0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Cree將宣布投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能

每日LED ? 來源:lq ? 2019-05-10 17:53 ? 次閱讀

Cree將投資10億美元,擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能

Cree to Invest $1 Billion to Expand Silicon Carbide Capacity

先進(jìn)的制造園區(qū),將加速從Si硅向SiC碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,滿足EV電動汽車和5G市場需求。

1、此次產(chǎn)能擴(kuò)大,將帶來SiC碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和SiC碳化硅材料生產(chǎn)的30倍增長,以滿足2024年之前的預(yù)期市場增長

2、5年的投資,充分利用現(xiàn)有的建筑設(shè)施North Fab,并整新200mm設(shè)備,建造采用最先進(jìn)技術(shù)的滿足汽車認(rèn)證的生產(chǎn)工廠

3、投資:4.5億美元用于North Fab;4.5億美元用于材料超級工廠(mega factory);1億美元用于伴隨著業(yè)務(wù)增長所需要的其它投入

Advanced manufacturing campus will accelerate industry transitionfrom silicon to silicon carbide to meet EV and 5G market demand

Expansion to generate up to a 30-fold increase in SiC wafer fabrication capacity and 30-fold increase in SiC materials production to meet the expected market growth by 2024

Five-year investment leverages an existing building (“North Fab”) and refurbished 200mm equipment to build state-of-the-art automotive-qualified production facility

Investment: $450M for North Fab; $450M for materials mega factory; and $100M in other investments associated with growing the business

▲ Cree North Fab

2019年5月7日,美國北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分,將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能,在公司美國總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動化200mm SiC碳化硅生產(chǎn)工廠和一座材料超級工廠。這項(xiàng)標(biāo)志著公司迄今為止最大的投資,將為Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化鎵業(yè)務(wù)提供動能。在2024年全部完工之后,這些工廠將極大增強(qiáng)公司SiC碳化硅材料性能和晶圓制造產(chǎn)能,使得寬禁帶半導(dǎo)體材料解決方案為汽車、通訊設(shè)施和工業(yè)市場帶來巨大技術(shù)轉(zhuǎn)變。

DURHAM, N.C., May 7, 2019 – As part of its long-term growth strategy, Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) announces it will invest up to $1 billion in the expansion of its silicon carbide capacity with the development of a state-of-the-art, automated 200mm silicon carbide fabrication facility and a materials mega factory at its U.S. campus headquarters in Durham, N.C. It marks the company’s largest investment to date in fueling its Wolfspeed silicon carbide and GaN on silicon carbide business. Upon completion in 2024, the facilities will substantially increase the company’s silicon carbide materials capability and wafer fabrication capacity, allowing wide bandgap semiconductor solutions that enable the dramatic technology shifts underway within the automotive, communications infrastructure and industrial markets.

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生表示:“我們不斷地看到在汽車和通訊設(shè)施領(lǐng)域采用SiC碳化硅的優(yōu)勢來驅(qū)動創(chuàng)新所產(chǎn)生的巨大效益。但是,現(xiàn)有的供應(yīng)卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能夠滿足我們對于SiC碳化硅的需求。今天,我們宣布了公司迄今在生產(chǎn)制造的最大投資,將大幅地提升供應(yīng),幫助客戶為市場提供變革性的產(chǎn)品和服務(wù)。這項(xiàng)在設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施、公司人力方面的巨大投入,將為我們顯著擴(kuò)大產(chǎn)能。與2017財(cái)年第一季度(也就是我們開始擴(kuò)大產(chǎn)能的第一階段)相比較,能夠帶來SiC碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和材料生產(chǎn)的30倍增長。我們相信這將使得我們能夠滿足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未來5年乃至更長遠(yuǎn)的預(yù)期增長?!?/p>

“We continue to see great interest from the automotive and communications infrastructure sectors to leverage the benefits of silicon carbide to drive innovation. However, the demand for silicon carbide has long surpassed the available supply. Today, we are announcing our largest-ever investment in production to dramatically increase this supply and help customers deliver transformative products and services to the marketplace,” said Gregg Lowe, CEO of Cree. “This investment in equipment, infrastructure and our workforce is capable of increasing our silicon carbide wafer fabrication capacity up to 30-fold and our materials production by up to 30-fold compared to Q1 of fiscal year 2017, which is when we began the first phase of capacity expansion. We believe this will allow us to meet the expected growth in Wolfspeed silicon carbide material and device demand over the next five years and beyond.”

這項(xiàng)計(jì)劃將為業(yè)界領(lǐng)先的Wolfspeed SiC碳化硅業(yè)務(wù)提供附加產(chǎn)能。通過增建現(xiàn)有的建筑設(shè)施,作為面積253,000平方英尺的200mm功率和RF射頻晶圓制造工廠,邁出滿足預(yù)期市場需求的第一步。新的North Fab將被設(shè)計(jì)成能夠全面滿足汽車認(rèn)證的工廠,其生產(chǎn)提供的晶圓表面積將會是今天現(xiàn)有的18倍,剛開始階段將進(jìn)行150mm晶圓的生產(chǎn)。公司將把現(xiàn)有在達(dá)勒姆的生產(chǎn)和材料工廠轉(zhuǎn)變?yōu)橐蛔牧铣壒S。

The plan delivers additional capacity for its industry-leading Wolfspeed silicon carbide business with the build out of an existing structure as a 253,000 square-foot, 200mm power and RF wafer fabrication facility as an initial step to serve the projected market demand. The new North Fab is designed to be fully automotive qualified and will provide nearly 18 times more surface area for manufacturing than exists today, initially opening with the production of 150mm wafers. The company will convert its existing Durham fabrication and materials facility into a materials mega factory.

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生同時(shí)還表示:“這些SiC碳化硅制造超級工廠,將加速當(dāng)今最快增長市場的創(chuàng)新。通過提供解決方案,幫助提高EV電動汽車的行駛里程并減少充電時(shí)間,同時(shí)支持5G網(wǎng)絡(luò)在全世界的部署。我們相信這代表著SiC碳化硅和GaN氮化鎵技術(shù)和制造有史以來最大的資本投資,也是一種在財(cái)政上負(fù)責(zé)任的方式。通過采用現(xiàn)有工廠和安裝絕大部分的整新工具,我們相信我們可以實(shí)現(xiàn)提供最先進(jìn)技術(shù)的200mm fab,并且成本大約僅為一座新fab的1/3?!?/p>

“These silicon carbide manufacturing mega-hubs will accelerate the innovation of today’s fastest growing markets by producing solutions that help extend the range and reduce the charge times for electric vehicles, as well as support the rollout of 5G networks around the world,” said Lowe. “We believe that this represents the largest capital investment in the history of silicon carbide and GaN technologies and production with a fiscally responsible approach. By using existing facilities and installing a majority of refurbished tools, we believe we will be able to deliver a state-of-the-art 200mm capable fab at approximately one-third of the cost of a new fab.”

擴(kuò)大的園區(qū)將創(chuàng)造高科技就業(yè)機(jī)會,并提供先進(jìn)制造人才發(fā)展計(jì)劃。Cree計(jì)劃與州、當(dāng)?shù)睾退哪曛圃盒i_展培訓(xùn)項(xiàng)目,為新工廠所帶來的長期、高端就業(yè)和成長機(jī)遇提供人才儲備。

The expanded campus also creates high-tech job opportunities and will serve as an advanced manufacturing workforce development initiative. Cree plans to partner with state and local community and four-year colleges to develop training programs to prepare its workforce for the long-term, high-quality employment and growth opportunities the new facilities will present.

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • Cree
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    91

    瀏覽量

    34401
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2698

    瀏覽量

    62301
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2663

    瀏覽量

    48722

原文標(biāo)題:Cree將投資10億美元,擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能

文章出處:【微信號:MEIRILED,微信公眾號:每日LED】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本文
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?348次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢。本文深入探討
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?307次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    英國公司Clas-SiC考慮在印度建設(shè)碳化硅工廠

    總部位于英國蘇格蘭的碳化硅SiC)晶圓制造公司Clas-SiC,正積極尋求與多家企業(yè)合作,在印度建立一座或多座碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠。這一舉措不僅彰顯了Clas-
    的頭像 發(fā)表于 06-13 09:44 ?564次閱讀

    碳化硅模塊(SiC模塊/MODULE)大電流下的驅(qū)動器研究

    由于碳化硅SiC)MOSFET具有高頻、低損耗、高耐溫特性,在提升新能源汽車逆變器效率和功率密度方面具有巨大優(yōu)勢。對于SiC MOSFET功率模塊,研究大電流下的短路保護(hù)問題、高開關(guān)速度引起的驅(qū)動
    發(fā)表于 05-14 09:57

    SK Siltron獲美政府投資,擴(kuò)大碳化硅晶圓廠產(chǎn)能

    令人矚目的是,SK Siltron近期獲得來自美國政府的總價(jià)值約7700萬美元的支持,其中包括投資補(bǔ)貼和稅收優(yōu)惠,這使得我們得以在下一階段投資密歇根州的碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 04-12 14:44 ?445次閱讀

    SIC 碳化硅認(rèn)識

    好,硬度大(莫氏硬度為9.5級,僅次于世界上最硬的金剛石(10級))、導(dǎo)熱性能優(yōu)良、高溫抗氧化能力強(qiáng)等。由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。 第三代半導(dǎo)體指的是SiC、GaN、ZnO、金剛石(C)、AlN等具有寬禁帶(Eg>2
    的頭像 發(fā)表于 04-01 10:09 ?804次閱讀
    <b class='flag-5'>SIC</b> <b class='flag-5'>碳化硅</b>認(rèn)識

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后
    發(fā)表于 03-08 08:37

    美國宣布向SK Siltron CSS提供5.44美元貸款用于SiC晶圓生產(chǎn)

    今天,美國能源部(DOE)貸款計(jì)劃辦公室(LPO)宣布向SK Siltron CSS, LLC提供5.44美元的有條件貸款,以擴(kuò)大美國電動汽車(EV)電力電子設(shè)備用高質(zhì)量
    的頭像 發(fā)表于 02-23 14:52 ?627次閱讀

    碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用

    隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅SiC)功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文詳細(xì)介紹碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 12-16 10:29 ?1173次閱讀

    碳化硅的5大優(yōu)勢

    碳化硅SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
    的頭像 發(fā)表于 12-12 09:47 ?1613次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>的5大優(yōu)勢

    碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然
    的頭像 發(fā)表于 12-08 09:49 ?1574次閱讀

    三菱電機(jī)與安世宣布聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅SiC)功率半導(dǎo)體

    2023年11月,日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:50 ?724次閱讀

    奧迪宣布又增2款碳化硅SiC車型

    前段時(shí)間,奧迪宣布年底生產(chǎn)碳化硅車型Q6 e-tron(,最近,奧迪又有1款碳化硅車型公布,同時(shí)Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車型。
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:13 ?1758次閱讀

    環(huán)球晶加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè)

    環(huán)球晶董事長徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯估了客戶對8英寸碳化硅SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預(yù)期,她強(qiáng)調(diào)環(huán)球晶加快8英寸碳化硅基板
    的頭像 發(fā)表于 10-27 15:07 ?584次閱讀