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如何降低功率元器件發(fā)生絕緣品質(zhì)異常2024-05-28 10:51
當(dāng)絕緣體內(nèi)存在氣泡(Void)或絕緣體間存在氣隙(Airgap)時(shí)，在正常工作電壓下氣泡或氣隙容易發(fā)生局部放電(PartialDischarge，PD)，導(dǎo)致絕緣劣化造成絕緣品質(zhì)異常。例如：樹(shù)酯內(nèi)有氣泡或漆包線間的氣隙，因?yàn)榭諝獾慕殡娤禂?shù)較低，氣泡或氣隙的電容量比原絕緣材料低，所以會(huì)分到相對(duì)高比例的電壓，且在相同間隙距離條件下，氣泡或氣隙的崩潰電壓比絕緣材料的低。此類(lèi)放電發(fā)生于氣泡或氣隙等局部瑕疵功率元器件 222瀏覽量 -
SemiQ 開(kāi)始針對(duì) SiC 產(chǎn)品組合實(shí)施已知良品芯片(KGD)計(jì)劃2024-05-27 11:19
近日，SemiQ已啟動(dòng)了已知良好芯片(KGD)篩選計(jì)劃。該計(jì)劃提供經(jīng)過(guò)電氣分類(lèi)和光學(xué)檢查的高質(zhì)量SiCMOSFET技術(shù)。該技術(shù)已準(zhǔn)備好進(jìn)行后端處理，并且可以直接作為芯片連接。SemiQ的已知良好芯片保證了一致的電氣參數(shù)，使客戶(hù)能夠在高壓電源、牽引逆變器和功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)等設(shè)備的構(gòu)建中依靠可重復(fù)的性能來(lái)實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)線成品率。統(tǒng)一的芯片特性有利于高功率模塊中各種器件的 -
MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解2024-05-27 11:16
今天我們來(lái)講一款FSTSICDIODE模塊MPRA1C65-S61，這款SiCModule可以適用更高的開(kāi)關(guān)頻率，可忽略的反向恢復(fù)與開(kāi)關(guān)損耗，大大的提高整機(jī)效率，可適當(dāng)?shù)臏p少散熱器件體積。模塊采用帶有散熱片的S6小型封裝，具有體積小、結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、用戶(hù)使用簡(jiǎn)單靈活的特點(diǎn)，是焊接切割設(shè)備，開(kāi)關(guān)電源充電設(shè)備等領(lǐng)域的理想功率模塊?？焖賲⒖紨?shù)據(jù):650V/10 -
韓國(guó)籌劃622萬(wàn)億韓元半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃，吸引國(guó)內(nèi)外中小企業(yè)強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)生態(tài)2024-05-24 11:46
據(jù)悉，韓國(guó)政府正積極籌劃一項(xiàng)半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃，旨在面對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇的背景下，培育和吸引國(guó)內(nèi)外中小企業(yè)加入其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)。該計(jì)劃補(bǔ)貼預(yù)計(jì)622萬(wàn)億韓元，對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群目標(biāo)所采取的重要舉措。韓國(guó)，作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要參與者，近年來(lái)一直努力加強(qiáng)其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中的地位。此次半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃的提出，標(biāo)志著韓國(guó)政府在應(yīng)對(duì)全球產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)方面邁出了重要步伐。根據(jù)韓國(guó)政府的計(jì)劃，補(bǔ)貼將針對(duì)有潛力的中半導(dǎo)體 228瀏覽量 -
適用于集成存儲(chǔ)和電動(dòng)汽車(chē)充電的光伏系統(tǒng)的 SiC MOSFET 模塊2024-05-24 11:45
因?yàn)槭褂没剂蠋?lái)的問(wèn)題，世界正面臨各種氣候挑戰(zhàn)，所以很多能源部門(mén)正轉(zhuǎn)型以應(yīng)對(duì)，不僅電力生產(chǎn)轉(zhuǎn)向更多可再生能源，住宅部門(mén)也在改變用電方式，如電動(dòng)汽車(chē)的普及和熱泵取暖。這些變化導(dǎo)致電力需求增加和住宅用電成本上升，進(jìn)而推動(dòng)了太陽(yáng)能光伏、家庭電力存儲(chǔ)和電動(dòng)汽車(chē)充電設(shè)備的普及。這篇文章將討論SiCMOSFET如何通過(guò)創(chuàng)新封裝技術(shù)，有效整合這些電力需求，推動(dòng)電力電子 -
Nexperia(安世)發(fā)布高性能碳化硅MOSFET，滿足工業(yè)應(yīng)用增長(zhǎng)需求2024-05-23 10:57
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基于 GaN 的 MOSFET 如何實(shí)現(xiàn)高性能電機(jī)逆變器2024-05-23 10:56
推動(dòng)更高效的能源利用、更嚴(yán)格的監(jiān)管要求以及研發(fā)了冷卻操作的技術(shù)都能夠?qū)崿F(xiàn)減少電動(dòng)機(jī)的功耗，雖然硅MOSFET等開(kāi)關(guān)技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用，但它們通常無(wú)法滿足關(guān)鍵逆變器應(yīng)用更苛刻的性能和效率目標(biāo)。相反，設(shè)計(jì)人員可以使用氮化鎵(GaN)來(lái)實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，氮化鎵是一種寬帶隙(WBG)FET器件技術(shù)，在成本、性能、可靠性和易用性方面都得到了改進(jìn)和進(jìn)步。GaN器件是主流，已 -
聊聊幾種常見(jiàn)的單片機(jī)通信方式2024-05-22 12:28
在這個(gè)數(shù)字化和智能化的時(shí)代，單片機(jī)(MicrocontrollerUnits,MCUs)已經(jīng)成為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的核心組件。從簡(jiǎn)單的家用電器如微波爐和洗衣機(jī)，到復(fù)雜的工業(yè)控制系統(tǒng)，甚至是高科技的自動(dòng)駕駛汽車(chē)，單片機(jī)都扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅負(fù)責(zé)執(zhí)行基本的控制任務(wù)，還處理數(shù)據(jù)、管理用戶(hù)界面，并與其他設(shè)備進(jìn)行通信，今天，我們就來(lái)深入了解一下單片機(jī)的幾 -
碳化硅(SiC)引領(lǐng)電力電子革命，成本優(yōu)勢(shì)顯著2024-05-21 11:11
近期，市場(chǎng)對(duì)碳化硅(SiC)在高電流需求應(yīng)用中的應(yīng)用越來(lái)越感興趣，各大集成器件制造商正加速擴(kuò)大SiC的產(chǎn)能投資，并推出多款新產(chǎn)品，以滿足數(shù)據(jù)中心、電力基礎(chǔ)設(shè)施和電動(dòng)車(chē)等領(lǐng)域的需求。SiC的滲透率上升，顯著降低了系統(tǒng)成本，成為推動(dòng)市場(chǎng)接受度提高的重要因素。在最近的第三類(lèi)半導(dǎo)體論壇上，SiC領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed指出，SiC的應(yīng)用顯著降低了系統(tǒng)成本，不僅節(jié)省 -
浮思特自研(SiC Module)碳化硅功率模塊特性技術(shù)應(yīng)用2024-05-21 11:09
SiCModule，即碳化硅功率模塊，是一種利用碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料制造的電力電子器件。與傳統(tǒng)的硅基功率模塊相比，SiC模塊具有更高的熱導(dǎo)率、更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和更低的導(dǎo)通電阻，這使得它們能夠在更高的溫度、頻率和電壓下工作，同時(shí)減少能量損耗。這些特性使得SiC模塊在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域中具有顯著的優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)了電子技術(shù)的發(fā)展。MPRA1C65-S61模塊經(jīng)