日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1527 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導(dǎo)通電阻低至18mΩ和23mΩ，同時保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC。
2013-04-23 11:47:111791 30mR【60V MOS N溝道】型號：HC037N06LSN溝道場效應(yīng)管60V30A SOP-8內(nèi)阻30mR型號：HC080N06L N溝道場效應(yīng)管60V17A 15N06 TO-252內(nèi)阻70mR
2020-11-11 17:32:09
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 50N06 50A/60V TO-252 MOS管 HN50N06DA，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HN50N06DA參數(shù)：60V 50A TO-252 N溝道 MOS管
2021-03-30 14:13:25
`惠海半導(dǎo)體供應(yīng)50N06 60V 50ATO-252 N溝道 MOS管HC012N06LS，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷品牌：惠海型號：HC080N06LSVDS：60V IDS：50A封裝：TO-252
2020-11-11 17:30:28
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 50N06 60V/50A 馬達(dá)驅(qū)動MOS管 TO-252 HN50N06 ，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HN50N06DA參數(shù)：60V 50A TO-252 N溝道 MOS管
2020-07-31 14:38:46
型號:HC080N06LS【06N06】絲?。篐C606參數(shù)：60V 6A 類型：N溝道場效應(yīng)管 溝槽型內(nèi)阻72mR低結(jié)電容435pF 封裝：SOT23-3低開啟電壓1.8V廣泛用于車燈照明、車載
2021-03-08 16:42:08
10 17N10 30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開啟 低結(jié)電容東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司專業(yè)從事DC-DC中低壓MOS管市場，專注中低壓MOS管的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售
2020-09-24 16:34:09
60V耐壓-50N06TO-252 60V50AN溝道汽車燈電源MOS管【惠海半導(dǎo)體直銷】品牌：惠海半導(dǎo)體型HC012N06L2VDS：60V IDS：50ARDS(on)Max：14mΩ封裝
2020-12-02 15:59:03
惠海半導(dǎo)體供應(yīng)50N06 60V 50ATO-252 N溝道 MOS管HC012N06L，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷品牌：惠海型號：HC012N06LVDS：60V IDS：50A封裝：TO-252溝道：N
2020-11-30 14:31:14
60V耐壓mos管50N06_低成本_原廠直銷_種類齊全型號：HC15N10 N溝道場效應(yīng)管 100V15A(15N10)TO-252封裝，內(nèi)阻68mR,可用于加濕器、車燈電源等
2020-12-01 16:18:08
`型號:HC080N06LS【06N06】絲?。篐C606參數(shù)：60V 6A 類型：N溝道場效應(yīng)管 溝槽型內(nèi)阻72mR低結(jié)電容435pF 封裝：SOT23-3低開啟電壓1.8V廣泛用于車燈照明、車載電子、電動車應(yīng)用、LED去頻閃、LED升降壓照明、太陽能源。`
2021-03-08 17:11:36
;gt;N溝道MOSFET有三個電極，分別是源極S、漏極D和柵極G。當(dāng)VGS=0時，漏、源極之間無原始導(dǎo)電溝道，ID=0；當(dāng)VGS>0但是比較小時，漏、源極之間也無導(dǎo)電溝道。當(dāng)
2010-08-17 09:21:57
為正時，它充當(dāng)增強型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管`
2012-08-20 08:03:59
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) NCE60P04Y 新潔能 -4A -60V MOS管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷NCE60P04Y :-60V -4A SOT23-3L P溝道MOS 場效應(yīng)管品牌：新潔能
2020-11-06 15:30:13
`深圳市三佛科技有限公司 NCE60P04Y 新潔能 -60V -4A SOT23-3L PMOS，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷NCE60P04Y :-60V -4A SOT23-3L P溝道MOS 場效應(yīng)管
2020-10-28 16:05:32
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) NCE60P05BY 新潔能-60V -4A SOT23-3L P溝道MOS 場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷NCE60P05BY: -60V -4A SOT23-3LP
2020-10-28 16:11:39
（D）和源極（S）端子的方向。極性和MOSFET工作特性極性決定了MOSFET的工作特性。 對N溝道器件為正的電流和電壓對P溝道器件為負(fù)值。圖4：MOSFET第一象限特征在有充足電壓施加到柵-源極端
2018-03-03 13:58:23
AOD4184SL444N溝道TO-252 60V 12A可替代 AOD444SL50N06 N溝道TO-252 60V 50ASL15N10 N溝道TO-252100V 15ASL403N溝道
2020-06-03 15:06:15
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) SLD80N06T 80A/60V TO-252 N溝道 MOS，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷SLD80N06T 參數(shù)：60V80ATO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 15:06:41
02TVDS：60AIDS ：20V封裝:TO-252溝道：N溝道SLD60N02T 原裝，SLD60N02T庫存現(xiàn)貨熱銷售后服務(wù)：公司免費提供樣品，并提供產(chǎn)品運用的技術(shù)支持。阿里店鋪：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索
2020-10-22 15:48:45
MOS管HN20P04： -40V-20ASOT-89 P溝道 MOS管【60V MOS N/P溝道】HN2310: 60V3A SOT23N溝道 MOS管HN04P06 ：-60V-4ASOT-23 P
2021-03-24 10:35:56
10)TO-252封裝， 內(nèi)阻68mR,可用于加濕器、車燈電源等型號：HC012N06LN溝道場效應(yīng)管60V50A(50N06 )TO-252封裝， 內(nèi)阻12mR,汽車燈電源、電機驅(qū)動、控制器等
2020-10-14 15:18:58
場效應(yīng)管 100V30ADFN3*3封裝 內(nèi)阻20毫歐型號：HC6033D N溝道場效應(yīng)管 60V13ADFN3*3封裝 內(nèi)阻70毫歐型號：HC6019D N溝道場效應(yīng)管 60V20ADFN3*3封裝 內(nèi)阻30毫歐
2020-09-23 11:38:52
TO-252 N溝道 MOS管30V 85A TO-252 N溝道 MOS管 【40V MOS N溝道】40V 10A SOP8 N溝道 MOS管【60V MOS N溝道】60V 3A SOT23 N
2020-11-02 16:02:10
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
符號。不同之處在于體二極管和箭頭符號相對于端子的方向。圖3：P溝道和N溝道MOSFET的原理圖。注意體二極管和箭頭相對漏極（D）和源極（S）端子的方向。極性和MOSFET工作特性極性決定了MOSFET
2021-04-09 09:20:10
``VISHAY生產(chǎn)Si7658ADP，3000pcs/盤，Single N-Channel 30 V 0.0022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8，60K原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢。聯(lián)系QQ：864968599``
2014-04-02 16:25:18
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設(shè)計工
2018-12-06 09:46:29
請問MOSFET的D-S間的電壓與電流是如何產(chǎn)生交疊的呢？
2023-05-16 14:28:04
Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 小信號應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441421 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 Mouser Electronics開始供應(yīng)Vishay Siliconix第一款採用業(yè)界最小的晶片級封裝，并將導(dǎo)通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421014 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供
2017-02-10 15:10:111667 Vishay推出輸入電壓為4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X，擴充其microBUCK同步降壓穩(wěn)壓器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分節(jié)省空間，在小尺寸
2018-05-21 10:56:001893 NP50P06D6(60V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:341560 
60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMX700CN
2023-02-09 18:50:56
0 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HS
2023-02-14 19:22:520 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HW
2023-02-15 18:43:580 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV164ENE
2023-02-15 18:45:180 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV37ENE
2023-02-15 18:46:070 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN37ENE
2023-02-15 18:46:540 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX6008NBKW
2023-02-15 19:51:260 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX6008NBKS
2023-02-15 19:51:380 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AK
2023-02-16 20:08:330 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKM
2023-02-16 20:25:210 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40SNA
2023-02-16 20:54:000 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN55ENEA
2023-02-16 21:17:361 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP061-60YE
2023-02-17 18:45:550 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE
2023-02-17 18:46:150 60 V、360 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002P
2023-02-17 19:11:410 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKM
2023-02-17 19:40:020 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100EPA
2023-02-20 19:03:300 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:270 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E
2023-02-20 19:14:442 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002NXBK
2023-02-20 19:44:550 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV37ENEA
2023-02-20 19:51:040 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV164ENEA
2023-02-20 19:53:520 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:030 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:430 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN120ENEA
2023-02-20 19:58:020 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN230ENEA
2023-02-20 19:59:070 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40ENA
2023-02-20 20:01:240 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E
2023-02-20 20:03:400 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:170 60 V、300 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002
2023-02-21 19:23:100 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN230ENE
2023-02-21 19:34:560 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN120ENE
2023-02-23 19:04:350 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E
2023-02-23 19:05:270 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BK
2023-02-27 19:07:020 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB55ENEA
2023-02-27 19:12:230 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKW
2023-02-27 19:17:360 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKS
2023-02-27 19:17:510 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKS
2023-02-27 19:18:200 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKM
2023-03-02 23:00:470 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKMB
2023-03-02 23:01:060 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002AKS
2023-03-02 23:01:240 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BSN20BK
2023-03-02 23:02:470 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV55ENEA
2023-03-03 19:33:310 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV450ENEA
2023-03-03 19:34:170 60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV120ENEA
2023-03-03 19:35:230 N 溝道 60 V 7.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN7R6-60XS
2023-03-03 20:01:200 N 溝道 60 V、4.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN3R9-60XS
2023-03-03 20:08:570
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