無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)通過(guò)傳感器實(shí)時(shí)采集更多的數(shù)據(jù)并進(jìn)行遠(yuǎn)程更新,但是, 一般的微控制器技術(shù)、傳感器供電問(wèn)題和Flash存儲(chǔ)擦寫次數(shù)很難滿足這些應(yīng)用。本文主要提到國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20來(lái)解決傳感器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和微控制器技術(shù)問(wèn)題。
普通微控制器一般采用的是Flash和EEPROM存儲(chǔ),基于鐵電存儲(chǔ)器SF25C20的微控制器可確保100倍以上的數(shù)據(jù)寫入速度和250倍的功耗降幅。當(dāng)從鐵電存儲(chǔ)器中執(zhí)行代碼時(shí),還有效降低了功耗。鐵電存儲(chǔ)器的擦寫次數(shù)可以達(dá)到100萬(wàn)次,對(duì)很多應(yīng)用而言,這樣的擦寫次數(shù)幾乎是不受限制的。
國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20的核心技術(shù)是鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元。它的工作電壓范圍為2.7V至3.6V,最低待機(jī)功耗只有9微安,能在低電流的情況下可靠而無(wú)延遲的儲(chǔ)存數(shù)據(jù),防止掉電后數(shù)據(jù)丟失。另外,SF25C20是非易失性存儲(chǔ)器,在所有電源模式中均可提供數(shù)據(jù)保存能力,有了FRAM,就不必再采用單獨(dú)的EEPROM和依賴電池供電的SRAM。
SF25C20性能參數(shù)介紹:
? 容量:2M bit,提供SPI接口;
? 工作頻率是25兆赫茲;
? 高速讀特性:支持40MHz高速讀命令;
? 工作環(huán)境溫度范圍:-40℃至85℃;
? 封裝形式:8引腳SOP封裝,符合RoHS;
? 性能兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(賽普拉斯);
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