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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊2024-08-19 11:31

    近年來，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當(dāng)前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師的真正替代方案。到目前為止，大多數(shù)SiCMOSFET的設(shè)計(jì)成功主要發(fā)生在低功率到20kW范圍內(nèi)的電力轉(zhuǎn)換器中，這些通常是全新設(shè)計(jì)，這一趨勢(shì)主要是由于提高光伏逆變器和其他工業(yè)電源應(yīng)用的效率的需求。圖1設(shè)計(jì)師們現(xiàn)在正在使用市面上可用的高功率全SiC電力模塊和驅(qū)動(dòng)器

  • SemiQ將S7封裝添加至其QSiC™高性能功率模塊系列2024-08-16 11:18

    SemiQ公司在其QSiC™系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝，該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性，能夠?yàn)樾略O(shè)計(jì)提供緊湊、高效和高性能的選擇。同時(shí)，它們也便于無縫替換那些需要提升效率的舊系統(tǒng)。此次公告包括四個(gè)新電子模塊的發(fā)布：一個(gè)529AMOSFET模塊(GCMX003A120S7B1
    SemiQ SiC 功率模塊 215瀏覽量

  • 反向?qū)щ奍GBT的控制方法2024-08-16 11:13

    當(dāng)IGBT和二極管的功能結(jié)合在單個(gè)硅片上時(shí)，就產(chǎn)生了反向?qū)щ奍GBT(RC-IGBT)。這使得標(biāo)準(zhǔn)的IGBT/二極管模塊可以在單個(gè)硅芯片上構(gòu)建，從而增強(qiáng)了電流承載能力，而無需增加模塊的占地面積。此外，根據(jù)器件技術(shù)的不同，二極管的電氣性能可以受到IGBT柵極控制狀態(tài)的影響。然而，為了管理復(fù)合RC-IGBT中的損耗，需要考慮特殊的控制方法。器件介紹反向?qū)щ奍GB
    IGBT 二極管 電氣性能 353瀏覽量

  • GaN技術(shù)引領(lǐng)功率電子產(chǎn)業(yè)新風(fēng)潮，預(yù)估2030年市場(chǎng)規(guī)模將突破43億美元2024-08-15 10:39

    隨著全球?qū)Ω咝茈娏鉀Q方案的需求日益增加，氮化鎵(GaN)技術(shù)正在成為功率電子產(chǎn)業(yè)的一大亮點(diǎn)。近期，英飛凌和德州儀器等行業(yè)巨頭對(duì)GaN技術(shù)的投入不斷加大，標(biāo)志著功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展即將迎來新一輪的快速增長(zhǎng)。根據(jù)TrendForce集邦咨詢發(fā)布的《2024全球GaNPowerDevice市場(chǎng)分析報(bào)告》，2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約為2.71億美元，

  • 利用人工智能改變 PCB 設(shè)計(jì)2024-08-15 10:38

    人工智能在PCB設(shè)計(jì)中展現(xiàn)出不可否認(rèn)的潛力，但是工程師們自然對(duì)其影響有所顧慮。關(guān)于工作保障和責(zé)任的等問題常常浮現(xiàn)：人工智能會(huì)奪走我的工作嗎?如果人工智能出錯(cuò)，我會(huì)被指責(zé)嗎?然而，人工智能助手不僅不是威脅，反而可以成為可靠的合作伙伴，它能夠解釋自己的決策并提供有價(jià)值的見解。它的選擇理由能力促進(jìn)了一個(gè)協(xié)作的環(huán)境，使經(jīng)驗(yàn)較少的工程師能夠在不感到威脅的情況下學(xué)習(xí)和成

  • 光伏產(chǎn)業(yè)鏈2024年上半年強(qiáng)勁增長(zhǎng)，引領(lǐng)全球綠色能源轉(zhuǎn)型2024-08-14 10:59

    隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮某掷m(xù)攀升，中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)在2024年上半年展現(xiàn)出了前所未有的強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，各環(huán)節(jié)數(shù)據(jù)均創(chuàng)歷史新高，不僅鞏固了中國(guó)在全球光伏領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也為全球綠色能源轉(zhuǎn)型注入了強(qiáng)大動(dòng)力。據(jù)最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)原材料，在2024年上半年實(shí)現(xiàn)了驚人的產(chǎn)量飛躍，全國(guó)總產(chǎn)量達(dá)到了106萬噸，較去年同期大幅增長(zhǎng)74.9%。這一成績(jī)的

  • 寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體封裝與測(cè)試解決方案2024-08-14 10:58

    隨著科技的不斷進(jìn)步，電子設(shè)備對(duì)性能和效率的要求日益提高，為了滿足這些需求，寬禁帶(WideBandgap,WBG)半導(dǎo)體材料如氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)逐漸成為研究和應(yīng)用的重點(diǎn)。這些材料不僅具備較高的擊穿電壓和熱導(dǎo)率，還能在高溫、高頻及高功率環(huán)境下穩(wěn)定工作。然而，WBG半導(dǎo)體的封裝和測(cè)試面臨著一系列挑戰(zhàn)。電力半導(dǎo)體市場(chǎng)與寬禁帶材料全球電力半導(dǎo)體市場(chǎng)包

  • 我國(guó)集成電路進(jìn)出口持續(xù)向好 貨物貿(mào)易呈現(xiàn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)2024-08-13 12:02

    根據(jù)關(guān)總署于8月7日發(fā)布的數(shù)據(jù)，2024年前7個(gè)月，我國(guó)貨物貿(mào)易進(jìn)出口總值達(dá)24.83萬億元，顯示出我國(guó)在全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇過程中，貿(mào)易活力逐步增強(qiáng)。特別是在集成電路這一關(guān)鍵領(lǐng)域，無論是出口還是進(jìn)口，都呈現(xiàn)出可喜的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。數(shù)據(jù)顯示，今年7月，我國(guó)集成電路出口數(shù)量達(dá)到273.4億個(gè)，出口額為985.6億元，較去年同期分別增長(zhǎng)了26.77%。這一增幅不僅在各類商品中

  • 創(chuàng)新型儲(chǔ)能系統(tǒng)：混凝土電池能否為未來提供動(dòng)力2024-08-13 12:00

    目前，世界各國(guó)都設(shè)定了在未來幾十年內(nèi)達(dá)到零碳排放的目標(biāo)。然而，可再生能源資源往往不穩(wěn)定，太陽照射的時(shí)間不固定，風(fēng)速也并不總是在需要時(shí)增強(qiáng)。隨著可再生能源的快速增長(zhǎng)，一個(gè)基本問題隨之而來：如何將這些能源存儲(chǔ)以便日常使用?最近，麻省理工學(xué)院的研究團(tuán)隊(duì)正在開發(fā)一種混凝土電池儲(chǔ)能系統(tǒng)，這種系統(tǒng)由三種簡(jiǎn)單的成分構(gòu)成：炭黑、水和水泥。聽起來像科幻小說，但該團(tuán)隊(duì)正在實(shí)現(xiàn)捕

  • 英飛凌在馬來西亞啟動(dòng)全球最大碳化硅電力半導(dǎo)體制造廠2024-08-09 11:51

    近日，英飛凌科技股份公司在馬來西亞隆重揭幕了一座新的制造設(shè)施，標(biāo)志著全球最大、最具競(jìng)爭(zhēng)力的200毫米碳化硅(SiC)電力半導(dǎo)體制造廠的初步建成。這項(xiàng)投資是針對(duì)全球日益增長(zhǎng)的電力半導(dǎo)體需求，尤其是因脫碳活動(dòng)而推動(dòng)的市場(chǎng)需求。此次新的200毫米SiC電力制造廠以其卓越的生產(chǎn)效率著稱，將進(jìn)一步鞏固英飛凌在全球電力半導(dǎo)體市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。初始階段的投資額達(dá)20億歐元，