0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)完整的系統(tǒng)解決方案

analog_devices ? 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2018-06-22 09:19 ? 次閱讀

新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步,從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。為了獲得所有這些優(yōu)勢(shì),必須設(shè)計(jì)更高性能的開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

實(shí)際的以開(kāi)關(guān)為中心的視角正在演變成一種更完整的系統(tǒng)解決方案,新一代的具有更魯棒的片上隔離的先進(jìn) 柵極驅(qū)動(dòng)IC、檢測(cè) IC、電源控制器和高集成度嵌入式處理器, 將能管理復(fù)雜的多電平、多級(jí)功率回路,從而正確發(fā)揮新一代 SiC/GaN 功率轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢(shì)。

—— ADI公司再生能源戰(zhàn)略營(yíng)銷經(jīng)理

Stefano Gallinaro

驅(qū)動(dòng) SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)需要設(shè)計(jì)一個(gè)完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng),這些 IC經(jīng)過(guò)精密調(diào)整,彼此配合。設(shè)計(jì)重點(diǎn)不再只是以開(kāi)關(guān)為中心,必須 加以擴(kuò)大。應(yīng)用的工作頻率、效率要求和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的復(fù)雜性要求 使用同類最佳的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器(例如ADuM4135),其由高端 隔離式電源電路(例如LT3999)供電??刂祈毨眉筛呒?jí)模擬 前端和特定安全特性的多核控制處理器(例如ADSP-CM419F)完 成。最后,利用高能效隔離式 ∑-? 型轉(zhuǎn)換器(例如AD7403)檢測(cè)電 壓,從而實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的緊湊性。

圖1. ADI 公司 IC 生態(tài)系統(tǒng)

在 Si IGBT 到 SiC MOSFET 的過(guò)渡階段,必須考慮混合拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其中 SiC MOSFET 用于高頻開(kāi)關(guān),Si IGBT 用于低頻開(kāi)關(guān)。隔離式柵極驅(qū)動(dòng) 器必須能夠驅(qū)動(dòng)不同要求的開(kāi)關(guān),其中較多的是并聯(lián)且采用硅 IGBT/SiC MOS 混合式多電平配置。客戶希望一種器件就能滿足其所 有應(yīng)用要求,從而簡(jiǎn)化 BOM 并降低成本。利用多電平轉(zhuǎn)換器很容 易達(dá)到 1500 VDC以上的高工作電壓(例如大規(guī)模儲(chǔ)能使用2000 VDC), 此類電壓對(duì)于為安全而實(shí)施的隔離柵是一個(gè)重大挑戰(zhàn)。

ADuM4135 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器采用 ADI 公司經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的 iCoupler?技術(shù),可以給高電壓和高開(kāi)關(guān)速度應(yīng)用帶來(lái)諸多重要優(yōu)勢(shì)。 ADuM4135 是驅(qū)動(dòng) SiC/GaN MOS 的最佳選擇,出色的傳播延遲優(yōu)于 50 ns,通道間匹配小于5 ns,共模瞬變抗擾度 (CMTI) 優(yōu)于 100 kV/μs, 單一封裝能夠支持高達(dá) 1500 VDC的全壽命工作電壓。

圖2. ADuM4135框圖

ADuM4135 采用 16 引腳寬體 SOIC 封裝,包含米勒箝位,以便柵 極電壓低于 2 V 時(shí)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的 SiC/GaN MOS 或 IGBT 單軌電源關(guān) 斷。輸出側(cè)可以由單電源或雙電源供電。去飽和檢測(cè)電路集成在 ADuM4135 上,提供高壓短路開(kāi)關(guān)工作保護(hù)。去飽和保護(hù)包含降 低噪聲干擾的功能,比如在開(kāi)關(guān)動(dòng)作之后提供 300 ns 的屏蔽時(shí)間, 用來(lái)屏蔽初始導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰。內(nèi)部 500 μA 電流源有助于降低器件數(shù)量;如需提高抗噪水平,內(nèi)部消隱開(kāi)關(guān)也支持使用外 部電流源??紤]到 IGBT 通用閾值水平,副邊 UVLO 設(shè)置為 11 V。ADI 公司 iCoupler 芯 片級(jí)變壓器還提供芯片高壓側(cè)與低壓側(cè)之間的控 制信息隔離通信。芯片狀態(tài)信息可從專用輸出讀取。器件原邊控 制器件在副邊發(fā)生故障后復(fù)位。

圖3. ADuM4135評(píng)估板

對(duì)于更緊湊的純 SiC/GaN 應(yīng)用,新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 ADuM4121 是解決方案。該驅(qū)動(dòng)器同樣基于 ADI 公司的 iCoupler 數(shù)字隔離技術(shù), 其傳播延遲在同類器件中最低 (38 ns),支持最高開(kāi)關(guān)頻率和 150 kV/μs 的最高共模瞬變抗擾度。ADuM4121 提供 5 kV rms 隔離, 采用寬體 8 引腳 SOIC 封裝。

圖4. ADuM4121框圖

圖5. ADuM4121評(píng)估板

當(dāng)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器用在高速拓?fù)渲袝r(shí),必須對(duì)其正確供電以 保持其性能水平。ADI公司的LT8304/LT8304-1是單芯片、微功耗、 隔離式反激轉(zhuǎn)換器。這些器件從原邊反激式波形直接對(duì)隔離輸 出電壓采樣,無(wú)需第三繞組或隔離器進(jìn)行調(diào)節(jié)。輸出電壓通過(guò) 兩個(gè)外部電阻和第三個(gè)可選溫度補(bǔ)償電阻進(jìn)行編程。邊界工作 模式提供一種具有出色負(fù)載調(diào)整率的小型解決方案。低紋波突 發(fā)工作模式可在小負(fù)載時(shí)保持高效率,同時(shí)使輸出電壓紋波最 小。散熱增強(qiáng)型8引腳SO封裝中集成了2 A、150 V DMOS功率開(kāi)關(guān), 以及所有高壓電路和控制邏輯。LT8304/LT8304-1支持3 V至100 V 的輸入電壓范圍,最多可提供24 W的隔離輸出功率。

ADI公司的LT3999是一款單芯片、高電壓、高頻率DC-DC變壓器驅(qū)動(dòng) 器,提供隔離電源,解決方案尺寸很小。LT3999的最大開(kāi)關(guān)頻率為 1 MHz,具有外部同步能力和2.7 V至36 V的寬輸入工作電壓范圍,代 表了為高速柵極驅(qū)動(dòng)器提供穩(wěn)定受控諧波和隔離電源的最高技 術(shù)水準(zhǔn)。它采用裸露焊盤的10引腳MSOP和3 mm × 3 mm DFN封裝。

圖6. LT3999評(píng)估板

系統(tǒng)控制單元(一般是 MCUDSPFPGA 的組合)必須能夠并行 運(yùn)行多個(gè)高速控制環(huán)路,而且還能管理安全特性。它們必須提、供冗余性以及大量獨(dú)立的PWM信號(hào)、ADC 和 I/O。ADI 公司的 ADSPCM419F 支持設(shè)計(jì)人員通過(guò)一個(gè)混合信號(hào)雙核處理器來(lái)管理并行 高功率、高密度、混合開(kāi)關(guān)、多電平功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

圖7. ADSP-CM419F框圖

ADSP-CM419F基于ARM? Cortex?-M4處理器內(nèi)核,浮點(diǎn)單元工作 頻率高達(dá)240 MHz,而且包含一個(gè)工作頻率高達(dá)100 MHz的ARM Cortex-M0處理器內(nèi)核。這使得單個(gè)芯片可以集成雙核安全冗余 性。主ARM Cortex-M4處理器集成帶ECC(錯(cuò)誤檢查與校正)的 160 KB SRAM存儲(chǔ)器,帶ECC的1 MB閃存,針對(duì)功率轉(zhuǎn)換器控制 而優(yōu)化的加速器和外設(shè)(包括24個(gè)獨(dú)立的PWM),以及由兩個(gè)16 位SAR型ADC、一個(gè)14位M0 ADC和一個(gè)12位DAC組成的模擬模塊。 ADSP-CM419F采用單電源供電,利用內(nèi)部穩(wěn)壓器和一個(gè)外部調(diào) 整管自行生成內(nèi)部電壓源。它采用210引腳BGA封裝。

圖8. ADSP-CM419F評(píng)估板

快速精確的電壓檢測(cè)是高速設(shè)計(jì)必備的功能。ADI 公司的 AD7403 是一款高性能二階 ∑-? 調(diào)制器,能將模擬輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速 (高達(dá)20 MHz)單比特?cái)?shù)據(jù)流。8引腳寬體SOIC封裝中集高速互補(bǔ) 金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 技術(shù)與單芯片變壓器技術(shù)(iCoupler技 術(shù))于一體。AD7403 采用5 V電源供電,可輸入±250 mV的差分信 號(hào)。通過(guò)適當(dāng)?shù)臄?shù)字濾波器可重構(gòu)原始信息,以在78.1 kSPS時(shí)實(shí) 現(xiàn)88 dB的信噪比 (SNR)。

為使客戶的新一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)具備高性能、高可靠性和市 場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,ADI公司已決定開(kāi)發(fā)各種硬件和軟件設(shè)計(jì)平臺(tái),其既 可用于評(píng)估IC,又可作為完整系統(tǒng)的構(gòu)建模塊。這些設(shè)計(jì)平臺(tái)目 前針對(duì)戰(zhàn)略客戶而推出,代表了驅(qū)動(dòng)新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器 的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準(zhǔn)。設(shè)計(jì)平臺(tái)類型眾多,既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器板,也有完整 的交流/直流雙向轉(zhuǎn)換器,其中ADSP-CM419F的軟件在正確控制 SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)方面起著關(guān)鍵作用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 功率開(kāi)關(guān)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    118

    瀏覽量

    26049
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2691

    瀏覽量

    62288
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    1895

    瀏覽量

    72325

原文標(biāo)題:“網(wǎng)紅”SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān),告訴你一個(gè)正確的關(guān)注姿勢(shì)

文章出處:【微信號(hào):analog_devices,微信公眾號(hào):analog_devices】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    在混合電源設(shè)計(jì)上,Si、SiC、GaN如何各司其職?

    ,電子發(fā)燒友近期對(duì)此也進(jìn)行了報(bào)道。 在電源、逆變器等領(lǐng)域,近年第三代半導(dǎo)體的興起,讓各種采用SiCGaN方案出現(xiàn)在市場(chǎng)上,同時(shí)也包括多種器件混合使用的方案,所以這些混合
    的頭像 發(fā)表于 07-08 02:04 ?3305次閱讀
    在混合電源設(shè)計(jì)上,Si、<b class='flag-5'>SiC</b>、<b class='flag-5'>GaN</b>如何各司其職?

    開(kāi)關(guān)損耗更低、效率更高,增速超越SiC,GaN開(kāi)始進(jìn)軍光儲(chǔ)、家電市場(chǎng)

    的逆變器則主要采用了SiC。 ? 但近年來(lái)GaN開(kāi)始向著全功率市場(chǎng)擴(kuò)展,甚至朝著SiC的光儲(chǔ)、家電等優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域進(jìn)發(fā),這或許意味著GaN將改變當(dāng)
    的頭像 發(fā)表于 07-04 00:10 ?4243次閱讀

    聚焦綠色能源四大細(xì)分市場(chǎng),英飛凌SiCGaN新品亮相PCIM展會(huì)

    在PCIM Asia展上,英飛凌展示了廣泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN功率電子產(chǎn)品組合,其中多款應(yīng)用于可再生能源、電動(dòng)交通、智能家居的產(chǎn)品和解決方案首次亮相。電子發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 09-04 23:07 ?2832次閱讀
    聚焦綠色能源四大細(xì)分市場(chǎng),英飛凌<b class='flag-5'>SiC</b>和<b class='flag-5'>GaN</b>新品亮相PCIM展會(huì)

    恩智浦和采埃孚合作開(kāi)發(fā)基于SiC的電動(dòng)汽車牽引逆變器解決方案

    恩智浦半導(dǎo)體宣布與電動(dòng)汽車領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)采埃孚股份公司(ZF Friedrichshafen AG)合作下一代基于SiC的電動(dòng)汽車(EV)牽引逆變器解決方案解決方案采用恩智浦先進(jìn)的GD316x高壓(HV)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在加速
    的頭像 發(fā)表于 08-27 09:48 ?989次閱讀

    Si+SiC+GaN混合方案,解決數(shù)據(jù)中心PSU高功率需求

    的PSU功率密度要求,讓SiCGaN等三代半器件進(jìn)入數(shù)據(jù)中心PSU提供了極佳的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。近年來(lái)功率器件廠商都推出了多種采用SiC
    的頭像 發(fā)表于 07-05 00:12 ?3444次閱讀
    Si+<b class='flag-5'>SiC+GaN</b>混合<b class='flag-5'>方案</b>,解決數(shù)據(jù)中心PSU高<b class='flag-5'>功率</b>需求

    24W原邊GAN電源芯片方案U8607簡(jiǎn)化電源BOM

    24W原邊GAN電源芯片方案U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開(kāi)關(guān)管,可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:54 ?700次閱讀

    SiCGaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

    碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率密度和開(kāi)關(guān)頻率等主要優(yōu)勢(shì)。離子注
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:49 ?885次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>與<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>功率</b>器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

    碳化硅(SiC功率器件探討:未來(lái)的能源解決方案

    隨著全球?qū)Ω咝?、更可持續(xù)能源解決方案的需求不斷增加,碳化硅(SiC功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展。
    的頭像 發(fā)表于 04-15 10:20 ?603次閱讀
    碳化硅(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>功率</b>器件探討:未來(lái)的能源<b class='flag-5'>解決方案</b>

    同軸分流器在SiCGaN器件中的測(cè)量應(yīng)用

    隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展,SiC/GaN 功率器件的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,工程師經(jīng)常要測(cè)量頻率高達(dá)數(shù)百 kHz,電流高達(dá)數(shù)十安培的功率電路。
    的頭像 發(fā)表于 03-13 10:50 ?911次閱讀
    同軸分流器在<b class='flag-5'>SiC</b>和<b class='flag-5'>GaN</b>器件中的測(cè)量應(yīng)用

    三安宣布進(jìn)軍美洲市場(chǎng),為市場(chǎng)提供SiCGaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

    1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議,Luminus將成為湖南三安SiCGaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道,面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。
    的頭像 發(fā)表于 01-13 17:17 ?1372次閱讀

    同是功率器件,為什么SiC主要是MOSFET,GaN卻是HEMT

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候,常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN H
    的頭像 發(fā)表于 12-27 09:11 ?3131次閱讀

    CMPA1E1F060 Ku波段功率放大器CREE

    的目的是-25dBc或更高的IM3水平,能提供25W的輸出功率和31dB的增益值,同時(shí)保證高效率。CMPA1E1F060提供優(yōu)異的射頻性能和熱管理系統(tǒng),并提供裸芯片和法蘭盤封裝解決方案,用戶可以優(yōu)化其
    發(fā)表于 12-26 09:52

    功率電子器件從硅(Si)到碳化硅(SiC)的過(guò)渡

    功率等級(jí)的功率轉(zhuǎn)換、更快的開(kāi)關(guān)速度、傳熱效率上也優(yōu)于硅材料。 本篇博客探討了SiC材料如何提升產(chǎn)品性能以超越基于硅材料的領(lǐng)域,從而為我們?nèi)碌臄?shù)字世界創(chuàng)造下一代
    的頭像 發(fā)表于 12-21 10:55 ?564次閱讀

    使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

    使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
    的頭像 發(fā)表于 12-01 16:35 ?431次閱讀
    使用集成 <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>解決方案</b>提高<b class='flag-5'>功率</b>密度

    GaNSiC在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用

    設(shè)計(jì)人員正在尋求先進(jìn)技術(shù),從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 材料的功率半導(dǎo)體技術(shù),從而在創(chuàng)新方面邁出下一步。他們尋求用于電動(dòng)汽車
    的頭像 發(fā)表于 11-12 11:30 ?1574次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b>和<b class='flag-5'>SiC</b>在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用