不得不知的高效率、高調(diào)光比LED恒流驅動電路設計

　　摘要： 文中提出了一種寬電壓輸入、高效率、高調(diào)光比LED恒流驅動電路。在遲滯電流控制模式下， 該電路具有結構簡單、動態(tài)響應快、不需要補償電路等優(yōu)點。通過外部引腳， 可以方便的進行LED開關、模擬調(diào)光和PWM調(diào)光。LED恒流驅動電路基于CSMC的1 μm 40 VCDMOS工藝， 采用HSPICE進行仿真驗證， 結果表明在8～30 V輸入電壓范圍內(nèi)， 電路輸出電流最大可達1.2 A， 輸出電流精度可控制在5.5%以內(nèi)， 電源效率可高達97%。

　　0 引言

　　隨著LED技術的發(fā)展， 大功率LED在燈光裝飾和照明等領域得到了普遍的使用， 同時功率型LED驅動芯片也顯得越來越重要。由于LED的亮度輸出與通過LED的電流成正比， 為了保證各個LED亮度、色度的一致性， 有必要設計一款恒流驅動器， 使LED電流的大小盡可能一致。

　　基于LED發(fā)光特性， 本文設計了一種寬電壓輸入、大電流、高調(diào)光比LED恒流驅動芯片。該芯片采用遲滯電流控制模式， 可以用于驅動一顆或多顆串聯(lián)LED。在6V~30V的寬輸入電壓范圍內(nèi)， 通過對高端電流的采樣來設置LED平均電流， 芯片輸出電流精度控制在5.5%， 同時芯片可通過DIM引腳實現(xiàn)模擬調(diào)光和PWM調(diào)光， 優(yōu)化后的芯片響應速度可使芯片達到很高的調(diào)光比。

　　本文首先對整體電路進行了分析， 接著介紹各個重要子模塊的設計， 最后給出了芯片的整體仿真波形、版圖和結論。

　　1 電路系統(tǒng)原理

　　圖1是芯片整體架構以及典型應用電路圖。

　　該電路包括帶隙基準、電壓調(diào)整器、高端電流采樣、遲滯比較器、功率管M1、PWM和模擬調(diào)光等模塊。此外該芯片還內(nèi)置欠壓和過溫保護電路， 從而能在各種不利的條件下， 有效的保證系統(tǒng)能夠穩(wěn)定的工作。

　　圖1 芯片整體等效架構圖

　　從圖1中可以看到電感L、電流采樣電阻RS、續(xù)流二極管D1形成了一個自振蕩的連續(xù)電感電流模式的恒流LED控制器。該芯片采用遲滯電流控制模式， 因為LED驅動電流的變化就反應在RS兩端的壓差變化上， 所以在電路正常工作時， 通過采樣電阻RS采樣LED中的電流并將其轉化成一定比例的采樣電壓VCS， 然后VCS進入滯環(huán)比較器，通過與BIAS模塊產(chǎn)生的偏置電壓進行比較， 產(chǎn)生PWM控制信號， 再經(jīng)柵驅動電路從而控制功率開關管的導通與關斷。

　　下面具體分析電路的工作原理。首先芯片在設計時會內(nèi)設兩個電流閾值IMAX和IMIN。當電源 VIN上電時， 電感L和電流采樣電阻RS的初始電流為零， LED電流也為零。這時候， CS_COMP遲滯比較器的輸出為高， 內(nèi)置功率NMOS開關管M1導通， SW端的電位為低， 流過LED的電流開始上升。電流通過電感L、電流采樣電阻RS、LED和內(nèi)部功率開關從VIN流到地， 此時電流上升斜率由VIN、電感（L）、LED壓降決定。當LED電流增大到預設值IMAX時， CS_COMP遲滯比較器的輸出為低， 此時功率開關管M1關閉， 由于電感電流的連續(xù)性， 此時電流以另一個下降斜率流過電感（L）、電流采樣電阻（RS）、LED和續(xù)流肖特基二極管（D1）， 當電流下降到另外一個預定值IMIN時，功率開關重新打開， 電源為電感L充電， LED電流又開始增大， 當電流增大到IMAX時， 控制電路關斷功率管， 重復上一個周期的動作， 這樣就完成了對LED電流的滯環(huán)控制， 使得LED的平均電流恒定不變。

　　從以上分析可知， LED的平均驅動電流是由內(nèi)設的閾值IMAX和IMIN決定， 因而不存在類似于峰值電流控制模式的反饋回路。所以與峰值電流控制模式相比， 滯環(huán)電流控制模式具有自穩(wěn)定性，不需要補償電路， 另外峰值電流檢測模式動態(tài)響應調(diào)節(jié)一般需要幾個周期的時間， 而滯環(huán)電流控制至多一個周期就可以穩(wěn)定系統(tǒng)的動態(tài)響應， 所以滯環(huán)電流控制的動態(tài)響應更加迅速。當然滯環(huán)電流控制模式存在著輸出紋波較大， 變頻控制容易產(chǎn)生變頻噪聲等缺點， 但是在大功率LED照明驅動應用中， 一定的紋波變化和開關頻率變化不會對LED的整體照明性能產(chǎn)生較大影響。

　　2 電路子模塊設計

　　2.1 帶隙基準（Bandgap）

　　圖2為采用共源共柵電流鏡， 可以改善電源抑制和初始精度的CMOS自偏置基準電路。其中，R1和PH4組成啟動電路， 當電源上電時， 若電路出現(xiàn)零電流狀態(tài)， 此時VA為低， MOS管PH4開啟， 并向基準核心電路中注入電流， 使得基準電路擺脫零簡并偏置點， 當電路正常工作時， 通過合理的設置P7和P8的寬長比， 使它們都處于深線性區(qū)， 由于R2和R3阻值很大， 此時VA的大小接近輸入電壓， MOS管PH4關斷， 啟動結束。此外，由于VA的電壓接近電源電壓， 通過電阻R2和R3的分壓后， 電壓VB就能表征電源電壓， 從而在電源電壓低于設定值時， 輸出欠壓信號， 關斷功率管， 起到欠壓保護的功能。

　　圖2 帶隙基準電壓源電路圖

　　由于基準電路的輸入電壓最高可達到30V，而普通MOS管漏源和柵耐壓為5V。而且為了使電流鏡像更加匹配， P1、P2、P5、P7必須使用普通的MOS管。所以， 為了防止管子在高壓時被擊穿， 需在這些管子的漏源之間加入柵漏短接的厚柵氧MOS管作為保護管， 即PH1、PH2、PH3。

　　2.2 遲滯比較器（CS_COMP）

　　圖3為遲滯比較器等效電路圖， 其中VTH_H和VTH_L為BIAS模塊提供的偏置基準電壓， 而CS為電流采樣模塊提供的采樣電壓。電流采樣和遲滯比較器模塊是組成該芯片的核心模塊， 通過這兩個模塊就可以很好的實現(xiàn)滯環(huán)電流控制。

　　圖3 遲滯比較器等效電路圖

　　電路工作時， 高端電流采樣模塊采樣輸出電流， 并按一定比例轉化成采樣電壓CS， 當CS電壓大于VTH_H時， P_OFF為高， P_ON為低， M1關M2開啟， 此時COMP1_G負端輸入VTH_L，并且此時由于P_ON為低， 功率管關斷， LED電流開始減小， 采樣電壓也開始減小。當CS電壓小于VTH_L時， P_OFF為低， P_ON為高， M1開啟，M2關斷， COMP_G負端輸入VTH_H， 此時P_ON為高， 功率管開啟， LED電流開始增大， 采樣電壓也開始增大。當CS電壓大于VTH_H時， 遲滯比較器模塊將重復上一個周期的動作。這樣通過遲滯比較器就能產(chǎn)生一定占空比的方波來控制功率開關管關與斷， 從而有效控制外部LED的電流大小。

　　此外， 高端電流采樣和遲滯比較器模塊需要有較高的單位增益帶寬GBW， 從而提高電流采樣和遲滯比較的速度， 這樣就可以減少電路延遲，提高芯片的響應速度， 同時也提高了芯片輸出電流精度。