電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)在貿(mào)澤開售 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)

TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)在貿(mào)澤開售 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

GaN功率級(jí)設(shè)計(jì)的散熱注意事項(xiàng)

在任何電力電子轉(zhuǎn)換器中,熱設(shè)計(jì)都是一項(xiàng)重要的考慮因素。熱設(shè)計(jì)經(jīng)優(yōu)化后,工程師能夠?qū)?GaN 用于各種功率級(jí)別、拓?fù)浜蛻?yīng)用中。此應(yīng)用手冊(cè)論述了 TI LMG341XRxxx GaN 功率級(jí)系列非常重要
2022-11-18 09:42:25719

1kW、80 Plus Titanium、GaN CCM 圖騰柱無(wú)橋 PFC 和半橋 LLC 參考設(shè)計(jì)

(PFC)級(jí)。該 PFC 級(jí) 具有 配備集成式驅(qū)動(dòng)器的 TI LMG341xGaN FET,可在寬負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效率,并且符合80 Plus Titanium 要求。該設(shè)計(jì)還支持半橋 LLC 隔離式
2020-06-22 18:22:03

GaN FET重新定義電源電路設(shè)計(jì)

存儲(chǔ)。級(jí)使用GaN和超過(guò)100 kHz的開關(guān)頻率極大地提高了當(dāng)前設(shè)計(jì)的效率。除了dc-dc轉(zhuǎn)換器,POL轉(zhuǎn)換器和逆變器之外,其他GaN應(yīng)用包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和D類大功率音頻放大器。突破性產(chǎn)品使用eGaN
2017-05-03 10:41:53

GaN HEMT電機(jī)設(shè)計(jì)中有以下優(yōu)點(diǎn)

通電阻非常低,僅70mΩ,這款門驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置了降壓/升壓轉(zhuǎn)換器,從而可以產(chǎn)生負(fù)電壓來(lái)關(guān)閉GaN HEMT。LMG3410R070 GaN功率級(jí)器件的一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)是硬切換時(shí)控制轉(zhuǎn)換速率,這種控制對(duì)于抑制
2019-07-16 00:27:49

GaN功率集成電路關(guān)鍵應(yīng)用中的系統(tǒng)級(jí)影響

納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例:高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例:高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例;高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51

GaN高密度300W交直流變換器介紹

GaN高密度300W交直流變換器
2023-06-19 06:03:23

LMG3411EVM-018

LMG341xR050 半 H 橋驅(qū)動(dòng)器(內(nèi)部 FET) 電源管理 評(píng)估板
2024-03-14 23:22:15

TI全集成式原型機(jī)助力GaN技術(shù)推廣應(yīng)用

下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著,同樣的條件下,GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200,隨著這款全集成式原型機(jī)的推出,工程師們能夠輕松地將GaN技術(shù)融入到電源
2018-09-11 14:04:25

TI助力GaN技術(shù)的推廣應(yīng)用

全新的電源應(yīng)用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著,同樣的條件下,GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200,隨著這款全集成式原型機(jī)的推出,工程師們能夠輕松地將
2018-09-10 15:02:53

GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合

解決方案來(lái)簡(jiǎn)化您的設(shè)計(jì),提高功率密度和可靠性了。GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合。 更多電源類博文更多充電類產(chǎn)品TI更多視頻培訓(xùn)原文鏈接:https
2019-07-29 04:45:02

高密度72W電池供電型同步升壓電源設(shè)計(jì)參考資料

了輸入隔離開關(guān)功能,此功能允許進(jìn)行升壓短路保護(hù);該器件發(fā)生短路事件時(shí)會(huì)關(guān)閉此開關(guān)。主要特色 高密度設(shè)計(jì)集成升壓短路保護(hù)72W 功能+/- 5% 負(fù)載瞬態(tài)過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)
2018-11-05 16:27:20

高密度DC/DC轉(zhuǎn)換器的PCB布局第一部分

。 圖1:四開關(guān)降壓-升壓型轉(zhuǎn)換功率級(jí)布局和原理圖筆者看來(lái),這些都是設(shè)計(jì)高密度DC/DC轉(zhuǎn)換器時(shí)所面臨的挑戰(zhàn): 組件技術(shù)。組件技術(shù)的進(jìn)步是降低整體功耗的關(guān)鍵,尤其較高的開關(guān)頻率下對(duì)濾波器無(wú)源組件
2018-09-05 15:24:36

高密度DC/DC轉(zhuǎn)換器的PCB布局第二部分

中央處理器(CPU)內(nèi)核電源的高功率密度穩(wěn)壓器模塊TI Designs參考設(shè)計(jì)。電感器置頂?shù)母?b class="flag-6" style="color: red">功率密度12Vin、100W同步DC/DC步降(降壓)型轉(zhuǎn)換TI Designs參考設(shè)計(jì)。訂購(gòu)高密度
2018-09-05 15:24:34

高密度FIFO器件視頻和圖像領(lǐng)域中的應(yīng)用是什么

高密度FIFO器件視頻和圖像領(lǐng)域中的應(yīng)用是什么
2021-06-02 06:32:43

高密度印制電路板(HDI)簡(jiǎn)介

高密度印制電路板(HDI)簡(jiǎn)介印刷電路板制成最終產(chǎn)品時(shí),其上會(huì)安裝積體電路、電晶體、二極體、被動(dòng)元件(如:電阻、電容、連接器等)及其他各種各樣的電子零件。藉著導(dǎo)線連通,可以形成電子訊號(hào)連結(jié)及應(yīng)有
2010-03-16 09:28:51

高密度多重埋孔印制板的設(shè)計(jì)與制造

高密度多重埋孔印制板的設(shè)計(jì)與制造
2009-03-26 21:51:41

高密度無(wú)線接入哪種室內(nèi)無(wú)線AP好?

需求:人數(shù)較多,大概有60多人,平時(shí)大家都用手機(jī)連接wifi 哪個(gè)牌子的無(wú)線AP好用,要室內(nèi)的,謝謝自己看了豐潤(rùn)達(dá)的一種雙頻的AP。聽(tīng)說(shuō)雙頻的適合高密度接入,是么?
2016-07-25 17:45:55

高密度服務(wù)器播放rtsp流出現(xiàn)斷連情況如何驗(yàn)證?

高密度服務(wù)器播放 rtsp 流出現(xiàn)斷連情況驗(yàn)證
2023-09-18 07:14:50

DC/DC轉(zhuǎn)換器的高密度印刷電路板(PCB)布局

的范例涉及功率級(jí)組件的放置和布線。精心的布局可同時(shí)提高開關(guān)性能、降低組件溫度并減少電磁干擾(EMI)信號(hào)。請(qǐng)細(xì)看圖1中的功率級(jí)布局和原理圖。圖1:四開關(guān)降壓-升壓型轉(zhuǎn)換功率級(jí)布局和原理圖 筆者看來(lái),這些都是設(shè)計(jì)高密度DC/DC轉(zhuǎn)換器時(shí)所面臨的挑戰(zhàn): 組件技術(shù)。組件技術(shù)的進(jìn)步是降低整體功耗的關(guān)鍵,尤…
2022-11-18 06:23:45

PMP21440提供GaN與SI使用情況的對(duì)比研究

LMG1210(對(duì)于 GaN 電源),以提供 0.8V 的電壓和 10A 的電流。該設(shè)計(jì)將硅功率級(jí)GaN 功率級(jí)進(jìn)行比較,以說(shuō)明使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)的設(shè)計(jì)折衷和必要的優(yōu)化。主要特色PMBus 可編程
2019-01-02 16:17:21

SiC/GaN具有什么優(yōu)勢(shì)?

基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03

TE推出高密度金手指電源連接器產(chǎn)品介紹-赫聯(lián)電子

  全球連接與傳感領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指電源連接器是市場(chǎng)上可實(shí)現(xiàn)最高電流密度的金手指電源連接器,能夠支持高達(dá)3千瓦的電源功率,從而
2024-03-06 16:51:58

【電路分析】高密度電源的多相PWM降壓控制電路

RT9629B 高頻、三通道同步降壓 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,特別設(shè)計(jì)于驅(qū)動(dòng)六個(gè) N-MOSFET 的應(yīng)用??茨男┐笊衲芊治龀鲭娐窇?yīng)用及芯片關(guān)鍵參數(shù)指標(biāo)?【5-10積分獎(jiǎng)勵(lì)喲】此產(chǎn)品應(yīng)用于高密度電源
2019-01-02 15:09:58

三路輸出三相控制器改善高密度功率轉(zhuǎn)換器性能設(shè)計(jì)

DN409 - 三路輸出三相控制器節(jié)省了空間,并改善高密度功率轉(zhuǎn)換器性能
2019-07-29 12:48:33

從傳統(tǒng)伺服電機(jī)應(yīng)用到新型機(jī)器人:TI氮化鎵、電容隔離和Fly-buck技術(shù)助你提高功率密度

7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì) 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設(shè)計(jì)的伺服驅(qū)動(dòng)器如圖8所示。LMG3410是集成了驅(qū)動(dòng)的GaN FET功率級(jí)芯片
2019-03-14 06:45:08

使用C2000 MCU的雙向高密度GaN CCM圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì)

3410R070 氮化鎵 (GaN)。此電源拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">支持雙向潮流(PFC 和并網(wǎng)逆變器)且使用 LMG341x GaN 器件,可提高效率并減小電源尺寸。該設(shè)計(jì)可利用切相和自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間提高效率,通過(guò)輸入電容補(bǔ)償方案提高輕
2023-01-17 09:51:23

關(guān)于高密度布線技術(shù)有什么要求?

請(qǐng)問(wèn)關(guān)于高密度布線技術(shù)有什么要求?
2021-04-25 06:26:34

具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

描述 PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級(jí)具有超過(guò) 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02

創(chuàng)建具有GaN速度,尺寸和功耗優(yōu)勢(shì)的LIDAR應(yīng)用

。LMG1210具有可調(diào)節(jié)的死區(qū)時(shí)間控制,可最大程度地減少第三象限損耗。請(qǐng)參見(jiàn)TI白皮書:使用LMG1210 GaN驅(qū)動(dòng)器通過(guò)空載時(shí)間控制來(lái)優(yōu)化效率。TI 在這些設(shè)計(jì)中使用了高效功率轉(zhuǎn)換 eGaN功率器件。
2019-11-11 15:48:09

器件高密度BGA封裝設(shè)計(jì)

器件高密度BGA封裝設(shè)計(jì)引言隨著可編程器件(PLD) 密度和I/O 引腳數(shù)量的增加,對(duì)小封裝和各種封裝形式的需求不斷增長(zhǎng)。球柵陣列(BGA) 封裝在器件內(nèi)部進(jìn)行I/O 互聯(lián),提高了引腳數(shù)量和電路板
2009-09-12 10:47:02

基于 GaN 的 6.6kW 雙向車載充電器設(shè)計(jì)方案

(LMG3522) 實(shí)現(xiàn)高密度。PFC 的工作頻率為 120kHz,而 CLLLC 200kHz 至 800kHz 的可變頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。峰值系統(tǒng)效率為 96.5%,該數(shù)值 3.8kW/L 開放式框架
2022-08-15 10:22:18

基于GaN的CrM模式的圖騰柱無(wú)橋PFC參考方案的設(shè)計(jì)

功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-0961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí) LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F2...
2022-01-20 07:36:11

基于GaN的高效率CrM圖騰柱PFC轉(zhuǎn)換器包括BOM及層圖

描述高頻臨界導(dǎo)電模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-0961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí)
2018-10-25 11:49:58

基于德州儀器GaN產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高功率密度

更高的功率密度。GaN的時(shí)代60多年以來(lái),硅一直都是電氣組件中的基礎(chǔ)材料,廣泛用于交流電與直流電轉(zhuǎn)換,并調(diào)整直流電壓以滿足從手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人等眾多應(yīng)用的需求。雖然必要的組件一直持續(xù)改進(jìn)和優(yōu)化,但物理學(xué)
2019-03-01 09:52:45

如何去設(shè)計(jì)一款能適應(yīng)高密度FPGA的配置?

如何去設(shè)計(jì)一款能適應(yīng)高密度FPGA的配置?
2021-04-08 06:07:38

如何去面對(duì)高速高密度PCB設(shè)計(jì)的新挑戰(zhàn)?

如何去面對(duì)高速高密度PCB設(shè)計(jì)的新挑戰(zhàn)?
2021-04-23 06:18:11

如何采用GaN實(shí)現(xiàn)48V至POL單級(jí)轉(zhuǎn)換

的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換級(jí),設(shè)計(jì)師可以級(jí)中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換器使得功率密度和系統(tǒng)成本顯著增加…
2022-11-15 07:01:49

擴(kuò)展實(shí)施的結(jié)果如何支持多通道和多內(nèi)核HD視頻應(yīng)用的高密度視頻處理?

本文旨在介紹一種全新的多內(nèi)核平臺(tái),其能夠通過(guò)優(yōu)化內(nèi)核通信、任務(wù)管理及存儲(chǔ)器接入實(shí)現(xiàn)高密度視頻處理能力,此外,本文還闡述了擴(kuò)展實(shí)施的結(jié)果如何支持多通道和多內(nèi)核 HD 視頻應(yīng)用的高密度視頻處理。
2021-06-01 06:20:28

探討高密度小間距LED屏工藝

,顯示畫面更加清晰、細(xì)膩。顯示標(biāo)準(zhǔn)的高清圖像時(shí),可以完全達(dá)到分辨率的要求。如果高密度燈管價(jià)格越來(lái)越低,勢(shì)必高密度LED顯示屏將在室內(nèi)視頻監(jiān)控領(lǐng)域占有更大市場(chǎng)。  高密度LED顯示屏具備高清顯示、高刷新
2019-01-25 10:55:17

方波波形開關(guān)節(jié)點(diǎn)概述

。您可使用LMG3410設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器,進(jìn)行快速切換,以提高效率,具有低壓過(guò)沖,并可減少電磁干擾(EMI)。TILMG3410 GaN功率級(jí)使得電源設(shè)計(jì)人員能夠開發(fā)更高密度和更高效率的電源。與具有過(guò)流
2019-08-26 04:45:13

正確驅(qū)動(dòng)LMG5200 GaN功率級(jí)的步驟

可以用很多種方法來(lái)控制GaN功率級(jí)。針對(duì)LMG5200 GaN半橋功率級(jí)TI用戶指南使用了一個(gè)無(wú)源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中,我將會(huì)討論到如何用一個(gè)Hercules微控制器來(lái)驅(qū)動(dòng)它。圖1
2022-11-17 06:56:35

淺析FPGA的60W~72W高密度電源

FPGA 的 60W~72W 高密度電源的電氣性能、熱性能及布局設(shè)計(jì)之深入分析
2019-06-14 17:13:29

用Hercules? LaunchPad? 開發(fā)套件控制GaN功率級(jí)—第1部分

上電,我們馬上開始。 你可以用很多種方法來(lái)控制GaN功率級(jí)。針對(duì)LMG5200 GaN半橋功率級(jí)TI用戶指南使用了一個(gè)無(wú)源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中,我將會(huì)討論到如何用一個(gè)
2018-08-31 07:15:04

請(qǐng)問(wèn)一下怎么解決高速高密度電路設(shè)計(jì)中的串?dāng)_問(wèn)題?

高頻數(shù)字信號(hào)串?dāng)_的產(chǎn)生及變化趨勢(shì)串?dāng)_導(dǎo)致的影響是什么怎么解決高速高密度電路設(shè)計(jì)中的串?dāng)_問(wèn)題?
2021-04-27 06:13:27

這種高密度工藝特別適合于 最小化導(dǎo)通電阻

設(shè)備特別適合適用于低電壓應(yīng)用,如手機(jī)和筆記本電腦計(jì)算機(jī)電源管理和其他電池供電電路高側(cè)開關(guān),低線內(nèi)功率損耗需要在一個(gè)非常小的外形表面貼裝封裝特征● RDS(開)≦ 米?@VGS=10伏● 超高密度單元
2021-07-08 09:35:56

集成氮化鎵改變將影響到電源電子產(chǎn)品

轉(zhuǎn)換器。氮化鎵(GaN功率FET的早期階段,故障很常見(jiàn)。更嚴(yán)格的柵極環(huán)路設(shè)計(jì)要求,更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對(duì)寄生和噪聲更敏感。當(dāng)TI推出第一個(gè)600V GaN功率級(jí)樣品時(shí),我驚嘆于該
2019-07-29 04:45:12

驅(qū)動(dòng)LMG5200的Hercules模塊設(shè)計(jì)

的亮度。我將會(huì)談到其中的硬件和固件。先給你的焊接設(shè)備充上電,我們馬上開始。你可以用很多種方法來(lái)控制GaN功率級(jí)。針對(duì)LMG5200 GaN半橋功率級(jí)TI用戶指南使用了一個(gè)無(wú)源組件和分立式邏輯門的組合
2018-06-01 11:31:35

高壓高密度程控直流電源有哪些特點(diǎn)

1000V100A30KW高壓高密度程控直流電源支持60臺(tái)電源級(jí)聯(lián)操作,具有高功率因數(shù)、高轉(zhuǎn)換效率、高精確度、高穩(wěn)定度、高可靠度、低紋波、低噪音、小體積(高密度)、極速響應(yīng)等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體
2021-12-29 08:23:41

高效率高密度電源無(wú)需散熱器即可提供200A電流

DN1001- 高效率,高密度電源,無(wú)需散熱器即可提供200A電流
2019-05-31 12:51:49

高速高密度PCB設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題是什么?

本文介紹高速高密度PCB設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題(信號(hào)完整性、電源完整性、EMC /EM I和熱分析)和相關(guān)EDA技術(shù)的新進(jìn)展,討論高速高密度PCB設(shè)計(jì)的幾種重要趨勢(shì)。
2021-04-25 07:07:17

高速高密度多層PCB設(shè)計(jì)和布局布線技術(shù)

高速高密度多層PCB設(shè)計(jì)和布局布線技術(shù)
2012-08-12 10:47:09

高速直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)兆赫茲GaN功率級(jí)參考設(shè)計(jì)

改善功率密度,同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)良好的效率和較寬的控制帶寬。此功率級(jí)設(shè)計(jì)可廣泛應(yīng)用于眾多需要快速響應(yīng)的空間受限型應(yīng)用,例如 5G 電信電源、服務(wù)器和工業(yè)電源。主要特色基于 GaN 的緊湊型功率級(jí)設(shè)計(jì),具有高達(dá)
2018-10-17 15:39:59

TI氮化鎵 (GaN) ICLMG3411R050

) 12 Rating Catalog TI GaN 工藝通過(guò)了實(shí)際應(yīng)用硬開關(guān)任務(wù)剖面可靠性加速測(cè)試 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì) 與共源共柵或
2022-12-20 15:04:12

TI氮化鎵 (GaN) ICLMG3410R050

Rating Catalog TI GaN 工藝通過(guò)了實(shí)際應(yīng)用硬開關(guān)任務(wù)剖面可靠性加速測(cè)試 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì) 與共源共柵或獨(dú)立 Ga
2022-12-20 15:04:12

高密度PCB(HDI)檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

高密度PCB(HDI)檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn) 術(shù)語(yǔ)和定義 HDI:High Density Interconnect,高密度互連,也稱BUM(Build-up Multilayer或Build-up PCB),即積層法多層板。積層互聯(lián)通常采用微孔技術(shù),一
2009-11-19 17:35:2958

創(chuàng)造高密度的VoIP處理器

創(chuàng)造高密度的VoIP處理器 任何高密度VoIP平臺(tái)的關(guān)鍵需求之一,是它必須在低功耗和有限使用面積下,盡可能提供最多的通道。對(duì)于信
2009-11-27 20:42:08712

高密度印制電路板(HDI),高密度印制電路板(HDI)是什么

高密度印制電路板(HDI),高密度印制電路板(HDI)是什么意思   印刷電路板是以絕緣材料輔以導(dǎo)體配線所形成的結(jié)構(gòu)性元件。在制成最終產(chǎn)品時(shí),其上
2010-03-10 08:56:412618

TI推出低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器LM5114

德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。
2012-02-11 09:59:081435

實(shí)現(xiàn)下一代高密度電源轉(zhuǎn)換

實(shí)現(xiàn)下一代高密度電源轉(zhuǎn)換 ,小電源的內(nèi)容。
2016-01-06 18:00:090

PI31xx系列高密度隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換

PI31xx系列 高密度隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換
2016-01-06 17:52:320

實(shí)現(xiàn)下一代高密度電源轉(zhuǎn)換

關(guān)于電源設(shè)計(jì)的,關(guān)于 實(shí)現(xiàn)下一代高密度電源轉(zhuǎn)換
2016-06-01 17:48:0622

德州儀器推出業(yè)界最高密度、可堆疊18 V輸入、35-A PMBus轉(zhuǎn)換

德州儀器(TI)近日推出具有業(yè)界最高密度的18 V輸入、35-A同步DC / DC降壓轉(zhuǎn)換器。此轉(zhuǎn)換器提供全差分遠(yuǎn)程電壓感測(cè)和電源管理總線(PMBus),支持遙測(cè)。
2016-12-08 11:17:00801

應(yīng)用于高密度電源設(shè)計(jì)的GaN半導(dǎo)體材料

GaN產(chǎn)品應(yīng)用于可靠和高密度電源的設(shè)計(jì)
2018-08-16 00:55:002810

LMG3410R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 600V 50m? GaN

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)LMG3410R050相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有LMG3410R050的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,LMG3410R050真值表,LMG3410R050管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-01-08 17:47:15

TI LMG3410R050 GaN功率放大級(jí)解決方案

TI公司的LMG3410R050是具有過(guò)流保護(hù)的600-V 50-mΩGaN功率放大級(jí),比硅MOSFET具有固有的優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容,零反向恢復(fù)以降低開關(guān)損耗達(dá)80%之多,以及低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴
2019-04-18 14:34:052262

支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)的TI LMG341xR050 GaN

TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢(shì),包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴,以及可將開關(guān)損耗降低多達(dá)80%的零反向恢復(fù)。
2020-05-29 16:39:072547

PCB設(shè)計(jì)中管理高密度通孔的需求設(shè)計(jì)

在PCB設(shè)計(jì)領(lǐng)域,我們沒(méi)有太多需要跟蹤的項(xiàng)目。但是,有很多設(shè)計(jì)對(duì)象(例如通孔)確實(shí)需要管理,尤其是在高密度設(shè)計(jì)中。盡管較早的設(shè)計(jì)可能僅使用了幾個(gè)不同的通孔,但當(dāng)今的高密度互連(HDI)設(shè)計(jì)需要許多
2020-12-14 12:44:241512

DN409 - 三路輸出三相控制器節(jié)省了空間,并改善高密度功率轉(zhuǎn)換器性能

DN409 - 三路輸出三相控制器節(jié)省了空間,并改善高密度功率轉(zhuǎn)換器性能
2021-03-21 08:41:576

基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器資料下載

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-05 08:42:246

DN1001-高效率、高密度電源提供200A電流,無(wú)散熱器

DN1001-高效率、高密度電源提供200A電流,無(wú)散熱器
2021-04-27 10:44:504

Cyntec高密度uPOL模塊的特點(diǎn)

Cyntec高密度uPOL模塊是款非隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器,提供高達(dá)6A的輸出電流。PWM開關(guān)調(diào)節(jié)器和高頻功率電感集成在一個(gè)混合封裝中。 Cyntec高密度uPOL模塊根據(jù)載荷開機(jī)自動(dòng)運(yùn)行,具備PWM
2021-10-29 09:24:341210

DC/DC轉(zhuǎn)換器的高密度印刷電路板(PCB)布局(上)

進(jìn)行創(chuàng)新的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提出了更高的要求。 ? 創(chuàng)新的一種重要方法是使用高密度設(shè)計(jì)。為推出占位面積更小的解決方案,電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在正集中研究功率密度(一個(gè)功率轉(zhuǎn)換器電路每單位面積或體積的輸出功率
2021-11-24 14:20:441293

氮化鎵 服務(wù)器電源管理系統(tǒng)報(bào)價(jià),基于LMG341x GaN FET的服務(wù)器電源單元(PSU)電路設(shè)計(jì)...

)級(jí)。PFC級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器的LMG341x GaN FET,可在較寬的負(fù)載范圍內(nèi)提供更高的效率,并滿足80多種鈦的要求。該設(shè)計(jì)還支持半橋LLC隔離式DC / DC級(jí),以實(shí)現(xiàn)1kW的+ 12V直流輸出。兩...
2021-11-10 12:36:0310

高密度GaN功率級(jí)的熱設(shè)計(jì)

由于 eGaN FET 和 IC 具有緊湊的尺寸、超快速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻,因此能夠?qū)崿F(xiàn)非常高密度功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。大多數(shù)高密度轉(zhuǎn)換器中輸出功率的限制因素是結(jié)溫,這促使需要更有效的熱設(shè)計(jì)。eGaN
2022-08-09 09:28:16654

使用GaN設(shè)計(jì)高效的高密度電源解決方案

基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn),并在實(shí)際功率應(yīng)用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實(shí)施高功率解決方案,并提供應(yīng)用示例,展示 GaN 器件如何在超過(guò) 600 伏的電壓下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:131637

指導(dǎo)分享高密度光纖配線架安裝方法

高密度光纖配線架正逐漸成為常用的布線產(chǎn)品,尤其適用于數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器機(jī)房等高密度布線環(huán)境,既然應(yīng)用廣泛,那高密度光纖配線架安裝方法大家一定要了解清楚,下面科蘭通訊小編為您詳細(xì)講解一下。 高密度光纖
2022-09-01 10:18:401571

高密度配線架怎樣選擇正確的型號(hào)

你的才是最好的。高密度配線架怎樣選擇正確的型號(hào)?科蘭通訊為您解答。 ? 高密度配線架可以在1U的機(jī)架空間內(nèi)提供144個(gè)LC連接密度。對(duì)于某些用戶來(lái)說(shuō),如此超高密度的好處多多,因?yàn)檫@些用戶機(jī)房?jī)?nèi)的導(dǎo)向器幾乎占據(jù)了機(jī)柜中所有的
2022-09-01 10:49:12250

高密度30W DCDC降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高密度30W DCDC降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-05 14:46:233

DC/DC轉(zhuǎn)換器的高密度印刷電路板(PCB)布局,第2部分

DC/DC轉(zhuǎn)換器的高密度印刷電路板(PCB)布局,第2部分
2022-11-03 08:04:444

DC/DC轉(zhuǎn)換器的高密度印刷電路板(PCB)布局,第1部分

DC/DC轉(zhuǎn)換器的高密度印刷電路板(PCB)布局,第1部分
2022-11-03 08:04:443

PCBA加工為什么要采用高密度貼片?

電子OEM加工的發(fā)展趨勢(shì)是比較良好的,研發(fā)型企業(yè)可以將生產(chǎn)方面的事全部交給專業(yè)PCBA代工代料的加工企業(yè),將更多的精力和資源全部集中在產(chǎn)品研發(fā)和市場(chǎng)開發(fā)上面。在電子OEM加工中采用高密度PCBA
2022-11-07 09:58:23955

圖騰柱PFC和LLC電源如何應(yīng)對(duì)高密度設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)?

)。使用無(wú)橋PFC來(lái)取代輸入整流橋可以提高效率。 通過(guò)在圖騰柱PFC架構(gòu)中使用SiC MOSFET ,有可能實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率,因?yàn)樵谶@個(gè)功率水平上,開關(guān)頻率比其他方案高得多。了解 安森美(onsemi)的圖騰柱PFC和LLC電源方案如何應(yīng)對(duì)高密度設(shè)計(jì)挑戰(zhàn) ,報(bào)名參加第
2023-02-20 21:55:061589

高密度互連印刷電路板如何實(shí)現(xiàn)高密度互連HDIne ?

高密度互連 (HDI) 需求主要來(lái)自于芯片供應(yīng)商。最初的球柵陣列封裝 (BGA) 支持常規(guī)過(guò)孔。
2023-06-01 16:43:58524

【大大芯方案】高效能高密度,大聯(lián)大推出基于ST 產(chǎn)品的先進(jìn)準(zhǔn)諧振反激式GaN功率電源轉(zhuǎn)換器方案

友尚基于ST產(chǎn)品的GaN電源轉(zhuǎn)換器方案的實(shí)體圖 近年來(lái),以氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料在消費(fèi)電子領(lǐng)域的滲透率不斷提升,其能夠以高能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換,在快充時(shí)代備受歡迎。針對(duì)此趨勢(shì),大聯(lián)大友尚基于ST ViperGaN50器件推出了GaN電源轉(zhuǎn)換器方案,能夠優(yōu)化電
2023-07-20 18:05:06499

高密度光纖配線架值得沖嗎

數(shù)據(jù)中心機(jī)房高密度布線是我們現(xiàn)在經(jīng)常關(guān)注的問(wèn)題,這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">高密度光纖配線箱的使用,很多人對(duì)于這一點(diǎn)有很多疑問(wèn),其實(shí)我們從數(shù)據(jù)中心機(jī)房網(wǎng)絡(luò)布線系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)就可以看出,當(dāng)前最重要的有四種,分別是集中化直連
2023-08-29 10:13:49236

高密度布線設(shè)計(jì)指南

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高密度布線設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-01 15:21:431

高密度多重埋孔印制板的設(shè)計(jì)與制造.zip

高密度多重埋孔印制板的設(shè)計(jì)與制造
2022-12-30 09:22:106

高密度互連印刷電路板:如何實(shí)現(xiàn)高密度互連 HDI

高密度互連印刷電路板:如何實(shí)現(xiàn)高密度互連 HDI
2023-12-05 16:42:39227

600V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 15:27:070

已全部加載完成