晶圓代工龍頭臺積電持續(xù)沖刺先進(jìn)制程,采用極紫外光(EUV)微影技術(shù)的首款7+納米芯片已經(jīng)完成設(shè)計定案(tape-out),支援最多4層EUV光罩。臺積電亦加速5納米制程推進(jìn),預(yù)計明年4月可開始進(jìn)行風(fēng)險試產(chǎn),支援的EUV光罩層將上看14層,5納米可望如期在2020年上半年進(jìn)入量產(chǎn)。
設(shè)備業(yè)者認(rèn)為,臺積電在晶圓先進(jìn)制程持續(xù)推進(jìn),也推出可整合多種異質(zhì)芯片的先進(jìn)封裝技術(shù),最大競爭對手韓國三星短期內(nèi)恐難與之抗衡。由此來看,蘋果明后兩年將推出的7+納米A13及5納米A14應(yīng)用處理器,可望持續(xù)由臺積電拿下獨家代工訂單。
隨著臺積電7納米持續(xù)提升產(chǎn)能且良率逐步改善,臺積電首款采用EUV技術(shù)的7+納米制程已完成研發(fā)并進(jìn)入試產(chǎn),與7納米相較擁有更低功耗表現(xiàn)及更高集積密度,第三季初順利完成客戶首款芯片的設(shè)計定案,預(yù)期年底前會有更多客戶芯片完成設(shè)計定案,明年第二季后將可順利進(jìn)入量產(chǎn),屆時臺積電將成為全球首家采用EUV技術(shù)量產(chǎn)的晶圓代工廠。
此外,創(chuàng)下***科技業(yè)界最高投資金額的臺積電新12吋晶圓廠Fab 18,第一期工程希望搶在年底前完工,明年開始進(jìn)入裝機(jī),第二期工程也已開始動工興建。臺積電5納米研發(fā)進(jìn)度略為超前,預(yù)期明年上半年可獲得客戶首款芯片的設(shè)計定案,明年4月可望進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)。以進(jìn)度來看,2020年上半年進(jìn)入量產(chǎn)階段沒有太大問題。
為了搭配先進(jìn)制程微縮及異質(zhì)芯片整合趨勢,臺積電持續(xù)加碼先進(jìn)封裝制程布局,除了整合10納米邏輯芯片及DRAM的整合扇出層疊封裝(InFO-PoP),以及整合12納米系統(tǒng)單芯片及8層HBM2記憶體的CoWoS封裝等均進(jìn)入量產(chǎn),亦推出整合多顆單芯片的整合扇出暨基板封裝(InFO-oS)、整合扇出記憶體基板封裝(InFO-MS)、整合扇出天線封裝(InFO-AIP)等新技術(shù),滿足未來在人工智慧及高效能運算、5G通訊等不同市場需求。
面對三星及格芯在22納米全耗盡型絕緣層上覆矽(FD-SOI)制程上持續(xù)獲得訂單,臺積電優(yōu)化28納米推出的22納米超低功耗(ULP)制程已經(jīng)進(jìn)入試產(chǎn)階段,已有超過40個客戶產(chǎn)品完成設(shè)計定案,明年將順利進(jìn)入量產(chǎn),超低漏電(ULL)制程預(yù)期明年上半年獲得客戶芯片設(shè)計定案。
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原文標(biāo)題:臺積電7nm+工藝明年Q2量產(chǎn)
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