高通驍龍835上周發(fā)布 驍龍835規(guī)格曝光：支持Quick Charge 4快充技術(shù)

　　11月17日，高通搶先于明年CES大會來臨之前，首先發(fā)布旗下新一代旗艦芯片驍龍835。據(jù)悉，該芯片采用三星10nm工藝制造，性能比前一代提升27%，整體功耗降低高達(dá)40%。近日，一組驍龍835規(guī)格參數(shù)圖已經(jīng)在網(wǎng)上曝光，驍龍835將采用4+4 8核心數(shù)，使用自主研制的Kryo架構(gòu)，最高頻率可達(dá)到3GHz以上，并支持最新 Quick Charge 4 快充技術(shù)。

　　今年10月，三星宣布率先在業(yè)界實現(xiàn)了10納米 FinFET工藝的量產(chǎn)。與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達(dá)30%的芯片尺寸的基礎(chǔ)上，同時實現(xiàn)性能提升27%或高達(dá)40%的功耗降低。通過采用10納米FinFET工藝，驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸，讓OEM廠商能夠在即將發(fā)布的產(chǎn)品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計。制程工藝的提升與更先進(jìn)的芯片設(shè)計相結(jié)合，預(yù)計將會顯著提升電池續(xù)航。

　　最新驍龍835處理器將支持Quick Charge 4快速充電，比起Quick Charge 3.0，其充電速度提升20%，充電效率提升30%。另外其具備更小的芯片尺寸，能為手機(jī)廠商提供更靈活的內(nèi)部空間設(shè)計。

　　目前驍龍835已經(jīng)開始進(jìn)行生產(chǎn)，不過它要等到2017年上半年才能正式出貨，搭載這款處理器的手機(jī)也會在此時推出。