什么叫米勒電容？如何作用和影響于MOSFET？
2019-05-12 07:27:00
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、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?導(dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外
2018-08-27 20:50:45
(on)Rds(on)是漏極電流Id的函數(shù)，由MOSFET的典型應(yīng)用曲線以及歐姆定律可以得到：從曲線可以看出，Vgs對于Rds(on)起著至關(guān)重要的作用，對于MOSFET，一定要使得MOSFET徹底開通，不能
2018-07-12 11:34:11
做為正激變換器的假負(fù)載，用于消除關(guān)斷期間輸出電壓發(fā)生振蕩而誤導(dǎo)通。同時它還可以作為功率MOSFET關(guān)斷時的能量泄放回路。該驅(qū)動電路的導(dǎo)通速度主要與被驅(qū)動的S2柵極、源極等效輸入電容的大小、S1的驅(qū)動信號
2019-06-14 00:37:57
MOSFET簡介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動技術(shù)
2021-03-04 06:43:10
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動方式
2021-03-29 07:29:27
容量功率MOSFET在構(gòu)造上，如圖1存在寄生容量。功率MOSFET在構(gòu)造上，如圖1存在寄生容量 MOSFET的G (柵極) 端子和其他的電極間由氧化膜絕緣，DS (漏極、源極) 間形成PN接合，成為內(nèi)置
2019-04-10 06:20:15
ZVS的兩個必要條件，如下：公式看上去雖然簡單，然而一個關(guān)于MOSFET等效輸出電容Ceq的實際情況，就是MOSFET的等效寄生電容是源漏極電壓Vds的函數(shù)，之前的文章對于MOSFET的等效寄生電容
2018-07-18 10:09:10
什么是MOSFET管？由哪幾部分組成？MOSFET的主要參數(shù)是什么？如何選型？
2022-02-23 06:57:53
曲線的斜率gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。 gm的量綱為mA/V，所以gm也稱為跨導(dǎo)?？鐚?dǎo)?！ D1. 轉(zhuǎn)移特性曲線圖2—54（a）為N溝道增強型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖，其電路符號如圖2
2018-08-07 14:16:14
MOSFET門 源極并聯(lián)電容后，開關(guān)可靠性得到提升開關(guān)電路如下圖電路解釋開關(guān)電路如下圖電路解釋1.該電路用于高邊開關(guān)，當(dāng)MOS_ON 網(wǎng)絡(luò)拉低到地時，開關(guān)Q1導(dǎo)通；2.電路中D3作用為鉗位Q1門源
2021-12-30 07:40:23
個驅(qū)動電壓來控制其漏極和源極的通斷從而實現(xiàn)開關(guān)功能。不過使用時應(yīng)注意其引腳的連接，因為不是普通意義上的開關(guān)。另外按功率大小分可以分為大中小功率的MOS管，其中大功率MOS管通常用作開關(guān)電源的開關(guān)管。轉(zhuǎn)載自http://cxtke.com/`
2012-07-06 15:58:14
驅(qū)動電壓來控制其漏極和源極的通斷從而實現(xiàn)開關(guān)功能。不過使用時應(yīng)注意其引腳的連接，因為不是普通意義上的開關(guān)。另外按功率大小分可以分為大中小功率的MOS管，其中大功率MOS管通常用作開關(guān)電源的開關(guān)管。轉(zhuǎn)載自http://www.wggk.net/
2012-07-04 17:18:09
電路設(shè)計如圖；問題：MOSFET測量柵極有開啟電壓+3.6V，漏極電壓+12V，但是源極電壓測量為+1V;分析：有可能是MOSFET壞了，除了這個可能性，不清楚是不是設(shè)計上有問題，希望大家?guī)兔?，目?b class="flag-6" style="color: red">源極沒有接負(fù)載，這對電路有沒有影響呢？
2019-09-11 14:32:13
簡介目前 MOSFET 驅(qū)動器的主要用途之一是進行不同類型電機的驅(qū)動控制。此應(yīng)用筆記對一些基本概念進行討論以幫助用戶選擇適合應(yīng)用的 MOSFET 驅(qū)動器。電機和 MOSFET 驅(qū)動器之間的電橋通常由
2021-09-17 07:19:25
MOSFET驅(qū)動電路中自舉電容如何發(fā)揮作用？為何漏極48V導(dǎo)通后柵極就變成63V了？
2015-07-30 14:49:53
死區(qū)時間。MOSFET電壓電流并無變化t2階段t2階段MOSFET Vgs電壓達到閥值并繼續(xù)上升。此時MOSFET開始導(dǎo)通，電流從MOSFET漏極流向源極并在t2結(jié)束時到達最大值，而Vds此時保持不變
2018-12-10 10:04:29
mosfet的TO220封裝上的背后的鐵片接的是漏極嗎？為什么？
2015-10-25 20:56:23
。由于二極管D1依然導(dǎo)通， 該時段內(nèi)諧振電感的電壓為： 該電壓使得諧振電流ir(t)下降。然而，很小，并不足以在這個時間段內(nèi)使電流反向。在t3時刻，MOSFET Q2電流依然從源極流向漏極。另外
2019-09-17 09:05:04
小女子初次進入這個行業(yè)請多多幫忙 ………………不勝感激{:soso_e100:}MOS管漏極與源極并聯(lián)一個穩(wěn)壓二極管是什么作用？？？上圖中PD3的作用
2011-10-09 14:42:41
場效應(yīng)管）?！ 鲂?yīng)管家族分類 場效應(yīng)管的特點：輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強、制造工藝簡單?！ ∮捎谑忻嫔弦姷胶凸ぷ髦惺褂玫?b class="flag-6" style="color: red">主要是增強型MOSFET，下面內(nèi)容以此討論
2021-01-20 16:20:24
;gt;N溝道MOSFET有三個電極，分別是源極S、漏極D和柵極G。當(dāng)VGS=0時，漏、源極之間無原始導(dǎo)電溝道，ID=0；當(dāng)VGS>0但是比較小時，漏、源極之間也無導(dǎo)電溝道。當(dāng)
2010-08-17 09:21:57
為正時，它充當(dāng)增強型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
載流子是空穴，與N溝道MOSFET中使用的電子相比，這些電荷載流子的遷移率較低。P溝道和N溝道MOSFET之間的主要區(qū)別在于，在P溝道中，需要從Vgs(柵極端子到源極)的負(fù)電壓來激活MOSFET，而在N溝道
2022-09-27 08:00:00
電荷和開關(guān)頻率在確定MOSFET技術(shù)的最終工作點和選用方面起著重要作用。MOSFET既可工作在第一象限，也可工作在第三象限。沒有施加?xùn)?源極電壓時，寄生體二極管導(dǎo)通。當(dāng)柵極沒有電壓時，流入漏極的電流
2018-03-03 13:58:23
文章目錄1. RCC 主要作用——時鐘部分2. RCC 框圖剖析—時鐘部分2.1 系統(tǒng)時鐘① HSE 高速外部時鐘信號② PLL 時鐘源RCC ： reset clock control 復(fù)位和時鐘
2021-08-06 09:03:46
。*3） 導(dǎo)通電阻使MOSFET啟動（ON）時漏極與源極之間的電阻值。該值越小，則運行時的損耗（電力損耗）越少。`
2021-07-14 15:17:34
Architect工具可對變壓器、功率MOSFET、功率二極管、傳輸電纜等進行定制建模，而且建模信息主要利用器件手冊和器件實驗數(shù)據(jù)；因而定制設(shè)計的器件模型較為精確，較為真實反映器件的真實性能。 該課程主要
2017-04-12 20:43:49
的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對于MOSFET來說，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應(yīng)用中使用時，其性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用
2018-11-27 16:40:24
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實際應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進一步降低器件的開關(guān)損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動
2023-02-27 16:14:19
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2019-09-25 07:00:00
使用，BM6101是一款電流隔離芯片，通過它進行兩級驅(qū)動Mosfet管。而驅(qū)動的電壓就是通過開關(guān)電源調(diào)整得到的電壓，驅(qū)動電路還如下圖黃框出提供了死區(qū)調(diào)整的電阻網(wǎng)絡(luò)。利用示波器在在這時對柵極源極電壓
2020-06-07 15:46:23
，因此，下管的寄生二極管在死區(qū)時間內(nèi)具有導(dǎo)通損耗，同時具有二級管的反向恢復(fù)損耗?！ 」β?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的寄生參數(shù)模型如圖1所示，其中，G、D、S分別為封裝好的器件外部的柵極、漏極和源極，G1、S1分別為內(nèi)部
2020-12-08 15:35:56
介質(zhì)，稱為絕緣柵。在源區(qū)、漏區(qū)和絕緣柵上蒸發(fā)一層鋁作為引出電極，就是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。上節(jié)我們提到過一句，MOSFET管是壓控器件，它的導(dǎo)通關(guān)斷受到柵極電壓的控制。我們從圖上觀察
2023-02-10 15:33:01
1. 二極管的作用二極管的作用主要有整流、檢波、限幅、調(diào)制、開關(guān)、穩(wěn)壓、發(fā)光、混頻、阻尼和瞬變電壓抑制等。強電電路多采用普通整流二極管和雙向觸發(fā)二極管，而很少采用其他二極管。二極管的主要特性二極
2017-05-16 09:00:40
電壓。將這些式子結(jié)合起來，可得到MOSFET柵極驅(qū)動電壓是漏源電壓的函數(shù)：VGS=-(R2/R1)VDS二極管規(guī)格書下載：
2021-04-08 11:37:38
)DSS。它具有正溫度特性。故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。5、RDS(on)：在特定的VGS（一般為10V）、結(jié)溫及漏極電流的條件下，MOSFET導(dǎo)通時漏源間的最大阻抗。它是一個非常重要
2016-05-23 11:40:20
源漏極的鋁引線可重迭到柵區(qū)，這是因為有一絕緣層將柵區(qū)與源漏電極引線隔開，從而可使結(jié)面積減少30%~40%。 硅柵工藝還可提高集成度，這不僅是因為擴散自對準(zhǔn)作用可使單元面積大為縮小，而且因為硅柵工藝可以
2012-01-06 22:55:02
源漏極的鋁引線可重迭到柵區(qū)，這是因為有一絕緣層將柵區(qū)與源漏電極引線隔開，從而可使結(jié)面積減少30%~40%。 硅柵工藝還可提高集成度，這不僅是因為擴散自對準(zhǔn)作用可使單元面積大為縮小，而且因為硅柵工藝可以
2012-12-10 21:37:15
在通孔板上建立電路數(shù)小時后，我發(fā)現(xiàn)使用P-MOSFET時Vgs并不容易。經(jīng)過搜索，我發(fā)現(xiàn)我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關(guān)斷MOSFET。對我來說非常重要的是，當(dāng)
2018-08-23 10:30:01
各位大神，可否用IR2113 驅(qū)動共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
目前想設(shè)計一個關(guān)于MOSFET的DG極驅(qū)動方案，存在問題為MOSFET可以正常開通，但無法關(guān)斷，帶負(fù)載時GS極始終存在4V電壓無法關(guān)斷MOSFET 。
電路圖如下：
空載時，GS極兩端電壓：
是可以
2023-12-17 11:22:00
如附件圖片，請問下圖中的三極管起到什么作用主要是
2017-07-13 14:06:14
圖中右面是比較常見的電流串聯(lián)負(fù)反饋放大電路做成的電流源 左面也是，但是對于這個三極管的具體作用，樓主不太清楚，以及發(fā)光二極管并聯(lián)電容的作用是什么
2018-11-02 09:28:21
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
極)及D(漏極)，如圖1d所示。從圖1中可以看出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的，D與S之間有兩個PN結(jié)。一般情況下，襯底與源極在內(nèi)部連接在一起。圖1是N溝道增強型場效應(yīng)管(MOSFET)的基本結(jié)構(gòu)圖
2011-12-19 16:52:35
轉(zhuǎn)換器拓?fù)鋱D，其中Cgs、Cgd和 Cds分別為開關(guān)管MOSFET的柵源極、柵漏極和漏源極的雜散電容，Lp、Lkp、Lks和Cp分別為變壓器的初級電感、初級電感的漏感、次級電感的漏感和原邊線圈的雜散
2018-10-10 20:44:59
同步源和PLL源有什么異同？作用是什么？
2021-05-07 06:17:21
復(fù)合三極管有什么作用？主要運用于什么電路呢？
2023-04-28 15:41:48
轉(zhuǎn)換器，以及作為續(xù)流二極管和極性保護二極管使用。國內(nèi)大小電流肖特基二極管的主要作用是整流、檢波、續(xù)流、保護等。賽特微電子所生產(chǎn)研發(fā)的小電流肖特基二極管大部分屬于貼片系列，體積小、效率高、低損耗、腳位平直
2020-08-28 17:12:29
本文將介紹使用源-測量單元測量二極管的泄漏電流以及MOSFET的亞閾區(qū)電流（sub-thresh old current）。
2021-04-14 06:56:04
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實現(xiàn)，見圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
封裝MOSFET等效模型和寄生電感 參照小節(jié)A中討論的關(guān)斷瞬態(tài)順序，源極電感LS主要在瞬態(tài)階段3影響到MOSFET開關(guān)特性。柵極驅(qū)動路徑顯示為紅色，漏電流在藍色環(huán)路上流動?？焖匐娏魉矐B(tài)過程中，LS
2018-10-08 15:19:33
開關(guān)電源中的mos管源極加個小磁環(huán)有什么作用？
2023-05-09 14:58:23
重要了。一個好的MOSFET驅(qū)動電路有以下幾點要求：（1）開關(guān)管開通瞬時，驅(qū)動電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。（2
2017-01-09 18:00:06
通；P溝道MOSFET通過施加給定的負(fù)的柵-源極電壓導(dǎo)通。MOSFET的柵控決定了它們在SMPS轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用。例如，N溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側(cè)開關(guān)，特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離
2021-04-09 09:20:10
康華光主編的模電中講到N型的增強型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時候，而增強型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
你好，我打算使用FQD7P20TMCT-ND和FDD7N20TMCT-ND。為了驅(qū)動這些MOSFET，我正在使用MD1822K6-GCT-ND。我的問題是我需要在門到源之間安裝二極管和電阻，如下
2018-10-26 14:46:14
柵極與源極之間加一個電阻，這個電阻起到什么作用？一是為場效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
參考。 其它措施 考慮到驅(qū)動信號振蕩主要出現(xiàn)在橋臂一側(cè)MOSFET的關(guān)斷階段，即柵源極為零電位時，由PNP三極管的工作原理，在驅(qū)動芯片與驅(qū)動電阻之間外接PNP三極管，當(dāng)驅(qū)動芯片提供高電平時，三極管不導(dǎo)
2018-08-27 16:00:08
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
勒電荷（Qgd）影響器件開關(guān)損耗,并決定著消除Cdv/dt打開的開關(guān)能力,它的存在使效率大大降低,并有可能毀壞MOSFET。 NexFET技術(shù)改進的主要作用是它具有更低和更平的功率損耗-頻率曲線
2012-12-06 14:32:55
℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。功率MOSFET的耐壓由結(jié)構(gòu)中低摻雜層的外延層epi厚度N-決定。功率MOSFET的N+源極和P-體區(qū)形成的結(jié)
2023-02-20 17:21:32
主要參數(shù)包括:漏源擊穿電壓Udss(1000V以下)，漏極連續(xù)電流額定值Id和漏極脈沖峰值Idm，漏源通態(tài)電阻Rds，柵源電壓Ugs，跨導(dǎo)Gfs,極間電容。
2019-04-27 12:21:31
Q：為什么二極管在交流源和直流源同時作用下可以等效成一個動態(tài)電阻？我們看這個電路。對于這樣一個電路我們怎么分析？首先看直流源的作用是什么？在看交流源的作用是什么？于是我們從伏安特性中可以看到。Q點
2022-01-03 07:45:54
TL431的主要作用是使得電路獲得更穩(wěn)定的電壓，TL431是一種較為精密的可控穩(wěn)壓源，有著較為特殊的動態(tài)阻抗。其動態(tài)響應(yīng)速度快，輸出噪聲低，價格低廉。注意上述一句話概括，就是便宜，精密可控穩(wěn)壓源TL431。
2019-05-24 07:49:44
認(rèn)作業(yè)應(yīng)該有所幫助。因而，最終選定MOSFET。到此，至于柵極驅(qū)動調(diào)整電路和電流檢測電阻將在“主要部件的選定－MOSFET相關(guān) 其2”中說明。關(guān)鍵要點:?選定開關(guān)晶體管（MOSFET）主要考量漏極－源
2018-11-27 16:58:28
管。作為注意事項，由于脈沖電流會流過R5，因此請確認(rèn)使用的電阻能承受脈沖電流。電流檢測電阻 R8和MOSFET源極相接的電阻中，源極端和電源IC的CS引腳相接，另一端則是和GND相接。MOSFET OFF
2018-11-27 16:58:07
半導(dǎo)體連接。這種MOSFET中使用的襯底是P型半導(dǎo)體，電子是這種MOSFET中的主要電荷載流子。其中，源極和漏極被重?fù)诫s。N溝道耗盡型MOSFET結(jié)構(gòu)與增強型N溝道MOSFET結(jié)構(gòu)相同，只是其工作方式
2022-09-13 08:00:00
運放正負(fù)12伏供電，運放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運放反饋端，我想把運放個mosfet進行隔離，求方案。求器件。整個原理其實就是運放控制mosfet實現(xiàn)電流源。
2018-08-02 08:55:51
兩層電源板，板子設(shè)計中有4個MOSFET管串聯(lián)，由于只有兩層，四個MOSFET管的3個源級要過大電流，所以用銅連接在一起；四個MOSFET管柵極串聯(lián)的線走在器件源級和漏極之間（請看圖片），不知道這樣的柵極走線會不會受影響？
2018-07-24 16:19:28
（即施加到柵極的電壓相對于施加到源極的電壓）達到某個特定值（稱為閾值電壓）以上，MOSFET才會傳導(dǎo)大量電流。您需要確保FET的閾值電壓低于驅(qū)動電路的輸出電壓。像通常的物理現(xiàn)象一樣，MOSFET的導(dǎo)
2019-10-25 09:40:30
N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總是
2011-08-17 14:18:59
請您介紹一下驅(qū)動器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先，能否請您對使用了驅(qū)動器源極引腳的電路及其工作進行說明？Figure 4是具有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動電路示例。它與以往驅(qū)動電路
2020-07-01 13:52:06
發(fā)生振蕩而誤導(dǎo)通。同時它還可以作為功率MOSFET關(guān)斷時的能量泄放回路。該驅(qū)動電路的導(dǎo)通速度主要與被驅(qū)動的S2柵極、源極等效輸入電容的大小、S1的驅(qū)動信號的速度以及S1所能提供的電流大小有關(guān)。由仿真
2023-02-27 11:52:38
1中的t1），源極電壓（VGS）正接近MOSFET的閾值電壓，VTH和漏電流為零。因此，在此期間的功率損耗為零。在t2時段，MOSFET的寄生輸入電容（CISS）開始充電，而漏極電流開始流經(jīng)
2022-11-16 08:00:15
Figure 4 是具有驅(qū)動器源極引腳的 MOSFET 的驅(qū)動電路示例。它與以往驅(qū)動電路（Figure 2）之間的區(qū)別只在于驅(qū)動電路的返回線是連接到驅(qū)動器源極引腳這點。從電路圖中可以一目了然地看出
2020-11-10 06:00:00
在本文中，我們將通過雙脈沖測試來確認(rèn)驅(qū)動器源極引腳的效果。驅(qū)動器源極引腳的效果：雙脈沖測試比較為了比較沒有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET和有驅(qū)動源極引腳的MOSFET的實際開關(guān)工作情況，我們按照右圖
2022-06-17 16:06:12
MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導(dǎo)類型晶體管。與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓，以及更低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應(yīng)用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個主要的作用： 1. 電源開關(guān)
2023-12-21 11:27:13686
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