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9.3.8 直拉單晶硅中的氮∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-01-03 01:25
點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們NitrogeninCZSilicon撰稿人：浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn/審稿人：浙江大學(xué)楊德仁9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗集成電路 308瀏覽量 -
6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-02 01:28
6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.1.6離子注SiC 821瀏覽量 -
9.3.7 直拉單晶硅中的碳∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-01-02 01:26
9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供SiC晶圓、GaN基板、藍(lán)寶集成電路 348瀏覽量 -
化合物半導(dǎo)體電子器件研究與進(jìn)展2022-01-01 02:13
西安電子科技大學(xué)教授、副校長郝躍中國科學(xué)院微電子研究所劉新宇一、引言化合物半導(dǎo)體具有飽和速度高、能帶易剪裁、帶隙寬等特性，在超高頻、大功率、高效率等方面表現(xiàn)出優(yōu)越的性能，因此，化合物半導(dǎo)體電子器件已經(jīng)成為發(fā)展信息大容量傳輸和高速處理、獲取的重要器件。以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導(dǎo)體技術(shù)日趨成熟，已廣泛地應(yīng)用于無線通信、光電通信等領(lǐng)域，成為目前高端信息半導(dǎo)體 1831瀏覽量 -
6.2.3 濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-01 02:12
6.2.3濕法腐蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.1.6離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.1.5高溫SiC 787瀏覽量 -
9.3.6 直拉單晶硅中的氧∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-01-01 02:11
點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們OxygeninCZSilicon撰稿人：浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn/審稿人：浙江大學(xué)楊德仁9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備集成電路 382瀏覽量 -
Trench MOS 30V-150V DFN5X6 TO-220 TO-251 TO-252 TO-263 SOP-8選型說明2021-12-31 09:44
晶圓 553瀏覽量 -
6.2.2 高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2021-12-31 09:38
6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.1.6離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6碳化硅 1074瀏覽量 -
9.3.5 微缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2021-12-31 09:37
9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供SiC晶圓、GaN基板、藍(lán)寶石晶圓集成電路 607瀏覽量 -
6.2.1 反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2021-12-31 08:50
6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.6離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和碳化硅 1184瀏覽量