晶體管反向擊穿電壓測試器的原理及制作

這里介紹一種利用普通萬用電表就能測出晶體管反向擊穿電壓的小儀器，其測量范圍為0～1000V，可滿足一般測量要求。

1.電路原理

晶體管反向擊穿電壓測試器的電路如下圖所示。

電路可看作一個(gè)高壓恒流源向待測管饋電，用萬用表就可直接讀出管子的反向擊穿電壓。電路實(shí)質(zhì)上是一個(gè)反饋式直流變換器，它將3V直流電壓轉(zhuǎn)換為1200V左右的主高壓直流電。電路通通電后，由于變壓器T的繞組N1與N2之間的耦合反饋?zhàn)饔茫闺娐沸纬蓮?qiáng)烈振蕩，振蕩電壓經(jīng)繞組N3升壓，由VD2整流后向電容c2充電，使C2兩端可獲得約1200v直流高壓。此高壓經(jīng)高值電阻器R2限流施加到待測管，使管子擊穿，并接在待測管兩端的萬用表就能直接讀出管子的反向擊穿電壓。由于R2電阻值很大，起到一個(gè)恒流源作用，且于擊穿時(shí)電流很小，不會(huì)使待測管損壞。

2.元器件選擇與制作

VT采用V（BR）ceo≥60V、Icm≥0.8A的硅NPN三極管，如2SCl008型等，β≥50。VD1可用普通1N4148型等硅開關(guān)二極管，VD2要求采用反壓大于1500V的快恢復(fù)二極管，如FRl08等。

RP用WSW型有機(jī)實(shí)芯微調(diào)電位器，R1為RTX—1kΩ/0.125w型碳膜電阻器，R2用RJ一1MΩ/1w型金屬膜電阻器。C1為CD11-100μ/16V電解電容器，C2用1000pF/2kV的高壓圓片電容器。

變壓器T需要自制：用初始導(dǎo)磁率為1500或2000的EE20型磁芯，用配套的骨架繞制，先繞N1、N2，再繞N3。N1、N2用φ0.35mm漆包線分別繞10匝，中心抽頭；N3用φ0.17mm高強(qiáng)度漆包線繞260匝。層間必須加絕緣膠帶，以防止內(nèi)部電壓擊穿打火。

由于電路工作電流較小，且線圈匝數(shù)又少，不存在磁飽和問題，所以磁芯裝配時(shí)不需加氣隙。在繞制與接線時(shí)，應(yīng)注意繞組的同名端，即線圈始端（圖中打“·”號端），接線時(shí)同名端不可接反。磁芯繞好后，用膠帶纏兩圈固定。

x1～x4為4個(gè)接線柱，x1、x2用來接待測管，x3、X4則用來接萬用表。

測試器的印制電路板如下圖所示。印制電路板尺寸為50mm×30mm。電源G用5號電源兩節(jié)，機(jī)盒外殼最好用有機(jī)玻璃板制作。調(diào)試時(shí)，在x3、x4接500型萬用表的直流2500V檔，閉合電源開關(guān)s，用小螺絲刀微調(diào)RP使萬用表的讀數(shù)在1200v左右。此時(shí)三極管VT的集電極電流約為200mA。如果電壓只有100V左右，說明線圈同名端接反了，只要將繞組N3的兩端頭對調(diào)一下即可。

測量時(shí)，只要將待測管與x1、x2連接，在x3、x4端接好萬用表，表的示數(shù)即為管子的反向擊穿電壓。用本裝置楞以測量晶體二極管的反向擊穿電壓、晶體三極管的反向擊穿電壓。如：V（BR）ceo、V（BR）ceo等。