化開啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門，其批量生產(chǎn)水平的成本結構非常低，與LDMOS相當，遠低于碳化硅基氮化鎵。與此同時，對于高功率射頻應用，氮化鎵的用例已經(jīng)擴展到分立晶體管以外。 隨著氮化鎵向
2019-07-31 07:47:23
描述300W RMS 功率放大器 - 2SC3858 和 2SA1494 晶體管該功放具有出色的音質，使用四個輸出功率晶體管， 在4歐姆 負載下 達到300W RMS的聲功率，采用對稱電源供電。您可
2022-07-01 06:08:14
300W音頻功放電路圖，選用MJL4281A（NPN）和MJL4302A（PNP），具有高帶寬，良好的SOA（安全工作區(qū)），高線性和高增益。驅動晶體管選用MJE15034（NPN）和MJE15035
2017-07-27 17:18:29
MACOM六十多年的技術傳承，運用bipolar、MOSFET和GaN技術，提供標準和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
) 2017上展示其業(yè)界領先的硅基氮化鎵產(chǎn)品組合和其他高性能MMIC和二極管產(chǎn)品。 MACOM展位將展示專為商業(yè)、工業(yè)、科學和醫(yī)療射頻應用而優(yōu)化的全新產(chǎn)品解決方案。敬請蒞臨1312＃展位，與MACOM
2017-05-18 18:12:54
，可幫助系統(tǒng)設計人員簡化和加快產(chǎn)品開發(fā)，使其能夠輕松微調射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢與直觀、靈活的軟件和信號控制能力相結合
2017-08-03 10:11:14
的單端晶體管、雙端晶體管以及在對稱和不對稱架構下峰值功率均可高達700W的單封裝Doherty器件。這些器件的物理尺寸與性能較低的LDMOS器件和性能相當?shù)奶蓟杌?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵器件尺寸相同。MACOM氮化
2017-08-30 10:51:37
MAGe-1002425-300W器件是一款硅基氮化鎵器件，工作電壓為50V，連續(xù)波工作功率為300W時效率可達70%。此器件基于TO-272-4塑料封裝，這是一種極具成本效益的耐熱增強型封裝。我們
2017-09-06 14:44:16
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經(jīng)驗豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
（GaN）那么，問題來了，怎么解決高昂的價格？首先，先了解下什么是硅基氮化鎵，與硅器件相比，由于氮化鎵的晶體具備更強的化學鍵，因此它可以承受比硅器件高出很多倍的電場而不會崩潰。這意味我們可以把晶體管
2017-07-18 16:38:20
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器方面的優(yōu)勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉換器是業(yè)內隔離式
2023-02-27 09:37:29
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關設備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優(yōu)勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
、Mcdodo麥多多45W氮化鎵1A1C充電器49、Mcdodo麥多多65W氮化鎵2C充電器50、NVIDIA英偉達300W氮化鎵充電器51、PINEN品勝65W氮化鎵充電器52、RAVPower
2020-03-18 22:34:23
。憑借高達 300W 的功率輸出能力和堅固的塑料封裝，第四代氮化鎵功率晶體管無疑已成為具有高成本效益的可信賴解決方案?！袌龅闹笖?shù)級增長——————在短期內，無線基站市場將繼續(xù)推動氮化鎵市場
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
應對能力以及供應鏈的靈活性和固有可靠性。作為新一代無線基礎設施獨一無二的出色半導體技術，硅基氮化鎵有望以LDMOS成本結構實現(xiàn)優(yōu)異的氮化鎵性能，并且具備支持大規(guī)模需求的商業(yè)制造擴展能力。 MACOM
2018-08-17 09:49:42
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內取代功率應用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據(jù)處理應用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
AM81214-030晶體管產(chǎn)品介紹AM81214-030報價AM81214-030代理AM81214-030咨詢熱線AM81214-030現(xiàn)貨,王先生深圳市首質誠科技有限公司ASI為UHF，航空
2018-07-17 15:08:03
` 本帖最后由 射頻技術 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應用中。 數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應用中。 數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
產(chǎn)品采用符合RoHS的SMD封裝提供。功能 內部匹配的GAN功率晶體管射頻帶寬（GHz）最小值-最大值 2.7-3.4功率（W） 65歲PAE（％） 55封裝 QFN塑料包裝CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
DU2840S射頻晶體管產(chǎn)品介紹DU2840S報價DU2840S代理DU2840S咨詢熱線DU2840S現(xiàn)貨, 深圳市首質誠科技有限公司, MACOM公司的開關和衰減器專用PIN二極管具有支持1
2018-08-09 10:16:17
DU2880V射頻晶體管產(chǎn)品介紹DU2880V報價DU2880V代理DU2880V咨詢熱線DU2880V現(xiàn)貨,王先生15989509955 深圳市首質誠科技有限公司, MACOM公司的開關和衰減器
2018-08-08 11:48:47
` 本帖最后由 330538935 于 2018-5-25 17:14 編輯
FHX45X 砷化鎵功率管產(chǎn)品介紹FHX45X詢價熱FHX45X現(xiàn)貨王先生 深圳市首質誠科技有限FHX45X是超高
2018-05-25 17:03:59
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下，所有設備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產(chǎn)品型號
2019-05-14 11:00:13
650W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
所需的功率模塊和各種控制單元模塊。與功率MOS場效應晶體管相比，驅動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉換速率帶來的電流變化率和電壓變化率
2018-11-05 09:51:35
，可提供至少250 W的峰值輸出功率，通常具有> 24 dB的增益和75％的效率。它通過50 V電源電壓工作。 為了獲得最佳的熱效率，該晶體管封裝在帶有環(huán)氧密封陶瓷蓋的金屬基封裝中。特征
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術40W輸出功率AB類操作預先匹配的內部阻抗經(jīng)過100％大功率射頻測試負柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120IGT2731L120現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司,Integra Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA
2018-11-12 10:26:20
15989509955 深圳市首質誠科技有限公司MAPRST0912-50一個射頻功率晶體管。這些高功率晶體管是理想的航空電子，通信，雷達，以及工業(yè)，科學和醫(yī)療應用。優(yōu)勢產(chǎn)品:MACOM放大器/QORVO放大器濾波器
2018-08-09 09:57:23
商業(yè)和軍事應用的頻率為175兆赫。該裝置的高功率、高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻帶的固態(tài)發(fā)射機成為可能。產(chǎn)品型號：MRF151G產(chǎn)品名稱：射頻晶體管MRF151G產(chǎn)品特性保證性能在175兆赫
2018-08-08 11:32:03
MRF154射頻晶體管產(chǎn)品介紹MRF154報價MRF154代理MRF154咨詢熱線MRF154現(xiàn)貨,王先生15989509955 深圳市首質誠科技有限公司, MRF154主要用于2至100 MHz
2018-08-07 17:17:34
NPA1003QA射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPA1003QA報價NPA1003QA代理NPA1003QA咨詢熱線NPA1003QA現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質誠科技有限公司, MACOM公司的開關
2018-09-03 12:04:40
NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報價NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質誠科技有限公司, MACOM公司的開關和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產(chǎn)品型號：NPT25100P產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPT25100P產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化和其他應用從2100至
2018-09-26 08:54:30
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產(chǎn)品型號：NPTB00004D產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPTB00004D產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化從DC到
2018-09-26 09:31:14
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產(chǎn)品型號：NPTB00004D產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPTB00004D產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化從DC到
2018-09-26 09:31:14
和醫(yī)療應用。我們的產(chǎn)品組合利用了MACOM超過60年的傳統(tǒng)，即使用GaN-on-Si技術提供標準和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的硅基氮化鎵產(chǎn)品采用0.5微米HEMT工藝制成分立晶體管和集成
2019-11-01 10:46:19
`PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管產(chǎn)品介紹PH1214-220M現(xiàn)貨PH1214-220M中國代理PH1214-220M原廠直供PH1214-220M詢價熱線王先生 深圳市首質誠科技有限公司
2018-05-21 15:49:50
PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管產(chǎn)品介紹PH1214-220M現(xiàn)貨PH1214-220M中國代理PH1214-220M原廠直供PH1214-220M詢價熱線王先生 深圳市首質誠科技有限公司
2018-07-13 14:16:37
`PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管產(chǎn)品介紹PH1214-220M現(xiàn)貨PH1214-220M中國代理PH1214-220M原廠直供PH1214-220M詢價熱線王先生 深圳市首質誠科技有限公司
2018-07-06 09:46:43
`PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管產(chǎn)品介紹PH1214-220M現(xiàn)貨PH1214-220M中國代理PH1214-220M原廠直供PH1214-220M詢價熱線王先生 深圳市首質誠科技有限公司
2018-07-06 09:47:57
PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管產(chǎn)品介紹PH1214-220M現(xiàn)貨PH1214-220M中國代理PH1214-220M原廠直供PH1214-220M詢價熱線王先生 深圳市首質誠科技有限公司
2018-11-12 11:02:34
QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報價QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1018內部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1018內部匹配離散GaN-on-SiC
2019-07-17 13:58:50
QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報價QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
SGK1314-25A砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK1314-25A報價SGK1314-25A代理SGK1314-25A咨詢熱SGK1314-25A現(xiàn)貨, 深圳市首質誠科技有限SGK1314-25A
2018-08-06 11:45:41
SGK1314-30A砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK1314-30A報價SGK1314-30A代理SGK1314-30A咨詢熱SGK1314-30A現(xiàn)貨, 深圳市首質誠科技有限SGK1314-30A
2018-08-06 11:48:15
SGK5254-120A-R砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK5254-120A-R報價SGK5254-120A-R代理SGK5254-120A-R咨詢熱SGK5254-120A-R現(xiàn)貨, 深圳市首質誠
2018-08-13 10:23:05
SGM6901VU砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGM6901VU報價SGM6901VU代理SGM6901VU咨詢熱SGM6901VU現(xiàn)貨, 深圳市首質誠科技有限SGM6901VU是一種高功率GaN HEMT
2018-06-11 14:29:01
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
T2G6003028-FS射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹T2G6003028-FS報價T2G6003028-FS代理T2G6003028-FS現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司T2G6003028-FS
2018-11-16 09:49:48
TGF2023-2-20碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-20報價TGF2023-2-20代理TGF2023-2-20咨詢熱線TGF2023-2-20現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質誠
2018-06-22 11:09:47
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應用。帶有氮化硅的保護層提供了環(huán)境魯棒性和劃痕保護級別。產(chǎn)品型號：TGF2040產(chǎn)品名稱：砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2160報價TGF2160代理TGF2160咨詢熱線TGF2160現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司. TGF2160離散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
、測試儀器。該設備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號: TGF2977-SM產(chǎn)品名稱：氮化鎵晶體管TGF2977-SM產(chǎn)品特性頻率范圍：直流- 12 GHz輸出功率（p3db）：6 W在9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術相比，不僅性能優(yōu)異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉換方面，已經(jīng)達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。
在器件層面，根據(jù)實際情況而言，歸一化導通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
包含關鍵的驅動、邏輯、保護和電源功能，消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關的能量損失、成本過高和設計復雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時能提供高頻率和高效率，實現(xiàn)了電力電子領域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
法，使用氨而不是更常見的氮來減少氮化鎵晶體管在高溫退火過程中的表面損傷（見圖4）。我們通過優(yōu)化離子能量、劑量、活化退火熱預算和金屬退火后熱預算，實現(xiàn)了注入?yún)^(qū)在良好歐姆接觸和方阻方面都有優(yōu)良的結果（見表2
2020-11-27 16:30:52
明佳達電子優(yōu)勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優(yōu)勢，實單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
小時，磁控管微波的壽命非常有限。射頻晶體管產(chǎn)生的能量場受控制、高精度，對控制器的反應非常敏感，從而實現(xiàn)最佳和精確的使用和分配。通過使用RF能量代替磁控管，即可在微波爐中實現(xiàn)固態(tài)、高度可控的烹飪，微波爐內
2018-08-21 10:57:30
應用。應用一：固態(tài)烹飪射頻能量的一個主要目標應用是傳統(tǒng)的微波爐，目前，標準連鎖餐廳使用磁控管供電的微波加熱顧客的食物，考慮到每天準備的餐具數(shù)量，磁控管微波的壽命非常有限。使用射頻晶體管，射頻晶體管產(chǎn)生超高
2018-08-06 10:44:39
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
降低性能。行業(yè)內外隨著射頻能量通過加大控制來改進工藝的機會持續(xù)增多，MACOM將繼續(xù)與行業(yè)領導者合作，以應用最佳實踐并通過我們的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)解決方案實現(xiàn)射頻能量。確保了解有關射頻能量
2018-01-18 10:56:28
我們在“日常生活中的微波射頻能量”系列此前的技術知識分享中有提到氮化鎵(GaN)技術在固態(tài)烹飪和等離子照明應用中的諸多優(yōu)勢以及普遍認為的氮化鎵將對商業(yè)和工業(yè)市場產(chǎn)生變革的影響。在談論突破性的半導體
2017-12-27 10:48:11
空置的地方，這進一步延長了燈泡的壽命。盡管這是一個極具吸引力的概念，但從以往記錄來看，固態(tài)芯片的成本結構比磁控管更昂貴，這使射頻能量應用成為一種奢侈品。然而，憑借MACOM氮化鎵（以硅基的成本構成實現(xiàn)
2017-12-14 10:24:22
熱應用。固態(tài)射頻晶體管能夠產(chǎn)生超精確、可控且響應迅速的能量場，使射頻能量能夠精確、合理地分布，從而按照精確規(guī)范將食物加熱到理想狀態(tài)。例如，在小分量的典型烹飪食譜中，MACOM的硅基氮化鎵300W晶體管可在
2017-11-15 10:08:05
第 1 步 – 柵極驅動選擇 驅動GaN增強模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）的柵極與驅動硅（Si）MOSFET的柵極有相似之處，但有一些有益的差異?！ ◎寗?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監(jiān)視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
針對可靠的高功率和高頻率電子設備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
的晶體管”。 伊斯曼和米什拉是對的。氮化鎵的寬帶隙（使束縛電子自由斷裂并有助于傳導的能量）和其他性質讓我們能夠利用這種材料承受高電場的能力，制造性能空前的器件。 如今，氮化鎵是固態(tài)射頻功率應用領域
2023-02-27 15:46:36
300W晶體管正弦波逆變電源電路
2008-11-03 19:19:17
2403 
中國上海，2016年2月24日- 領先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導體產(chǎn)品供應商MACOM日前宣布推出其備受矚目、應用于宏基站的MAGb系列氮化鎵（GaN）功率晶體管。
2016-02-24 10:40:21992 ，以將基于氮化鎵的射頻能量源融合到烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點火系統(tǒng)等各種應用之中。商業(yè)OEM將固態(tài)射頻能量作為高效、精確的能源，可使未來幾代產(chǎn)品實現(xiàn)全新的性能水平和承受能力。
2017-06-12 15:58:571001 這款用于FM發(fā)射器的300W射頻功率放大器具有2個TP9383晶體管。300W無線電功率放大器，適用于88–108MHz頻段。
2023-05-23 17:01:281459 
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