中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機(jī)獲臺(tái)積電驗(yàn)證

在臺(tái)積電宣布明年將進(jìn)行5納米制程試產(chǎn)、預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)的同時(shí)，國(guó)產(chǎn)設(shè)備亦傳來(lái)好消息。日前上觀(guān)新聞報(bào)道，中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺(tái)積電驗(yàn)證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5納米制程生產(chǎn)線(xiàn)。

據(jù)了解，在晶圓制造眾多環(huán)節(jié)中，薄膜沉積、光刻和刻蝕是三個(gè)核心環(huán)節(jié)，三種設(shè)備合計(jì)可占晶圓制造生產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備投資總額的50%~70%，其中刻蝕技術(shù)高低直接決定了芯片制程的大小，并且在成本上僅次于光刻。而5納米相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑（約為0.1毫米）的二萬(wàn)分之一，方寸間近乎極限的操作對(duì)刻蝕機(jī)的控制精度提出超高要求。

雖然我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在設(shè)備領(lǐng)域整體落后，但刻蝕機(jī)方面已在國(guó)際取得一席之地，中微半導(dǎo)體成績(jī)尤為突出。

中微半導(dǎo)體是中國(guó)大陸首屈一指的集成電路設(shè)備廠(chǎng)商，2004年由尹志堯博士與杜志游博士、倪圖強(qiáng)博士、麥?zhǔn)肆x博士等40多位半導(dǎo)體設(shè)備專(zhuān)家創(chuàng)辦，主要深耕集成刻蝕機(jī)領(lǐng)域，研制出中國(guó)大陸第一臺(tái)電介質(zhì)刻蝕機(jī)。

目前，中微半導(dǎo)體的介質(zhì)刻蝕設(shè)備、硅通孔刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備等均已成功進(jìn)入海內(nèi)外重要客戶(hù)供應(yīng)體系。截至2017年底，已有620多個(gè)中微半導(dǎo)體生產(chǎn)的刻蝕反應(yīng)臺(tái)運(yùn)行在海內(nèi)外39條先進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)上。

在目前全球可量產(chǎn)的最先進(jìn)晶圓制造7納米生產(chǎn)線(xiàn)上，中微半導(dǎo)體是被驗(yàn)證合格、實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售的全球五大刻蝕設(shè)備供應(yīng)商之一，與泛林、應(yīng)用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)為7納米芯片生產(chǎn)線(xiàn)供應(yīng)刻蝕機(jī)。

作為臺(tái)積電長(zhǎng)期穩(wěn)定的設(shè)備供應(yīng)商，據(jù)悉中微半導(dǎo)體在臺(tái)積電量產(chǎn)28納米制程時(shí)兩者就已開(kāi)始合作并一直延續(xù)至如今，這次5納米生產(chǎn)線(xiàn)將再次采用中微半導(dǎo)體的刻蝕設(shè)備，足見(jiàn)臺(tái)積電對(duì)中微半導(dǎo)體技術(shù)的認(rèn)可，可謂突破了“卡脖子”技術(shù)，讓國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)躋身國(guó)際第一梯隊(duì)。

中微半導(dǎo)體首席專(zhuān)家、副總裁倪圖強(qiáng)博士向媒體表示，刻蝕機(jī)曾是一些發(fā)達(dá)國(guó)家的出口管制產(chǎn)品，但近年來(lái)已在出口管制名單上消失，這說(shuō)明如果中國(guó)突破了“卡脖子”技術(shù)，出口限制就會(huì)不復(fù)存在。

目前看來(lái)，臺(tái)積電將于明年率先進(jìn)入5納米制程，中微半導(dǎo)體5納米刻蝕機(jī)現(xiàn)已通過(guò)驗(yàn)證，預(yù)計(jì)可獲得比7納米生產(chǎn)線(xiàn)更大的市場(chǎng)份額。數(shù)據(jù)顯示，第三季度中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額首次超越韓國(guó)，預(yù)計(jì)明年將成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，中微半導(dǎo)體也有望迎來(lái)更大的發(fā)展。

但整體而言，大陸刻蝕設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率仍非常低，存在巨大的成長(zhǎng)空間，對(duì)于設(shè)備廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，“革命尚未成功，同志仍需努力”。