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電子發(fā)燒友網(wǎng)>嵌入式技術>東芝推出第二代工藝技術 采用新型嵌入式NAND閃存模塊

東芝推出第二代工藝技術 采用新型嵌入式NAND閃存模塊

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2017-11-29 17:40:30726

華虹半導體第二代90納米嵌入式閃存開始量產(chǎn)

近日華虹半導體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺已經(jīng)宣布量產(chǎn),是在第一代的基礎上實現(xiàn)了多方面的技術提升。目前,90nm G2 eFlash已實現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn),標志著華虹半導體在特色化嵌入式閃存技術上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461205

美光第二代3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn),容量更大成本更低

,第一代3D NAND閃存的成本也符合預期,堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了,今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:031188

西數(shù)第二代3D QLC NAND開發(fā)成功,預計下半年量產(chǎn)出貨

7月20日,東芝/西部數(shù)據(jù)宣布成功開發(fā)采用96層BiCS4架構的第二代3D QLC NAND(4bits/cell),單Die容量最高可達1.33Tb,預計將在2018下半年開始批量出貨,并優(yōu)先用于SanDisk品牌下銷售的消費級閃存產(chǎn)品。
2018-08-08 15:10:01724

東芝推出基于單層存儲單元NAND閃存的BENAND產(chǎn)品

進的32納米工藝的SLC NAND閃存中,嵌入了一個具有4位/512字節(jié)糾錯能力的ECC。BENAND具有與通用的SLC NAND閃存兼容的封裝和引腳定義,這一點保證其在現(xiàn)有產(chǎn)品中可以輕松地與SLC NAND實現(xiàn)替換。
2018-10-08 17:11:001940

東芝推出采用19納米第二代工藝技術新型嵌入式NAND閃存模塊

關鍵詞:NAND , 閃存 新產(chǎn)品符合JEDEC eMMC 5.0版標準 東芝公司推出新型嵌入式NAND閃存模塊,該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。該模塊符合最新的eMMC
2018-10-13 11:17:01314

東芝開始交付業(yè)界首款嵌入式NAND閃存模塊的樣品

關鍵詞:NAND , 閃存 這款嵌入式存儲器符合JEDEC UFS[2] 1.1版本標準,將64GB NAND和一個控制器整合在一個封裝中 東芝公司今天宣布,業(yè)界首款配備UFS I/F的64千兆字節(jié)
2018-11-09 17:36:01215

三星采用第二代10nm工藝級別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763

蘋果A13芯片將采用臺積電第二代7nm工藝 并率先采用EUV光刻技術

彭博報道稱,臺積電已于4月份就開始了蘋果A13芯片的早期測試生產(chǎn)階段,并且計劃在本月進行量產(chǎn)。預計A13芯片將采用臺積電的第二代7nm工藝,并且率先采用EUV光刻技術。
2019-05-13 16:39:514527

紫光展銳正式推出第二代5G平臺馬卡魯2.0 首發(fā)臺積電6nm工藝

2月26日,紫光展銳舉行了“5G所向 價值所在”的線上發(fā)布會,正式推出第二代5G平臺——馬卡魯2.0,第二代5G芯片虎賁T7520由原定的7nm升級到了6nm EUV,這是首款用上臺積電6nm工藝的5G芯片。
2020-02-26 16:04:362752

英特爾第二代傲騰固態(tài)硬盤支持PCIe 4.0,使用第二代3D XPoint介質(zhì)

5月11日消息,近日,英特爾初步介紹第二代傲騰固態(tài)硬盤細節(jié),該公司使用3DXpoint打造的傲騰系列存儲產(chǎn)品都有著相當強大的性能,新一代傲騰144層3D NAND固態(tài)硬盤將支持PCIe 4.0,最大容量可達3TB。
2020-05-13 14:08:045611

臺積電第二代 5nm 工藝性能提升水平有望高于預期

為臺積電帶來了近 10 億美元的營收。 同此前的 7nm 工藝一樣,臺積電的 5nm 工藝也不只一代,他們還將推出第二代的 5nm 工藝,也就是他們所說的 N5P。 在 8 月底的全球技術論壇期間,臺積電曾披露,同第一代 5nm 工藝相比,第二代 5nm 工藝所制造的芯片,理論上性能將提升
2020-11-06 16:19:021626

美光發(fā)布第五代3D NAND閃存

據(jù)美媒Anandtech報道,美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存,新一代產(chǎn)品擁有破紀錄的176層構造。報道指出,新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出第二代產(chǎn)品,此后美光從浮柵( floating-gate)存儲單元設計轉變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap)單元。
2020-11-10 14:56:592809

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術,達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存
2020-11-11 11:50:212081

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

的應用效能。 據(jù)了解,176層3D NAND閃存是美光第二代替換閘(Replacement Gate)架構,是目前全球技術最為先進的NAND節(jié)點,相較于前代3D NAND相比,美光176層3D NAND閃存
2020-11-12 16:02:552599

蘋果A15處理器將采用臺積電第二代5nm工藝制造

據(jù)國外媒體報道,研究機構預計,蘋果明后兩年iPhone新品將搭載的兩款A系列處理器,將由芯片代工商臺積電采用第二代5nm工藝和4nm工藝制造。 蘋果今年推出的iPhone 12系列智能手機,搭載
2020-11-20 11:27:031767

消息稱臺積電第二代3nm工藝計劃2023年推出

年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。 從英文媒體最新的報道來看,同2018年量產(chǎn)的7nm和今年量產(chǎn)的5nm工藝一樣,臺積電正在研發(fā)的3nm工藝,也將會有第二代。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息,報道臺積電會推出第二代3nm工藝的,這一消息人士表示臺積電計劃在2
2020-12-02 17:14:461572

vivo預熱X60系列:采用第二代微云臺

? ?vivo 方面上周正式公布了 vivo X60 系列新機并表示將于 12 月 29 日發(fā)布。vivo X60 系列主打第二代微云臺以及蔡司光學鏡頭,將全球首發(fā)三星 5nm 工藝 Exynos
2020-12-22 10:53:581564

中興重磅首發(fā)量產(chǎn)第二代屏下攝像技術

2月23日消息,中興通訊呂錢浩展示了第二代屏下攝像技術的樣機。
2021-02-24 09:08:251924

中興第二代屏下攝像技術使屏幕質(zhì)變

中興通訊呂錢浩展示了第二代屏下攝像技術的樣機。
2021-02-24 11:41:082095

谷歌第二代Tensor將由三星以4nm制程工藝代工,本月開始量產(chǎn)

據(jù)媒體報道稱,谷歌第二代Tensor芯片將于這個月開始量產(chǎn),代工方為三星,將會采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機自研的芯片,第一代在去年8月發(fā)布,而第二代
2022-06-02 14:52:451272

嵌入式NAND閃存S34ML16G2數(shù)據(jù)手冊

嵌入式NAND閃存S34ML16G2數(shù)據(jù)手冊免費下載。
2022-07-23 11:18:420

Samsung研發(fā)第二代3納米工藝 SF3

據(jù)報道,韓國三星代工廠已經(jīng)開始試制其第二代 3 納米級別工藝技術的芯片,稱為 SF3。這一發(fā)展標志著半導體行業(yè)的一個重要里程碑,因為三星與臺積電競爭下一代先進工藝節(jié)點的量產(chǎn)主導權。韓國知名權威
2024-01-22 16:10:14456

瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

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