SuperFlash?閃存擦除介紹
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發(fā)表于 07-11 06:27
請(qǐng)問(wèn)如何分割PSoC4的閃存擦除和寫入活動(dòng)？
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無(wú)論如何，我想找到更多的信息，也許 FAE 沒(méi)有完全理解我的問(wèn)題。
目前，我們使用 PSoC4 實(shí)現(xiàn)基于 LIN 的 FBL，需要先擦除整個(gè) APP 存儲(chǔ)區(qū)，然后在數(shù)據(jù)傳輸過(guò)程中寫入數(shù)據(jù)
發(fā)表于 07-03 06:59
AURIX? TC275處于比較模式的STM0在閃存擦除后停止觸發(fā)中斷怎么解決？
我將 STM0 設(shè)置為 TC275 比較模式，以運(yùn)行一個(gè)簡(jiǎn)單的操作系統(tǒng)。
在我的應(yīng)用程序中，代碼的運(yùn)行符合預(yù)期。
現(xiàn)在，我開(kāi)始在引導(dǎo)加載程序中使用相同的邏輯，但不幸的是，我發(fā)現(xiàn)在擦除/寫入閃存后
發(fā)表于 05-17 11:31
在TLE9879上從代碼中擦除Code Flash Page時(shí)出現(xiàn)問(wèn)題求解
我目前正在做一個(gè)涉及 TLE9879 MCU 的項(xiàng)目，我遇到了擦除代碼中一頁(yè)代碼閃存的問(wèn)題。 奇怪的是，我能夠成功地對(duì)其進(jìn)行編程，但在嘗試擦除時(shí)卻遇到了故障。
如果能就這種差異的潛在原因提出任何見(jiàn)解
發(fā)表于 01-30 07:24
扇區(qū)擦除后，許多PFLASH位不會(huì)被擦除是怎么回事？
一會(huì)兒還是在更高的溫度下翻轉(zhuǎn)。
用戶手冊(cè)中給出的信息相互矛盾：
aurixtc3xx_ts_part1_v2.5.1.pdf 第 349 頁(yè)，共 2155 頁(yè)
6.2.1 閃存操作條款擦除
發(fā)表于 01-30 06:51
使用miniprog4和Traveo ii和cypress autoflash實(shí)用程序，使用命令擦除閃存時(shí)報(bào)錯(cuò)怎么解決？
我正在使用 miniprog4 和 Traveo ii 和 cypress autoflash 實(shí)用程序。 當(dāng)我嘗試使用命令擦除閃存時(shí)，出現(xiàn)以下錯(cuò)誤：
C
發(fā)表于 01-29 08:20
flash擦除后的值是多少
擦除后的值是指將Flash存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)全部清除，并將其重置為初始狀態(tài)。Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)，它使用電子存儲(chǔ)技術(shù)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。擦除后的Flash存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)都會(huì)被擦除，這就意味著在
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