德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款集成型七通道繼電器驅(qū)動(dòng)器(relay driver)，可支持最低 1.8V 到最高 5V 的低電壓繼電器。
2012-08-30 16:28:52
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日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 德州儀器 （TI） 宣布推出兩款三相位無刷 DC （BLDC） 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，幫助設(shè)計(jì)人員在幾分鐘內(nèi)啟動(dòng)電機(jī)，這兩款器件還支持最低工作電壓與待機(jī)電流，將功耗銳降達(dá) 75%。
2013-02-27 10:08:191469 
日前，德州儀器 （TI） 宣布推出三款最新 DC/DC LED 驅(qū)動(dòng)器，其可在專業(yè)級(jí)室內(nèi)外 LED 照明應(yīng)用中為高色彩渲染及超低調(diào)光簡(jiǎn)化白色調(diào)節(jié)。TPS92660 兩串 LED 驅(qū)動(dòng)器
2013-05-07 09:52:531109 日前，德州儀器（TI）宣布推出一款集成式柵極驅(qū)動(dòng)器，該器件提供了可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)置，可在更為寬泛的范圍內(nèi)，靈活的驅(qū)動(dòng)外部場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），從而支持多種電機(jī)，以
2015-07-06 14:35:111971 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:111114 德州儀器日前宣布，胡煜華（Sandy Hu）女士當(dāng)選為德州儀器公司副總裁，并繼續(xù)擔(dān)任德州儀器中國區(qū)總裁。
2018-08-17 11:38:278887 英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器、 電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動(dòng)器以及非隔離低邊驅(qū)動(dòng)器，從而滿足各種功率半導(dǎo)體技術(shù)和功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)要求。
2019-01-29 09:58:3227184 
大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的文檔，雖然比較基礎(chǔ)，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者，總體內(nèi)容如下。
2022-11-25 09:20:301195 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二，模擬芯片巨頭德州儀器（TI）公布了2023年第四季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，隨著汽車芯片庫存增加，且汽車行業(yè)需求初步顯露疲弱跡象，德州儀器上一季度財(cái)報(bào)表
2024-01-25 09:03:225709 
日前，德州儀器 (TI) 在歐洲照明技術(shù)策略大會(huì) (the Strategies in Light Europe conference) 上宣布推出兩款高度集成的相位可調(diào)光 AC/DC LED 照明驅(qū)動(dòng)器 LM3448 與 TPS92070
2011-10-20 09:30:061247 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步壯大其 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣營。
2012-01-10 09:11:321862 。設(shè)計(jì)人員可以使用ADI公司，飛兆半導(dǎo)體公司，凌力爾特公司，德州儀器公司等公司的柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高效的全橋和半橋功率級(jí)。
2019-01-23 08:23:004168 
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
德州儀器(TI)模擬開關(guān)資料
2012-12-20 13:20:28
德州儀器dsp芯片，在汽車電子的高級(jí)輔助駕駛系統(tǒng)ADAS中，有一項(xiàng)被稱為環(huán)視系統(tǒng)的ECU，可以大大增加車輛的智能性和安全性，目前在這方面德州儀器有支持具有各種分辨率的低延遲汽車環(huán)視解決方案。加之他們
2021-07-28 08:30:22
Arduino開源項(xiàng)目自2005年實(shí)施以后人氣越來越旺盛.它可以制作小至環(huán)境傳感器大至機(jī)器人的各種設(shè)備.現(xiàn)在Arduino即將變得更為強(qiáng)大,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">德州儀器即將向它提供支持.這家美國科技巨頭宣布與源自
2013-10-07 23:03:05
德州儀器推薦使用的元器件
2013-09-03 21:18:24
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度提供適當(dāng)柵極電壓的問題通過柵極驅(qū)動(dòng)器來解決，柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行電平轉(zhuǎn)換任務(wù)。不過，柵極電容無法瞬間改變其電壓。因此，功率FET或IGBT具有非零的有限切換間隔時(shí)間。在切換期間，器件
2021-07-09 07:00:00
為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案選項(xiàng)最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
2021-03-08 07:53:35
Imagination全新BXS GPU助力德州儀器汽車處理器系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)先進(jìn)圖形處理功能
2020-12-16 07:04:43
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
`PE29100集成了高速驅(qū)動(dòng)器，旨在控制外部功率器件的柵極，例如增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?）FET。PE29100的輸出能夠提供亞納秒范圍內(nèi)的開關(guān)轉(zhuǎn)換速度，適用于高達(dá)33 MHz的硬開關(guān)應(yīng)用。較高
2021-03-26 16:34:53
Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。這些驅(qū)動(dòng)器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動(dòng)器芯片
2021-01-22 06:45:02
IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 – ISO5852s，工作電壓隔離為 1.5kVrms，最小 CMTI 為 50 kV/μs整合了針對(duì)過流和誤開啟的保護(hù)功能，采用：DESAT 檢測(cè)軟關(guān)斷有源米勒鉗位滿足
2018-12-27 11:41:40
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56
驅(qū)動(dòng)半橋配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT 在柵極驅(qū)動(dòng)器級(jí)（驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度不足）以及系統(tǒng)級(jí)均會(huì)帶來挑戰(zhàn)：難以在兩個(gè) IGBT 中保持相等電流分布的同時(shí)確保更快的導(dǎo)通和關(guān)斷。此參考設(shè)計(jì)使用增強(qiáng)型隔離式
2018-12-07 14:05:13
現(xiàn)貨NXP: BLF7G20LS-250P,Freescale: P408ESSE1PNB, Xilinx : XC7K160T-2FFG676ITI(德州儀器） ： ADS58C23IPFP
2013-05-11 22:02:18
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。” 了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實(shí)現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
過。另據(jù)報(bào)道，與基于IGBT的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器相比，使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和傳統(tǒng)的柵極驅(qū)動(dòng)器可以帶來更高的效率［3］。在驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中使用 SiC-MOSFET 的優(yōu)勢(shì)可以通過 CSD
2023-02-21 16:36:47
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)”
2022-10-25 17:20:12
德州儀器，IGBT最大做到多少功率，官網(wǎng)看到那些都是很小電流的
2019-04-01 14:46:49
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
用作功率放大器和電平轉(zhuǎn)換器。柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度：提供適當(dāng)柵極電壓的問題通過柵極驅(qū)動(dòng)器來解決，柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行電平轉(zhuǎn)換任務(wù)。不過，柵極電容無法瞬間改變其電壓。因此，功率FET或IGBT具有非零的有限切換間隔時(shí)間
2018-11-01 11:35:35
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
飛兆半導(dǎo)體推業(yè)界領(lǐng)先的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2016-06-22 18:22:01
新年伊始，設(shè)計(jì)師們似乎在永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅(qū)動(dòng)器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)
2023-05-11 20:38:23
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或 S
2023-05-11 20:45:39
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或
2023-05-12 12:26:54
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或 SiC MOS
2023-05-12 14:20:38
IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT 應(yīng)用中的關(guān)鍵問題。本文闡明構(gòu)成IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)電路的注意事項(xiàng)，基本電路參數(shù)的選擇原則，還介紹丁幾種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例。
2010-08-31 16:33:41
213 德州儀器推出全新8通道高壓雙極DAC系列滿足低功耗應(yīng)用需求
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 6 款最新數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)，其可提供 12、14 以及 16 位版本，并采用 SPI 或并行
2009-12-14 08:41:19662 德州儀器 (TI) 宣布推出一款帶 4 通道分組式延遲的串行控制 16 通道恒流LED 驅(qū)動(dòng)器，TLC59282 可通過對(duì) LED 輸出開關(guān)進(jìn)行擺動(dòng)處理來最大限度降低同步開關(guān)噪聲
2011-02-18 09:13:00877 日前，德州儀器(TI)宣布推出一款帶4通道分組式延遲的串行控制16通道恒流LED驅(qū)動(dòng)器TLC59282，可顯著簡(jiǎn)化視頻顯示、留言板、娛樂照明和LED指示燈等LED顯示應(yīng)用的設(shè)計(jì)工作
2011-03-28 09:06:441585 德州儀器 (TI)日前推出一款帶 4 通道分組式延遲的串行控制 16 通道恒流LED 驅(qū)動(dòng)器 TLC59282，該器件的最大特點(diǎn)是，分組式通道延遲(4通道一組)可最大限度地降低同步開關(guān)噪聲
2011-03-31 10:35:101365 德州儀器 (TI) 宣布面向氣囊部署推出TPIC71004-Q1四通道氣囊爆管驅(qū)動(dòng)器，從而可提供具有高可靠性與低成本優(yōu)勢(shì)的優(yōu)化集成型標(biāo)準(zhǔn)器件。
2011-05-13 08:43:311106 德州儀器(TI)宣布面向移動(dòng)消費(fèi)類及工業(yè)設(shè)計(jì)推出業(yè)界最高集成度的壓電式觸覺驅(qū)動(dòng)器。
2011-07-22 14:46:16992 德州儀器 (TI) 宣布推出具有業(yè)界最高性能-功耗比的最新單雙通道模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步壯大了其通用型低功耗軌至軌輸出運(yùn)算放大器的產(chǎn)品陣營。與類似解決方案相比，該 O
2011-11-15 10:58:271031 德州儀器(TI)是全球領(lǐng)先的數(shù)字信號(hào)處理與模擬技術(shù)半導(dǎo)體供應(yīng)商，德州儀器(TI)亦是推動(dòng)因特網(wǎng)時(shí)代不斷發(fā)展的半導(dǎo)體引擎。
2011-12-12 16:25:041513 LED 參考設(shè)計(jì)指南是您重要的參考工具書，能夠充分滿足您的各種照明設(shè)計(jì)需求。希望獲得全新低成本創(chuàng)新型 LED 照明解決方案的客戶可充分受益于德州儀器(TI) 種類繁多的產(chǎn)品系列，如
2011-12-30 15:41:320 德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。
2012-02-11 09:59:081435 
德州儀器 (TI) 宣布推出全差動(dòng)模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 驅(qū)動(dòng)器，比同類器件性能功耗比提高 8 倍以上，重新定義了低功耗放大器市場(chǎng)。
2012-03-31 08:56:04668 日前，德州儀器（TI） 宣布推出全差動(dòng)模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC） 驅(qū)動(dòng)器，比同類器件性能功耗比提高8 倍以上，重新定義了低功耗放大器市場(chǎng)。THS4531 全差動(dòng)放大器靜態(tài)電流僅為250 uA，帶寬
2012-04-05 09:03:02823 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款面向有刷 DC 及步進(jìn)電機(jī)的最新低電壓器件，進(jìn)一步壯大其不斷豐富的高集成 DRV8x 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣營
2012-04-18 13:58:58931 
日前，德州儀器 （TI） 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動(dòng)電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 （GaN） 器件等
2012-04-23 16:48:00952 德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動(dòng)電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2012-04-24 09:56:411411 
本內(nèi)容介紹了德州儀器（TI）的流量計(jì)解決方案，TI可提供用于激勵(lì)磁場(chǎng)線圈的PWM驅(qū)動(dòng)器和高壓輸出DAC
2012-12-03 16:34:051614 德州儀器，個(gè)人收集整理了很久的資料，大家根據(jù)自己情況，有選擇性的下載吧~
2015-10-27 14:04:020 近日，德州儀器（TI）推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器可提供先進(jìn)的電源保護(hù)和控制。
2016-02-22 11:22:431166 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx 3kVRMS
2017-12-25 11:13:000 德州儀器 （TI） 推出的業(yè)界最低功耗 6 核 DSP，該款 TMS320C6472 器件旨在滿足要求極低功耗的處理密集型應(yīng)用的需求。
2020-12-02 12:59:001337 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 本手冊(cè)概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評(píng)估板處于良好狀態(tài)。
2021-06-23 10:45:213354 
德州儀器（TI）當(dāng)?shù)刂苋?1日）公布第三季度猜測(cè)，營收略低于分析師預(yù)期，引發(fā)投資人擔(dān)心疫情引起的芯片需求激增即將觸頂。德州儀器已有多季收入交出兩位數(shù)增長的佳績，此次第三季度預(yù)測(cè)低于預(yù)期，引發(fā)的推測(cè)
2021-07-25 17:26:11548 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-15 14:23:261103 
STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 
隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動(dòng)器。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器通過提供對(duì) IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:001509 
聚焦儲(chǔ)能新需求，德州儀器芯科技助力中國新基建
2022-10-28 12:00:150 德州儀器汽車應(yīng)用參考設(shè)計(jì)精選
2022-11-07 08:07:241 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心。這些系統(tǒng)利用許多門控半導(dǎo)體器件，如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關(guān)模式電源（SMPS）、通用電源（UPS）和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的開關(guān)元件。電力電子的現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展通常跟隨功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
2023-04-04 10:23:45547 所有類型的電動(dòng)汽車（EV）的高功率、高電壓要求，包括電動(dòng)公交車和其他電子交通電源系統(tǒng)，需要更高的碳化硅（SiC）技術(shù)來取代舊的硅FET和IGBT。安全高效地驅(qū)動(dòng)這些更高效的SiC器件可以使用數(shù)字而不是模擬柵極驅(qū)動(dòng)器來實(shí)現(xiàn)，許多非汽車或非車輛應(yīng)用將受益。
2023-05-06 09:38:501693 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 德州儀器 (TI) 今日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時(shí)縮小交流/直流消費(fèi)類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺寸。德州儀器的 GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET
2023-12-01 12:16:04796 報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
必易微新推出的柵極驅(qū)動(dòng)器 KP85402，專為家用電器和工業(yè)新能源等應(yīng)用場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品旨在為客戶提供一個(gè)高可靠性、低成本的解決方案，以滿足各種柵極驅(qū)動(dòng)需求。
2024-01-08 15:33:25390 融合和決策能力，可以實(shí)現(xiàn)更高水平的自主性。德州儀器的新款驅(qū)動(dòng)器芯片 DRV3946-Q1 集成式接觸器驅(qū)動(dòng)器和 DRV3901-Q1 集成式熱熔絲爆管驅(qū)動(dòng)器可支持軟件編程，能夠提供內(nèi)置診斷功能并支持功能
2024-01-09 12:15:48505 
德州儀器 (TI) 今日在2024年國際消費(fèi)類電子產(chǎn)品展覽會(huì) (CES) 上，發(fā)布了其新款半導(dǎo)體產(chǎn)品，旨在提升汽車的安全性和智能性。這些新產(chǎn)品包括AWR2544 77GHz毫米波雷達(dá)傳感器芯片和兩款驅(qū)動(dòng)器芯片，它們都采用了尖端技術(shù)，以滿足汽車行業(yè)日益增長的需求。
2024-01-09 14:04:14289 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于SiC/IGBT器件和汽車應(yīng)用的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器UCC5350-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:17:510
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