NAND形成規(guī)模，產(chǎn)能過剩的風(fēng)險日益高企

NAND供應(yīng)過剩問題的可能性正快速提高——隨著存儲器供應(yīng)量的持續(xù)提升，市場很可能無法消化或者將這些存儲資源轉(zhuǎn)化成令供應(yīng)商滿意的利潤空間。

當(dāng)然，沒有哪家NAND閃存制造商希望看到這種過剩局面，他們都相信自己的行為理性而客觀——但事實顯然并非如此。然而就在內(nèi)存與閃存行業(yè)一次又一次享受到稀缺性帶來的利潤增長之后，如今其終于來到了虧損的懸崖前。就如繁殖過剩的旅鼠一般，它們知道懸崖就在前方，但仍然義無反顧地向前奔跑。

造成這種供過于求前景的原因有三：第一，供應(yīng)過度; 第二，預(yù)期價格往往不像預(yù)期那樣穩(wěn)定; 第三，市場需求有所下滑。

需要注意的是，市場對閃存存儲資源的需求可能仍在增長，但如果其年增長幅度為5%，而行業(yè)的供應(yīng)量每年提升15%，則代表著相對需求將下降10%。

當(dāng)客戶需要更多閃存資源時，那么NAND就會以商品形式面臨市場經(jīng)濟(jì)帶來的波動，過剩問題也由此產(chǎn)生。供應(yīng)商無法快速提升其速度或者安全性表現(xiàn)，他們只能通過縮小晶圓尺寸的方式增加NAND產(chǎn)量。目前2D或者叫平面NAND就在采取這種縮小尺寸的作法; 在3D方面，人們努力增加NAND中的層數(shù)，并/或同步提升NAND單元中的單位容量。

目前3D NAND的這兩種發(fā)展趨勢皆客觀存在，包括64層3D NAND逐步轉(zhuǎn)化為96層，QLC（四級單元）亦在漸漸取代現(xiàn)有TLC（三級單元）。

供應(yīng)商當(dāng)然意識到了存儲行業(yè)正在發(fā)生的這些長期性變化，即客戶開始放棄速度緩慢的磁盤驅(qū)動器，轉(zhuǎn)而采用速度更快的閃存存儲資源。供應(yīng)商們認(rèn)為市場的相關(guān)需求空間很大，且這種趨勢將長期保持下去。

制造商們很清楚，在這種背景下增加市場份額與利潤的最佳方式，無疑是推出比競爭對手成本更低的閃存產(chǎn)品。更具體地講，即在單位晶圓上實現(xiàn)更高容量，從而實現(xiàn)單位容量價格降低。

總體來講，NAND的降價態(tài)勢已成事實; 但供應(yīng)商們認(rèn)為，這將是一波緩慢而長期的下降過程，不會產(chǎn)生斷崖式縮水。

閃存代工廠熱潮

為了擴(kuò)大利益，他們正在建設(shè)更多閃存晶圓廠，而這將大大增加市場供應(yīng)量。

英特爾公司于2015年年底在中國大連建立了3D NAND工廠，并計劃在2018年年底將其產(chǎn)能翻番。

三星公司則在中國西安的3D NAND工廠中努力提升產(chǎn)量。

SK海力士正在利川建設(shè)新工廠，并計劃于2020年正式投入使用。此外，其還在擴(kuò)大另外兩座韓國本土工廠的無塵車間面積。利川的M14工廠與位于無錫的另一家工廠亦開始準(zhǔn)備生產(chǎn)更高層數(shù)的3D NAND芯片。

東芝存儲公司/西部數(shù)據(jù)合資建立的公司正在開發(fā)96層3D NAND，其同時亦制造QLC芯片。另外，東芝還在日本巖手縣北上市建造有一座新工廠。

兩家公司還在對位于日本四日市的現(xiàn)有FAB 6工廠進(jìn)行擴(kuò)建，預(yù)計其將在2019年投入運營。

中國的清華紫光也在建設(shè)自己的3D NAND工廠。美光公司正在對其閃存知識產(chǎn)權(quán)采取法律行動，并表示清華紫光從中間商手中竊取到了相關(guān)機(jī)密技術(shù)。

長江存儲科技公司等其它中國NAND供應(yīng)商也在積極興建代工設(shè)施，從而配合中國全面實現(xiàn)存儲器生產(chǎn)自給自足的發(fā)展目標(biāo)。

憑借著聯(lián)合貝恩資本對TMC進(jìn)行采購，希捷方面將利用來自TMC/西部數(shù)據(jù)合資工廠的芯片發(fā)布SSD產(chǎn)品。

那么，市場能否消化這么多代工廠帶來的額外產(chǎn)能？

一位業(yè)內(nèi)觀察人士認(rèn)為，供應(yīng)過剩將導(dǎo)致價格下跌以及NAND滯銷。

DRAMeXchange持悲觀態(tài)度

DRAMeXchange作為TrendForce公司下轄的事業(yè)部，預(yù)計稱“2018年第三與第四季度，NAND閃存的平均售價將環(huán)比下降10%左右。盡管2018年第三季度一般而言應(yīng)為消費電子產(chǎn)品的傳統(tǒng)銷售旺季，但最終市場需求的增長仍將低于預(yù)期。與此同時，3D NAND閃存的供應(yīng)量將持續(xù)擴(kuò)大。”

該事業(yè)部也對供應(yīng)過度問題做出了進(jìn)一步說明。其表示，價格下跌的主要原因在于全方位的供過于求。

今年智能手機(jī)的全年出貨量預(yù)計與去年相當(dāng)。由于產(chǎn)品在硬件規(guī)格方面缺乏差異，智能手機(jī)的換機(jī)需求一直比較低迷。

筆記本電腦的出貨量在2018年上半年表現(xiàn)出強(qiáng)勁的態(tài)勢，因此其與上年同期相比將有所增長。

雖然對服務(wù)器系統(tǒng)的需求正穩(wěn)步提升，但服務(wù)器固態(tài)驅(qū)動器仍處于供過于求的階段，目前這一利基市場吸引來了太多希望分一杯羹的廠商。

NAND閃存供應(yīng)商已經(jīng)提高了產(chǎn)量預(yù)期，這主要源自持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能并加大對64/72層3D NAND產(chǎn)品的生產(chǎn)比重。

這些因素將引發(fā)供應(yīng)持續(xù)過剩，各類NAND閃存產(chǎn)品的合約價格也將在下半年持續(xù)走低。

DRAMeXchange預(yù)計，2019年上半年傳統(tǒng)淡季期間不夠理想的價格將繼續(xù)保持下去。另外結(jié)合周期性規(guī)律，明年上半年的智能手機(jī)、筆記本電腦及平板電腦的出貨量預(yù)測皆相當(dāng)保守。

再有，其表示各大廠商向96層3D NAND的過渡預(yù)計將進(jìn)一步增加整體產(chǎn)量，并推動供過于求趨勢的升溫。

我們認(rèn)為，隨著眾多晶圓制造廠的興建與擴(kuò)建計劃，2019年、2020年到2021年期間這種過度供應(yīng)很可能真正轉(zhuǎn)化為實際性過剩。