眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42
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如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35267 
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06262 
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06259 
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對于感性負(fù)載在開關(guān)動作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義，失效的現(xiàn)象及評估的方法是功率MOSFET電路設(shè)計(jì)必備的能力。 本文將以下面三個方面進(jìn)行探討。
2023-05-15 16:17:45708 
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-03-15 09:22:28406 功率 MOSFET 上電氣過載的故障特征-AN11243
2023-02-23 19:03:17
0 功率MOSFET手冊-中文版201808-The_Power_MOSFET_漢...
2023-02-20 19:30:518 使用功率 MOSFET Zth 曲線-AN11156
2023-02-17 18:49:230 功率MOSFET是一種功率型半導(dǎo)體元件，它可以控制大電流的流動，從而控制電路的功能。
2023-02-16 18:22:33731 MOSFET的RDS是正溫度系數(shù)；VGS低于5.5V時，溫度越高電流越大，功率MOSFET的的RDS是負(fù)溫度系數(shù)。
2023-02-16 14:07:08791 
本文論述了功率MOSFET管導(dǎo)通電阻的正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)的雙重特性以及相對應(yīng)的VGS的轉(zhuǎn)折電壓，功率MOSFET管在開通和關(guān)斷時要跨越這兩個區(qū)域的工作過程。
2023-02-16 11:22:59432 
功率MOSFET是較常使用的一類功率器件?！?b style="color: red">MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管
2023-02-15 15:47:36304 某些電源架構(gòu)要求電源排序器（或系統(tǒng)管理器）控制下游功率MOSFET，以允許功率流入分支電路。如果輸入電源電壓至少比電源輸出電壓高5V，則可以在電源輸出端放置一個功率MOSFET，并增加一些電平轉(zhuǎn)換電路。
2023-02-09 12:07:58372 
專精于高頻領(lǐng)域，預(yù)計(jì)2022年功率MOSFET全球市場規(guī)?？蛇_(dá)85億美元 功率MOSFET是電力控制中必不可缺的專精于高頻領(lǐng)域的功率器件。功率MOSFET是市場占比最高的功率器件，由于自身電壓驅(qū)動
2022-11-30 10:38:39759 功率 MOSFET 是最常見的功率半導(dǎo)體，主要原因是因?yàn)槠鋿艠O驅(qū)動需要的功率小、以及快速的切換速度，使其成為電機(jī)驅(qū)動時最常用的功率半導(dǎo)體。本文將為您簡介功率 MOSFET 的技術(shù)特性，以及由安森美（onsemi）推出的NTBLS1D5N10MC功率MOSFET的產(chǎn)品特性。
2022-09-27 15:17:561204 
功率MOSFET是專門針對解決高功率電流和電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，同樣是功率半導(dǎo)體中的一種。與其它功率半導(dǎo)體相比較，功率MOSFET具備電源開關(guān)速度快、低壓效率高的優(yōu)勢
2022-08-16 14:30:56628 功率MOSFET帶負(fù)載功率能力的評估
2022-07-26 17:43:441587 
在進(jìn)行功率MOSFET電路設(shè)計(jì)時需要注意的重要參數(shù)是電流、電壓、功耗和熱。功耗和熱通常相互關(guān)聯(lián)。
2022-07-26 17:18:301900 
功率MOSFET特性參數(shù)的理解
2022-07-13 16:10:3921 盡管分立式功率MOSFET的幾何結(jié)構(gòu)，電壓和電流電平與超大規(guī)模集成電路（VLSI）設(shè)備采用的設(shè)計(jì)方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導(dǎo)體加工工藝。
2022-02-08 15:59:067 功率MOSFET的驅(qū)動電路設(shè)計(jì)論文
2021-11-22 15:57:3778 電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:586917 
功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0242 功率MOSFET應(yīng)用研究及主電路設(shè)計(jì)。
2021-03-22 17:23:1631 自2018年開始，功率MOSFET的平均售價持續(xù)上升，其中以工作電壓范圍超過400伏特高電壓功率MOSFET產(chǎn)品成長幅度最顯著，已位居價格中的首位。
2019-07-05 14:52:444898 
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2018-10-11 08:33:005546 關(guān)于irlml6346trpbf的HEXFET功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊資料下載！
2017-09-20 14:51:3210 關(guān)于IRF7503PbF的HEXFET功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊資料下載
2017-09-20 14:38:427 功率MOSFET驅(qū)動和保護(hù)電路，以及其的相關(guān)應(yīng)用。
2016-04-26 16:01:467 功率MOSFET在電子負(fù)載中的應(yīng)用，電子負(fù)載的制作時功率模塊的應(yīng)用。
2016-02-22 15:08:5041 結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效
2013-09-26 14:54:2392 分析了對功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)要求；設(shè)計(jì)了基于EXB841驅(qū)動模塊的功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在電渦流測功機(jī)勵磁線圈驅(qū)動電路中的實(shí)
2012-03-14 14:23:48220 本內(nèi)容提供了功率MOSFET與高壓集成電路的知識概括。眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說具有理想開關(guān)的特性。其主要缺點(diǎn)是開
2011-07-22 11:28:47234 RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一狀況。和硅雙極型晶
2011-05-28 16:18:2467 功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開關(guān)電源的整流組件
2011-01-13 10:57:001509 
本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，
2010-11-11 15:34:22201 自1976年開發(fā)出功率MOSFET以來，由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電壓可達(dá)1000V；低導(dǎo)通電阻MOSFET其阻值僅lOmΩ；工作頻率范圍從直流到達(dá)數(shù)
2010-06-07 08:22:4840 基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量
用作功率開關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?b style="color: red">功率器件從電流驅(qū)
2010-04-24 11:44:421188 
功率MOSFET驅(qū)動電路分析:針對功率MOSFET的特點(diǎn)，介紹由多個—概管組成的組臺式驅(qū)動電路．在逆變焊接電源上做了實(shí)驗(yàn)．驗(yàn)證了該方法的合理性。關(guān)鍵詞：功率MOSFET，半橋式電路，
2010-04-12 08:36:5469 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181395 NexFETTM：新一代功率 MOSFET
對于理想開關(guān)的需求
功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調(diào)變 (PWM) 應(yīng)用中的電氣開關(guān)，例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應(yīng)用之中負(fù)載電流的開關(guān)
2010-02-06 09:16:011367 
小信號應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441332 功率Mosfet參數(shù)介紹
第一部分 最大額定參數(shù)最大額定參數(shù)，所有數(shù)值取得條件(Ta=25℃)
2009-11-21 11:39:538507 功率MOSFET的工作原理，規(guī)格和特性均與變極式功率電晶體有所不同。
2009-11-20 11:02:2950 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡
2009-11-19 14:53:2434 功率MOSFET管
自1976年開發(fā)出功率MOSFET以來，由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電
2009-11-07 09:23:121798 理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593279 功率MOSFET的基本知識:功率MOSFET主要用于計(jì)算機(jī)外設(shè)(軟、硬驅(qū)動器、打印機(jī)、繪圖機(jī))、電源(AC／DC變換器、DC／DC變換器)、汽車電子、音響電路及儀器、儀表等領(lǐng)域。本文將介紹
2009-09-23 23:09:4630 功率MOSFET
2009-09-23 19:35:0636 功率MOSFET及其
2009-07-27 09:38:50877 
功率MOSFET雪崩擊穿問題分析
摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的
2009-07-06 13:49:385322 
功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究
對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進(jìn)行了研究，詳細(xì)分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參
2009-06-30 13:38:073284 
功率MOSFET的種類
按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道 耗盡型——當(dāng)柵極電壓為零時漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道 增強(qiáng)型—
2009-04-14 22:08:473752 
功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動電路
2009-04-02 23:36:182084 
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理功率MOSFET的種類：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對于N（P
2008-08-12 08:43:32100 功率MOSFET的基本知識
2006-04-16 23:34:421861 
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