合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DRAM項(xiàng)目在經(jīng)過兩年來的努力后,正開始進(jìn)入試產(chǎn)階段,這也代表著合肥506項(xiàng)目進(jìn)入了新的里程碑。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)早先規(guī)劃的19納米制程工藝技術(shù)也將首先應(yīng)用在DDR4 8Gb的產(chǎn)品上,應(yīng)用產(chǎn)品瞄準(zhǔn)個(gè)人計(jì)算機(jī)以及服務(wù)器上,后續(xù)的LPDDR4則是預(yù)期在明年第三季進(jìn)入試產(chǎn)階段。原先擔(dān)任兆易創(chuàng)新CEO的朱一明先生也將辭去原有的職務(wù),正式接任長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)和睿力集成CEO的職位,至于前CEO王寧國(guó)先生則是在建廠告一段落后交棒,顯示合肥地方發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)由建廠進(jìn)度轉(zhuǎn)為研發(fā)、量產(chǎn)與營(yíng)銷為主軸的新局面。
從時(shí)程上來看,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)過去DRAM事業(yè)的進(jìn)展穩(wěn)健,506項(xiàng)目從2016年第二季度啟動(dòng)以來,短短兩年陸續(xù)完成廠房興建、機(jī)臺(tái)設(shè)備移入和上千件專利的申請(qǐng),再加上先前兆易創(chuàng)新在存儲(chǔ)業(yè)界的豐富經(jīng)驗(yàn),對(duì)于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)后續(xù)各項(xiàng)DRAM產(chǎn)品的試產(chǎn)、開發(fā)以及結(jié)合NOR Flash和NAND Flash更為廣泛的應(yīng)用有更大的幫助。在后續(xù)工藝規(guī)劃上,19納米的DRAM試產(chǎn)后,17納米的DRAM技術(shù)開發(fā)也將緊鑼密鼓的展開,寄望能夠在未來DRAM工藝制程技術(shù)微縮時(shí)程拉長(zhǎng)之際,能夠縮短與國(guó)際大廠之間的距離。
中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)自主化更是刻不容緩的一條艱巨道路。中國(guó)目前在全球個(gè)人計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心以及未來新時(shí)代的AI人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)均扮演關(guān)鍵地位,聯(lián)想品牌已是全球PC市占率最高的廠商;華為、OPPO、VIVO和小米等手機(jī)品牌更是早已盤據(jù)全球智能手機(jī)排行榜前七位;華為、騰訊、百度、阿里巴巴等更是目前全球服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心關(guān)鍵領(lǐng)導(dǎo)廠商,而各式各樣廣泛的電子產(chǎn)品都需要DRAM存儲(chǔ)器才能充分運(yùn)作,甚至未來進(jìn)入AI人工智能、挖礦機(jī)和自動(dòng)駕駛車輛對(duì)于DRAM的需求將更為倚重。
對(duì)比DRAM產(chǎn)業(yè)目前高度集中在三星、海力士以及美光三家廠商,其他業(yè)者比重不超過5%的特殊產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看,若不能解決這樣的情況,未來中國(guó)持續(xù)發(fā)展電子產(chǎn)業(yè)上勢(shì)必遇到關(guān)鍵零組件仰人鼻息的瓶頸。同時(shí),中國(guó)發(fā)展DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)不僅只是存儲(chǔ)業(yè)者自身的事情,更必須透過設(shè)備商、材料商等完整供應(yīng)鏈配套,才能縮短學(xué)習(xí)曲線。
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原文標(biāo)題:存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè) | 國(guó)產(chǎn)化邁入新時(shí)代,合肥506項(xiàng)目正式進(jìn)入試產(chǎn)階段
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