講解MOS管驅(qū)動(dòng)電路,包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路
2017-08-01 18:09:4730604 所謂半橋驅(qū)動(dòng)芯片,便是一塊驅(qū)動(dòng)芯片只能用于控制H橋一側(cè)的2個(gè)MOS管:1個(gè)高端MOS和1個(gè)低端MOS。因此采用半橋驅(qū)動(dòng)芯片時(shí),需要兩塊該芯片才能控制一個(gè)完整的H橋。
2023-01-09 14:32:2611851 眾所周知MOS是電壓型驅(qū)動(dòng),只有G極比S極高一個(gè)開(kāi)啟電壓Vth之后,MOS才會(huì)導(dǎo)通(這里指NMOS)。
2023-02-10 10:24:511420 `到驅(qū)動(dòng)波形Vgs關(guān)閉的時(shí)候Vds仍然導(dǎo)通導(dǎo)致,沒(méi)有死區(qū)時(shí)間 下面是波形 我母線通電30V電壓來(lái)測(cè)試的CH1是Vgs導(dǎo)通波形 CH2是 Vds波形中間有一段VGS下降了 MOS管還導(dǎo)通這是測(cè)兩個(gè)低端MOS管Vds的波形 沒(méi)有死區(qū)時(shí)間 另外我的尖峰脈沖是不是太高了 我上電300V的話會(huì)炸管嗎`
2017-08-02 15:41:19
`NMOS管驅(qū)動(dòng)滿足的電壓是看GS端壓差。還是只看PIN-G對(duì)PIN-S正電壓。如下圖紫色是MOS管驅(qū)動(dòng),MOS驅(qū)動(dòng)電壓算7.8V 還是13.2V?`
2021-03-04 09:17:27
MOS管驅(qū)動(dòng)電壓最大是多少?過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓Vod=Vgs-Vth??蒪ai以理解為:du超過(guò)驅(qū)動(dòng)門限(Vth)的剩余電壓大小。1)只有在你的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓“dao大于零”的情況下,溝道才會(huì)形成,MOS管才會(huì)
2021-11-12 08:18:19
自己設(shè)計(jì)了一個(gè)MOS管驅(qū)動(dòng)電路,仿真時(shí)候上管正常開(kāi)關(guān),下管始終關(guān)斷,但是測(cè)得上管柵源極之間電壓波形是這樣的,有一個(gè)很大的抖動(dòng),想請(qǐng)教這是為什么?
2019-11-06 20:46:17
用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是,雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動(dòng)中,通常還是使用NMOS。3,MOS開(kāi)關(guān)管損失不管是NMOS還是
2011-11-07 15:56:56
的限制。必要的時(shí)候可以在R4上面并聯(lián)加速電容。這個(gè)電路提供了如下的特性:1,用低端電壓和PWM驅(qū)動(dòng)高端MOS管;2,用小幅度的PWM信號(hào)驅(qū)動(dòng)高gate電壓需求的MOS管;3,gate電壓的峰值限制;4
2018-07-09 17:24:24
一、MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但
2021-11-12 09:19:30
MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)秘籍(工作原理+電路設(shè)計(jì)+問(wèn)題總結(jié))
2023-09-26 06:11:28
一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS的G S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話, MOS管 開(kāi)關(guān)速度越快越好
2021-11-12 08:20:58
相比較,還有一個(gè)好處,就是柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過(guò)電源IC,提高了可靠性。4、驅(qū)動(dòng)電路加速MOS管關(guān)斷時(shí)間圖5隔離驅(qū)動(dòng)為了滿足如圖 5所示高端MOS管的驅(qū)動(dòng),經(jīng)常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng),有時(shí)
2018-10-23 15:59:18
在設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者逆變器時(shí),我們經(jīng)常需要用到MOS管,可是有些朋友對(duì)于如何選取MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻不太熟悉,今天本人就分享一份來(lái)自網(wǎng)絡(luò)資源的資料,希望對(duì)大家有所幫助。
2018-07-11 22:37:16
做了一個(gè)mos管控制繼電器,下面線圈驅(qū)動(dòng)的圖,但是是低端驅(qū)動(dòng),據(jù)說(shuō)不安全,不符合一般電路規(guī)則,怎么樣弄成高端驅(qū)動(dòng)呢。
2018-12-26 09:35:16
,漏極和源極間的阻抗只有83毫歐,可以認(rèn)為壓降已經(jīng)很小了。P溝道MOS管開(kāi)關(guān)電路PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。需要注意的是,Vgs指的是柵極G
2019-01-28 15:44:35
高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個(gè)系統(tǒng)里,要得...
2021-10-29 06:54:59
MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)
2021-10-29 07:22:17
MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機(jī)制MOS管的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47
提供了如下的特性:1,用低端電壓和PWM驅(qū)動(dòng)高端MOS管。2,用小幅度的PWM信號(hào)驅(qū)動(dòng)高gate電壓需求的MOS管。3,gate電壓的峰值限制4,輸入和輸出的電流限制5,通過(guò)使用合適的電阻,可以達(dá)到
2012-11-12 15:40:55
是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時(shí)候可以在R4上面并聯(lián)加速電容。這個(gè)電路提供了如下的特性:1,用低端電壓和PWM驅(qū)動(dòng)高端MOS管。2,用小幅度的PWM信號(hào)驅(qū)動(dòng)高gate電壓需求的MOS管。3,gate
2012-12-18 15:37:14
通電阻大,價(jià)格貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動(dòng)中,通常還是使用NMOS?! ?、MOS開(kāi)關(guān)管損失 不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量,這部分消耗
2019-02-14 11:35:54
集成電路芯片內(nèi)部通常是沒(méi)有的。2,MOS管導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意思是作為開(kāi)關(guān),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了
2021-01-11 20:12:24
本帖最后由 Stark揚(yáng) 于 2018-11-19 14:19 編輯
這是直流逆變成三相交流的機(jī)器上應(yīng)用的,這是MOS管的驅(qū)動(dòng)波形測(cè)試,此時(shí)MOS管在關(guān)斷,母線電壓48V,驅(qū)動(dòng)電壓為15V,綠色的是Vgs驅(qū)動(dòng)電壓,黃色的是Vds漏極源極電壓,請(qǐng)問(wèn)為什么Vds那么晚才上升,比Vgs晚了那么久
2018-11-19 11:29:47
的強(qiáng)項(xiàng)。下面來(lái)介紹幾種產(chǎn)品設(shè)計(jì)中常用的NMOS的電源開(kāi)關(guān)電路。1、NMOS做電源開(kāi)關(guān)(低端驅(qū)動(dòng),最簡(jiǎn)單)由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異,導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開(kāi)通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻
2021-09-02 06:15:09
mos電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路(一)電機(jī)驅(qū)動(dòng)mos電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路首先,單片機(jī)能夠輸出直流信號(hào),但是它的驅(qū)動(dòng)才能也是有限的,所以單片機(jī)普通做驅(qū)動(dòng)信號(hào),驅(qū)動(dòng)大的功率管如Mos管,來(lái)產(chǎn)生大電流從而驅(qū)動(dòng)電機(jī),且占空比
2019-12-25 18:24:49
可以幫忙分析下ncp81704mos管驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部工作原理圖嗎?實(shí)在不理解,求大神支持
2020-08-10 15:06:56
mos管的驅(qū)動(dòng)電流如何設(shè)計(jì)呢
如果已經(jīng)知道MOS的Qg
恒壓模式下如何設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)管的電流
恒流模式下設(shè)置多大電流呢
2023-06-27 22:12:29
描述DC-DC 轉(zhuǎn)換器 33-42 Vin/12V, 5A 輸出該項(xiàng)目最初旨在為驅(qū)動(dòng) BLDC 電機(jī)的半橋開(kāi)啟高端和低端 MOSFET。最好將此設(shè)計(jì)與柵極驅(qū)動(dòng)器連接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
什么是高低端MOS管?它們的區(qū)別是什么?請(qǐng)各位大神指教,希望能分享相關(guān)資料,非常感謝!
2016-09-01 09:51:08
我做了個(gè)高端驅(qū)動(dòng)的MOS管,然后連的atmega328p。但是現(xiàn)在的問(wèn)題是低Vgs的時(shí)候MOS管不會(huì)完全打開(kāi)。比如這個(gè)電路的Vgs大概是在5V左右,但是門極和源極之間測(cè)得的電壓只有2.1V。
2018-12-05 11:43:29
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS管,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里
2021-10-29 08:34:24
為什選擇高端電流檢測(cè)?高端與低端電流檢測(cè)電路是怎樣的?
2021-09-29 07:32:01
在要求不高的情況下,電流檢測(cè)電路可以通過(guò)運(yùn)放放大轉(zhuǎn)換成電壓,反推算負(fù)載的電流大小。其中檢測(cè)電流分為高端檢測(cè)和低端檢測(cè),高低端檢測(cè)都有其各自的優(yōu)缺點(diǎn)。區(qū)別高端檢測(cè):采樣電阻靠近電源正端低端檢測(cè):采樣
2021-07-19 07:20:51
IR2110做MOS管驅(qū)動(dòng),低端正常,高端一直高電平是什么原因?
2017-03-25 19:06:03
LINEAR TECHNOLOGY出品的用于驅(qū)動(dòng)高端(電源端)N-MOS功率管芯片。內(nèi)部集成有電荷泵,無(wú)需外部器件便可以驅(qū)動(dòng)N-MOS管的導(dǎo)通。LT1910還可以對(duì)MOS漏極上串聯(lián)的電流采樣電阻進(jìn)行檢測(cè)。如果MOS漏極電流過(guò)流,則自動(dòng)關(guān)閉MOS驅(qū)動(dòng),關(guān)閉的時(shí)間由外部電容設(shè)定。LT1910可...
2021-07-30 06:49:34
LT1910高端MOS管驅(qū)動(dòng)IC具有哪些參數(shù)應(yīng)用?
2021-11-03 06:11:06
電流的大小。第二注意的是,普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的NMOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在
2016-11-24 15:27:49
我想用PWM驅(qū)動(dòng)一個(gè)mos管,但是multisim仿真一直出錯(cuò),我不是很清楚這個(gè)電路哪里有問(wèn)題,想請(qǐng)教一下大家
2018-12-24 19:39:34
橋設(shè)置死區(qū)的地方,本來(lái)應(yīng)該低電平的,卻有一個(gè)足以驅(qū)動(dòng)MOS管的脈沖電壓,導(dǎo)致MOS管發(fā)熱嚴(yán)重。想問(wèn)問(wèn)各位大神,是什么原因,有什么辦法解決呢?謝謝。圖中的畸變還不算厲害,但強(qiáng)電電壓上去后,就很高了。
2016-06-23 08:25:22
STM32芯片3.3vIO口如何驅(qū)動(dòng)MOS管電路?
2022-02-28 07:50:04
的驅(qū)動(dòng)電路。ZG2233高端的工作電壓可達(dá)600V,低端Vcc的電源電壓范圍寬8V?20V,靜態(tài)電流約300uAo該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時(shí)導(dǎo)通,輸入通道HIN內(nèi)建了一個(gè)200K下拉電阻,LIN
2021-06-30 11:26:30
ZG6248是一款高性價(jià)比的帶SD此功能的MOS管、IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)專用芯片,內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸 入處理電路、死區(qū)時(shí)控制電路、欠壓保護(hù)、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路,專用于無(wú)^電機(jī)
2021-06-30 11:17:09
,雖然PMOS可以很方便的用作高端驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動(dòng)中,通常還是用NMOS。MOS開(kāi)關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣點(diǎn)電流就會(huì)
2015-12-21 15:35:48
極接Vcc的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是,雖然PMOS可以很方便的用作高端驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動(dòng)中,通常還是用NMOS?! ?b class="flag-6" style="color: red">MOS開(kāi)關(guān)管損失 不管是NMOS還是
2016-12-26 21:27:50
最近的項(xiàng)目打算使用MOS管高端驅(qū)動(dòng)IC芯片,目前選型是IR2117,由于平時(shí)硬件涉及不多,有個(gè)疑惑希望大家?guī)兔獯穑?b class="flag-6" style="color: red">MOS管驅(qū)動(dòng)IC是不是只能工作在PWM模式下?如果被控MOS管長(zhǎng)時(shí)間處于打開(kāi)
2020-12-13 21:28:35
導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是,雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動(dòng)中,通常還是使用NMOS。3,MOS開(kāi)關(guān)管損失 不管是
2020-09-08 23:04:34
關(guān)于MOS的高端驅(qū)動(dòng)和低端驅(qū)動(dòng)
2020-12-09 09:54:08
有兩個(gè)MOS管串聯(lián),起到雙向?qū)ń刂棺饔茫笥覂蛇吺请姵睾碗娫础?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)用tlp250這樣可以嗎,如果可以,那電池電源和驅(qū)動(dòng)的電源需要隔離還是共地也可以。
2017-11-08 16:07:52
1.直接驅(qū)動(dòng) 電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩,一般為10ohm到100ohm,R2是為關(guān)斷時(shí)提供放電回路的;穩(wěn)壓二極管D1和D2是保護(hù)MOS管的門]極和源極;二極管D3是加速MOS的關(guān)斷
2018-11-16 11:43:43
急求,哪位大神有MOS管的驅(qū)動(dòng)電路,我要用TPC8058弄一個(gè)大電流的開(kāi)關(guān)電路,有資料的話分享一下謝謝
2018-01-31 08:47:00
@[TOC]驅(qū)動(dòng)一個(gè)MOS管1 如何驅(qū)動(dòng)一個(gè)MOS管1.1 推挽電路直接上菜,這就是大名鼎鼎的推挽電路了,學(xué)過(guò)單片機(jī)的小伙伴們是不是很熟悉,沒(méi)錯(cuò)就是IO口內(nèi)部的推挽電路,也叫圖騰柱電路,古代部落對(duì)于
2022-02-28 13:41:37
如下圖,采用單片機(jī)他激方式驅(qū)動(dòng)霧化片,有時(shí)驅(qū)動(dòng)MOS管會(huì)很燙,有什么方式實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng),并且頻率隨時(shí)調(diào)整或者通過(guò)自激振蕩諧振在陶瓷片的諧振頻率上,求高手回答! 一定要軟開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng),保證MOS管不燙。
2019-04-09 09:18:12
,用低端電壓和PWM驅(qū)動(dòng)高端MOS管。2,用小幅度的PWM信號(hào)驅(qū)動(dòng)高gate電壓需求的MOS管。3,gate電壓的峰值限制4,輸入和輸出的電流限制5,通過(guò)使用合適的電阻,可以達(dá)到很低的功耗。6,PWM
2019-05-28 08:30:00
一般認(rèn)為MOSFET是電壓
驅(qū)動(dòng)的,不需要
驅(qū)動(dòng)電流。然而,在
MOS的G S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓
驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話,
MOS管開(kāi)關(guān)速度越快越好,因?yàn)?/div>
2019-04-29 08:00:00
怎樣去計(jì)算MOS管柵極的驅(qū)動(dòng)電流呢?如何對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試呢?
2021-09-28 07:36:15
貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動(dòng)中,通常還是使用NMOS?! ?、MOS管開(kāi)關(guān)管損失 不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量,這部分消耗的能量叫做導(dǎo)
2018-10-18 18:15:23
的?! ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管導(dǎo)通特性 導(dǎo)通的意思是作為開(kāi)關(guān),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合?! MOS的特性,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適用于源極接地的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了?! MOS的特性
2018-12-03 14:43:36
有做過(guò)無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)的小伙伴嗎?驅(qū)動(dòng)mos管發(fā)熱嚴(yán)重求解決方法
2018-07-21 16:41:17
PMOS可以很方便的用作高端驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動(dòng)中,通常還是用NMOS。MOS開(kāi)關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣點(diǎn)電流就會(huì)在這個(gè)電阻上
2019-02-22 10:46:45
`大家好,我在做一個(gè)簡(jiǎn)單的低端驅(qū)動(dòng),使用mos管驅(qū)動(dòng)電磁閥,電路及參數(shù)如下圖,mos管G極信號(hào)是0-12V?,F(xiàn)在的問(wèn)題是當(dāng)mos管打開(kāi)時(shí),DS兩端電壓會(huì)逐漸上升,至6v左右,下圖中黃線為控制信號(hào),紫線為DS電壓。請(qǐng)問(wèn)這種現(xiàn)象是什么原因呢?`
2015-02-06 20:32:21
(低端驅(qū)動(dòng)),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了?! MOS的特性,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是,雖然PMOS管可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電
2018-10-26 14:32:12
,實(shí)際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長(zhǎng),分布電感電容加大,對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說(shuō)明MOS管的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下 上圖中,R1-4為柵極驅(qū)動(dòng)電阻,每個(gè)MOS管都由獨(dú)立
2018-11-28 12:08:27
(1)直接驅(qū)動(dòng) 電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩,一般為10ohm到100ohm,R2是為關(guān)斷時(shí)提供放電回路的;穩(wěn)壓二極管D1和D2是保護(hù)MOS管的門]極和源極;二極管D3是加速MOS的關(guān)斷
2018-12-24 14:39:02
`做了一個(gè)無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)板,但是現(xiàn)在MOS管發(fā)熱太嚴(yán)(MOS管型號(hào)CSD18540)。測(cè)試波形如下圖。想問(wèn)一下有沒(méi)有大佬知道怎么解決散熱問(wèn)題?(增加散熱片沒(méi)什么效果)`
2020-03-26 16:46:00
如圖 5所示高端MOS管的驅(qū)動(dòng),經(jīng)常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng),有時(shí)為了滿足安全隔離也使用變壓器驅(qū)動(dòng)。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩,C1的目的是隔開(kāi)直流,通過(guò)交流,同時(shí)也能防止磁芯
2018-10-22 15:45:25
驅(qū)動(dòng))。但是,雖然PMOS可以很方便的用作高端驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動(dòng)中,通常還是用NMOS。MOS開(kāi)關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣
2017-08-15 21:05:01
PMOS可以很方便的用作高端驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動(dòng)中,通常還是用NMOS。MOS開(kāi)關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣點(diǎn)電流就會(huì)
2017-12-05 09:32:00
: Vl和Vh分別是低端和高端的電源,兩個(gè)電壓可以是相同的,但是Vl不應(yīng)該超過(guò)Vh。 Q1和Q2組成了一個(gè)反置的圖騰柱,用來(lái)實(shí)現(xiàn)隔離,同時(shí)確保兩只驅(qū)動(dòng)管Q3和Q4不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通?! 2和R3提供了PWM
2019-01-09 13:49:26
通常是沒(méi)有的。 2、MOS管導(dǎo)通特性 導(dǎo)通的意思是作為開(kāi)關(guān),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合?! MOS的特性,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了
2018-11-27 13:44:26
Rg具體會(huì)影響到那些參數(shù)?我個(gè)人的理解是①這個(gè)電阻對(duì)MOS管的開(kāi)關(guān)頻率有關(guān),決定了對(duì)mos管的輸入輸出電容的充放電時(shí)間②匹配集成驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)能力,電阻越到,集成驅(qū)動(dòng)所需的最大驅(qū)動(dòng)電流也就越小。大家有什么看法,請(qǐng)教一下
2017-06-05 11:28:22
小弟最近用2104和59n25搭了一個(gè)單橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)(用于pwm調(diào)速),現(xiàn)在用12v電源供電,一切正常,但這個(gè)電路最終要應(yīng)用在12到50v之間(給MOS管驅(qū)動(dòng)電機(jī)的電壓),查閱2104手冊(cè),發(fā)現(xiàn)
2014-11-25 21:25:51
MOS管的驅(qū)動(dòng)對(duì)其工作效果起著決定性的作用。在設(shè)計(jì)時(shí)既要考慮減少開(kāi)關(guān)損耗,又要求驅(qū)動(dòng)波形較好即振蕩小、過(guò)沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的,需要尋求一個(gè)平衡點(diǎn),即驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì),請(qǐng)問(wèn)該如何進(jìn)行優(yōu)化呢?可以通過(guò)哪些措施來(lái)優(yōu)化?
2019-02-14 09:44:37
ncp81074a這個(gè)mos管的驅(qū)動(dòng)看不太懂,為啥珊級(jí)要加兩個(gè)電阻,OUTL和OUTH不是是驅(qū)動(dòng)兩個(gè)mos管嗎?只用一個(gè)電阻不行嗎?
2020-08-10 10:34:51
好處,就是柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過(guò)電源IC,提高了可靠性。四、驅(qū)動(dòng)電路加速MOS管關(guān)斷時(shí)間圖5 隔離驅(qū)動(dòng)為了滿足如圖5所示高端MOS管的驅(qū)動(dòng),經(jīng)常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng),有時(shí)為了滿足安全隔離也
2019-09-25 07:30:00
MOS管開(kāi)關(guān)電路學(xué)習(xí)過(guò)模擬電路的人都知道三極管是流控流器件,也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流;而MOS管是壓控流器件,也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。選擇NMOS or PMOS?在選擇這兩種MOS管之前,需要弄清兩個(gè)問(wèn)題:1.高端驅(qū)動(dòng) 2.低端驅(qū)動(dòng)...
2021-10-29 08:16:03
作者:姜維老師(張飛實(shí)戰(zhàn)電子高級(jí)工程師)Mos管驅(qū)動(dòng)有多種方式,有專用驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng),也有用其他的器件搭建的驅(qū)動(dòng),下面就講解下目前比較流行的幾種驅(qū)動(dòng)方式。最簡(jiǎn)單的方式就是電源管理芯片直接驅(qū)動(dòng),電源芯片
2021-06-28 16:44:51
高端MOS管柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究_余海生
2017-01-07 21:39:4412 問(wèn)題。 【問(wèn)題分析】 上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,由于寄生電感的存在,在高端MOS關(guān)閉后,低端MOS的體二極管鉗位之前,寄生電感通過(guò)低端二極管進(jìn)行續(xù)流,導(dǎo)致VS端產(chǎn)生負(fù)壓,且負(fù)壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負(fù)壓會(huì)把驅(qū)動(dòng)的電位拉到負(fù)電位,
2017-11-15 14:31:120 MOS管相比三極管來(lái)講,具有更低的導(dǎo)通內(nèi)阻,在驅(qū)動(dòng)大功率的負(fù)載時(shí),發(fā)熱量就會(huì)小很多。MOS管的驅(qū)動(dòng)與三極管有一個(gè)比較大的區(qū)別,MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的元件,如果驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)不到要求,MOS就會(huì)不完全導(dǎo)通,內(nèi)阻變大而造成過(guò)熱。
2020-06-26 17:03:0073269 滿足輸出要求,而很多現(xiàn)成的MOS驅(qū)動(dòng)IC,似乎也沒(méi)有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。 于是我設(shè)計(jì)了一個(gè)相對(duì)通用的電路來(lái)滿足這三種需求。 電路圖如下: 圖1 用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路 圖2 用于PMOS的驅(qū)動(dòng)電路 這里我只針對(duì)NMOS驅(qū)動(dòng)電路做一個(gè)簡(jiǎn)單分析: Vl和Vh分別是低端
2020-12-30 14:44:0224418 LTC1157:3.3V雙微功耗高端/低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 20:13:345 設(shè)計(jì)MOS管的驅(qū)動(dòng)電路需要考慮電路的穩(wěn)定性、可靠性、功耗以及電路的動(dòng)態(tài)特性等因素。下面將詳細(xì)介紹一種常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)電路方案,包括驅(qū)動(dòng)器的選擇、電源設(shè)計(jì)、輸入信號(hào)的處理等方面。 驅(qū)動(dòng)器的選擇
2023-12-20 14:33:33311 氮化鎵(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢(shì),合理的驅(qū)動(dòng)方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化
2024-01-10 09:29:02412
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