dBm |
LTE TDD B41(10M) | < -99dBm |
4.4 工作頻率
3GPP頻段 | 發(fā)送 | 接收 | 單位 |
---|---|---|---|
LTE-FDD****B1 | 1920~1980 | 2110~2170 | MHz |
LTE-FDD****B3 | 1710~1785 | 1805~1880 | MHz |
LTE-FDD****B5 | 824~849 | 869~894 | MHz |
LTE-FDD****B8 | 880~915 | 925~960 | MHz |
LTE-TDD****B34 | 2010~2025 | 2010~2025 | MHz |
LTE-TDD****B38 | 2570~2620 | 2570~2620 | MHz |
LTE-TDD****B39 | 1880~1920 | 1880~1920 | MHz |
LTE-TDD****B40 | 2300~2400 | 2300~2400 | MHz |
LTE-TDD****B41 | 2555~2655 | 2555~2655 | MHz |
WIFI/BT | 2400-2483 | 2400-2483 | MHz |
4.5 推薦RF焊接方式
如果連接外置天線的射頻連接器是通過焊接方式與模塊相連的,請務必注意連接線的剝線方式及焊接方法, 尤其是地要焊接充分,請按照下圖中正確的焊接方式進行操作,以避免因焊接不良引起線損增大。
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圖表 21:射頻焊接方式建議
五、電器特性,可靠性,射頻特性
5.1 絕對最大值
下表所示是模塊數(shù)字、模擬管腳的電源供電電壓電流最大耐受值。
表格 22:絕對最大值
參數(shù) | 最小 | 最大 | 單位 |
---|---|---|---|
VBAT | -0.3 | 4.7 | V |
VBUS | -0.3 | 5.5 | V |
電源供電峰值電流 | 0 | 1 | A |
電源供電平均電流(TDMA一幀時間) | 0 | 0.7 | A |
數(shù)字管腳處電壓 | -0.3 | VDDIO+0.3 | V |
模擬管腳處電壓(ADC) | -0.3 | 4.7 | V |
5.2 推薦工作條件
表格 23:推薦工作條件
參數(shù) | 最小 | 典型 | 最大 | 單位 |
---|---|---|---|---|
VBAT | 3.3 | 3.8 | 4.3 | V |
VBUS | 3.3 | 5.0 | 5.25 | V |
5.3 工作溫度
表格 24:工作溫度
溫度 | 最低 | 典型 | 最高 | 單位 |
---|---|---|---|---|
正常工作溫度 | -35 | 25 | 75 | ℃ |
受限工作溫度 | -40~-35 | 75~85 | ℃ | |
存儲溫度 | -45 | 90 | ℃ |
以上就是第三部分內容,接下來分享第四部分,敬請關注。
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