采用FPGA器件實現(xiàn)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中高速大容量存儲板的設(shè)計

1 引言

高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)目前已在雷達、聲納、圖像處理、語音識別、通信、瞬態(tài)信號測試等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。它的關(guān)鍵技術(shù)是高速ADC技術(shù)、數(shù)據(jù)存儲與傳輸技術(shù)和抗干擾技術(shù)。當(dāng)大量的高速實時數(shù)據(jù)經(jīng)過模數(shù)轉(zhuǎn)換后，必須高速存儲，多通道高采樣率的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)會產(chǎn)生巨大的數(shù)據(jù)流。這樣就需要高速大容量的存儲板將數(shù)據(jù)存儲起來，然后再讀回計算機進行處理?；谝陨显?，本文設(shè)計了可以同時存儲兩通道采樣數(shù)據(jù)的大容量存儲板，板中采用了64片Samsung公司的高速大容量存儲器K9F2G08UOM，使整塊板卡的存儲容量達到128Gbit。采用FPGA作為控制器，通過標(biāo)準(zhǔn)的CPCI工控機箱操作存儲板，并通過CPCI總線將存儲板上的數(shù)據(jù)高速讀回計算機，提高了讀取數(shù)據(jù)的速度。

2 K9F2G08UOM簡介

NOR Flash和NAND Flash是目前市場上的兩種主要的非易失性閃存技術(shù)，本設(shè)計的目的是為了高速存儲大容量的數(shù)據(jù)，因此，選擇NAND型K9F2G08U0M存儲器。它的存儲容量是2 Gbit，8位位寬，頁大小為2 048×8 bit，每塊由64頁組成，共有2 048塊。每頁帶有64×8 bit的空閑存儲區(qū)，共有8 192 K×8 bit的空閑存儲區(qū)。頁編程的典型時間為300μs，最大頁編程時間為700μ8。頁內(nèi)連續(xù)最小訪問時間為30 ns／Byte，即數(shù)據(jù)寫入Flash數(shù)據(jù)寄存器的速度可達33 MB／s。但是單頁數(shù)據(jù)的典型編程速度為2 048／300μs=6.8 MB／s，最慢的編程速度為2 048／700μs=2.9 MB／s。塊擦除的典型時間為2 ms。K9F2G08U0M具有硬件數(shù)據(jù)保護功能，即在電源上電、掉電期間關(guān)閉編程／擦除操作。K9F2G08U0M內(nèi)部寫控制器使得所有的編程和擦除操作自動進行，片內(nèi)包含一個頁（2 048+64字節(jié)）的數(shù)據(jù)寄存器，讀寫過程中始終是將存儲單元數(shù)據(jù)或外部數(shù)據(jù)先緩存到數(shù)據(jù)寄存器，然后再讀出數(shù)據(jù)或?qū)懭氪鎯卧Ｒ虼?，它是基于頁讀寫，基于塊擦除的。當(dāng)然，它也支持隨機讀寫。但本設(shè)計目的是高速存儲數(shù)據(jù)，因此對它的讀寫操作完全是基于頁的。K9F2G08U0M的主要引腳有CLE（命令鎖存允許）、ALE（地址鎖存允許）、CE（片選）、WE（寫允許）、RE（讀允許）、WP（寫保護）、R／B（準(zhǔn)備好／忙）、PRE（上電讀使能）、I／O0～I／O7（輸入，輸出）。其中I／O0～I／O7既可作為數(shù)據(jù)輸入輸出引腳，又可作為命令地址的輸入引腳，命令、地址、數(shù)據(jù)分時復(fù)用，根據(jù)不同的命令區(qū)分地址和數(shù)據(jù)。一般的操作流程為：

1） 寫入命令，通知器件所要完成的操作（讀、寫、擦除等）；

2） 寫入地址，即寫入要讀寫數(shù)據(jù)的起始地址，包括列地址和頁地址；

3） 如果是讀或者擦除，寫入一個確認命令。如果是寫操作，輸人待編程的數(shù)據(jù)，完成后輸入編程確認命令。

因為K9F2G08U0M共有128 K頁，每頁的大小為（2 048+64）×8 bit，所以在寫入地址時列地址需要12根地址線，頁地址需要17根地址線。這樣就需要5個時鐘周期來寫入地址。前兩個時鐘寫入列地址，后三個時鐘寫人頁地址。

3 系統(tǒng)設(shè)計

3.1 總體硬件設(shè)計

外部數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)是2個40 MHz采樣的16位A／D通道，所以設(shè)計時分成兩個通道獨立設(shè)計。雖然K9F2G08U0M的數(shù)據(jù)寄存器寫入速度可達33MB／s，但在FPGA設(shè)計時，為了在時序上更加可靠，選擇使用25 MHz的時鐘設(shè)計，則K9F2G08U0M的寫入速度為50 MB／s（把兩個K9F2G08U0M并成16bit，寫入速度即為25 M×l6 b／s）。這樣，在FPGA內(nèi)部開辟3個頁大小的雙口RAM作為緩存區(qū)就能滿足40 M×16 b／s的寫入速度，即在寫第2、3個RAM的時間（25 ns×2 048×2=102.4μs）內(nèi)，啟動第1個RAM把數(shù)據(jù)寫入Flash的數(shù)據(jù)寄存器，所需時間為40 ns×2 048=81.92μs，小于102.4μs。

在讀回數(shù)據(jù)時，如以20 MHz讀取Flash，以40MHz讀出緩沖區(qū)中的數(shù)據(jù)，3個雙口RAM就能剛好滿足要求，如圖1。讀取K9F2G08U0M一頁數(shù)據(jù)能達到33 MHz的速度，為了讓讀寫Flash使用同一時鐘，讀Flash也采用25 MHz的速度。同時為了增加系統(tǒng)設(shè)計的冗余，采用4頁的雙口RAM作為緩沖區(qū)。所以每片F(xiàn)PGA內(nèi)部至少需要4×2 048×16 bit=131 072 bit的存儲空間。

由于數(shù)據(jù)在寫入Flash后還有較長的編程時間，一頁的編程時間典型值為300μs，最大值為700μs。數(shù)據(jù)在存儲上不能有任何的停頓，否則就會丟失數(shù)據(jù)，所以不能使用R／B信號進行設(shè)計。為了系統(tǒng)更加可靠，選擇最大編程時間700μs。兩次對同一組Flash進行寫操作的時間間隔為700μs+81.92μs=781.92μs，一頁的數(shù)據(jù)寫到雙口RAM要用25ns×2 048=51.2μs?？倳r間除以寫一頁數(shù)據(jù)的時間：781.92／51.2=15.3μs，說明一個循環(huán)內(nèi)至少需要16組Flash才能滿足要求。所以在設(shè)計中，對于每路A／D采樣通道都用一片F(xiàn)PGA作為緩沖和控制系統(tǒng)，在每片F(xiàn)PGA內(nèi)部都采用4個緩沖區(qū)，每個緩沖區(qū)對應(yīng)一條外部總線，每條總線上掛有4組K9F2G08U0M×2（將兩片F(xiàn)lash并成16位操作，即把I／O并成16位，共用控制信號線）。系統(tǒng)整體框圖如圖2所示。

圖2中2個外部接口連接2個A／D通道，采用兩片F(xiàn)PGA作為控制和緩沖區(qū)，每片控制16組Flash。存儲板通過PCI9054與CPCI總線相連，通過CPCI總線可以將存儲板數(shù)據(jù)高速讀回計算機。

3.2 系統(tǒng)設(shè)計思想

為了解決高速的數(shù)據(jù)采集和低速的Flash訪問速度之間的矛盾，采取將數(shù)據(jù)流串并轉(zhuǎn)換，復(fù)制多個操作模塊并行處理的設(shè)計方法。通過利用FPGA內(nèi)部的存儲區(qū)實現(xiàn)4個雙口RAM作為緩沖區(qū)。每條外部Flash總線用一個雙口RAM，采集到的數(shù)據(jù)分時加載到4個RAM中，然后再寫入Flash。寫入Flash的操作以流水方式進行，具體方式如圖3所示。首先，外部A／D采樣通道寫數(shù)據(jù)到RAM1。當(dāng)RAM1寫滿時，加載數(shù)據(jù)到第一組Flash數(shù)據(jù)寄存器，加載完成后第一組Flash進入自動編程階段；當(dāng)RAM2寫滿時，第2組Flash加載開始，數(shù)據(jù)加載完成后，進入自動編程階段。依次加載RAM3，當(dāng)RAM4寫滿，第4組Flash開始加載后，F(xiàn)PGA內(nèi)部控制重新寫RAM1，開始對第5組Flash操作，然后依此循環(huán)方式對第6～16組Flash進行操作；當(dāng)?shù)?6組數(shù)據(jù)加載完成后，第1組Flash已經(jīng)編程結(jié)束，接著從第1組Flash開始加載和編程?？煽闯鱿?6組Flash寫入數(shù)據(jù)是并行的，通過并行寫操作，可存儲高速采集的數(shù)據(jù)。

FPGA內(nèi)部設(shè)計大體可劃分為PCI9054操控部分和數(shù)據(jù)錄放部分。PCI9054操控部分一方面跟PCI9054接口，一方面要完成對Flash的操作。數(shù)據(jù)錄放部分主要完成外部數(shù)據(jù)寫入、讀出以及擦除、建立無產(chǎn)塊信息列表等功能。由于對4組Flash的操作都是一樣的，所以數(shù)據(jù)錄放部分可以分為數(shù)據(jù)流控制部分和Flash操控部分。數(shù)據(jù)流控制部分控制數(shù)據(jù)寫入或讀取哪組Flash；Flash操控部分用于對Flash的具體操作。圖4為數(shù)據(jù)錄放部分FPGA功能結(jié)構(gòu)。為了節(jié)省內(nèi)部存儲單元的數(shù)量，寫入和讀取數(shù)據(jù)要使用同樣的緩存區(qū)。

3.3 無效塊的建立和操作

當(dāng)一個塊中有一位或更多位不能正確操作時，就定義此塊為無效塊。無效塊并不影響其他塊的正常工作，各個塊之間是相互獨立的。所選的K9F2G08U0M在出廠時可能存在無效塊，在使用中也可能產(chǎn)生新的無效塊，但是器件的第一個塊一定不是無效塊。NAND Flash在出廠時就標(biāo)記本身的無效塊，每個塊的第一頁或第二頁的空閑區(qū)的第一個數(shù)據(jù)不是FFh，則表示此塊為無效塊。為了保證Flash的正確操作，必須在操作之前建立無效塊信息表。在每片F(xiàn)PGA中設(shè)計了4個2 048×1 bit的RAM用于存儲無效塊的信息。RAM的每一個存儲單元存儲相應(yīng)總線上的4組Flash的無效塊信息。其中某一塊的無效塊信息是4組Flash的無效塊信息相“與”后的結(jié)果（1表示正常，0表示無效塊）。在對Flash進行讀、寫或擦除操作之前，應(yīng)先從RAM中讀取無效塊信息，然后根據(jù)無效塊信息決定是否對當(dāng)前塊操作。

3.4 讀寫Flash操作

對Flash的讀寫操作都是基于頁的，讀寫操作的時序分別如圖5和圖6所示。計算機通過CPCI總線發(fā)送出讀或?qū)懨詈?，F(xiàn)PGA內(nèi)部根據(jù)接收到的命令執(zhí)行相應(yīng)操作。寫Flash時，外部采集的數(shù)據(jù)輸入RAM1，RAM1滿后，開始向RAM2寫入數(shù)據(jù)，同時選通第一條總線上第一組Flash的寫模塊，在寫模塊中通過計數(shù)器產(chǎn)生ALE、CLE、WE、RE等控制寫Flash的相應(yīng)時序，將數(shù)據(jù)從RAM中編程到Flash內(nèi)存，并令頁地址加1，依次循環(huán)（循環(huán)流程見圖3）。當(dāng)總線上的第4組Flash的頁地址為64時，塊地址加1，并讀取無效塊信息，如果為無效塊，則屏蔽此塊，重新讀取下一塊信息，直至讀取到正常塊為止。如果是正常塊，則向此塊中寫入數(shù)據(jù)，同時將頁地址清零。讀操作與寫操作類似，只不過是將Flash中的數(shù)據(jù)讀出先送到RAM，然后依循環(huán)次序讀取RAM即可。

3.5 PCI9054操控部分的設(shè)計

通過編寫PCI9054專用的驅(qū)動和應(yīng)用軟件，實現(xiàn)由計算機通過CPCI總線操控存儲板卡。在應(yīng)用軟件中，對Flash讀寫或者擦除等命令自定義為對CPCI總線發(fā)送特定的數(shù)據(jù)。而在FPGA內(nèi)部根據(jù)PCI9054發(fā)送的局部端數(shù)據(jù)線上的特定數(shù)據(jù)判斷是何種操作，并執(zhí)行相應(yīng)操作。FPGA和PCI9054通信的主要信號線有LHOLD、LHOLDA、READY、ADS、ADDR、DATA，利用這些信號線可以實現(xiàn)PCI9054局部端和FPGA握手。將數(shù)據(jù)寫到計算機中。在PCI9054專用的驅(qū)動和應(yīng)用軟件中，利用DMA方式讀取Flash，讀取速度可提高至1.3 MHz×16 bit。

4 結(jié)束語

本設(shè)計采用流水、并行處理技術(shù)，利用FPGA內(nèi)部嵌入的存儲塊設(shè)計一組高速數(shù)據(jù)緩沖區(qū)，使得多個慢速的存儲器件并行工作，令系統(tǒng)內(nèi)外部數(shù)據(jù)的速率匹配，避免了外置高速緩存，簡化了硬件電路，且極大地提高了存儲數(shù)據(jù)的速率。大容量高密度閃存器件可使單片存儲板容量高達128 Gbit。在FP-GA內(nèi)部設(shè)計中，建立Flash無效塊信息列表，并在此基礎(chǔ)上對Flash進行讀、寫、擦除及重建無效塊信息等操作。使系統(tǒng)具有集成度高、靈活性好、可移植性強、速度快等特點。通過CPCI總線采取DMA方式讀取，極大地提高了讀取速度。當(dāng)接收到的數(shù)據(jù)帶寬很大，速度很高時，可將存儲板并聯(lián)起來，多個存儲板級聯(lián)可滿足更大的存儲容量需求，也可將級聯(lián)并聯(lián)二者結(jié)合起來以滿足不同系統(tǒng)的要求。整個系統(tǒng)基于CPCI工控機箱，更適合于野外的工作環(huán)境，并能及時保存、分析數(shù)據(jù)。