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6.3.4.3 確定表面勢、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-01-07 01:15
6.3.4.4Terman法6.3.4.3確定表面勢6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.2MOS電容等效電路∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.4.1SiC特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用SiC 1046瀏覽量 -
9.3.12 氧化誘生層錯∈《集成電路產業(yè)全書》2022-01-07 01:14
9.3硅材料中的缺陷與雜質第9章集成電路專用材料《集成電路產業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備，大量裝機，提供S集成電路 355瀏覽量 -
6.3.4.2 MOS電容等效電路∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-01-06 01:14
6.3.4.2MOS電容等效電路6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.1SiC特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.3熱氧化氧化硅的結構和物理特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.2氧MOS 658瀏覽量 -
9.3.11 失配位錯∈《集成電路產業(yè)全書》2022-01-06 01:12
9.3硅材料中的缺陷與雜質第9章集成電路專用材料《集成電路產業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備，大量裝機，提供SiC晶圓、GaN基板、集成電路 353瀏覽量 -
MCR：MOS Controlled Rectifier，MOS控制的二極管/整流器，超低反向漏電、175°結溫、高浪涌2022-01-05 01:20
晶圓型號選型表歡迎索樣測試驗證：張先生18676796057（微信）相關鏈接：1、長期提供：耐高溫、超低漏電工業(yè)級二極管晶圓、SBD8寸晶圓MCR二極管-8寸晶圓NCD15S10W-MCR8寸晶圓：150V10A，性能優(yōu)于Diodes同規(guī)格產品NCD20S10W-MCR8寸晶圓：200V10A，性能優(yōu)于Diodes同規(guī)格產品NCD30S10W-MCR8寸晶圓二極管 915瀏覽量 -
6.3.4.1 SiC特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-01-05 01:19
6.3.4.1SiC特有的基本現(xiàn)象6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.3熱氧化氧化硅的結構和物理特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.1氧化速率SiC 692瀏覽量 -
9.3.10 滑移位錯∈《集成電路產業(yè)全書》2022-01-05 01:17
9.3硅材料中的缺陷與雜質第9章集成電路專用材料《集成電路產業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備，大量裝機，提供SiC晶圓、GaN基板、藍寶集成電路 308瀏覽量 -
6.3.3 熱氧化氧化硅的結構和物理特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-01-04 01:17
6.3.3熱氧化氧化硅的結構和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用元器件 842瀏覽量 -
9.3.9 直拉單晶硅中的金屬雜質∈《集成電路產業(yè)全書》2022-01-04 01:16
9.3硅材料中的缺陷與雜質第9章集成電路專用材料《集成電路產業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備，大量裝機，提供SiC晶集成電路 378瀏覽量 -
6.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-01-03 01:27
6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.2.1反應SiC 1099瀏覽量