日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器--- VOM1271。
2012-11-13 09:41:202071 Vishay Intertechnology宣布，推出新系列小型柵極驅(qū)動(dòng)變壓器---MGDT，可在高功率的國防和航天、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用中顯著節(jié)省空間。
2018-03-07 13:57:098754 Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器---VOD3120A，擴(kuò)展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級(jí)工作效率。
2019-02-17 09:17:001369 Vishay宣布，推出節(jié)省空間的小型0402外形尺寸新型器件，擴(kuò)充其TNPU e3系列汽車級(jí)高精度薄膜扁平片式電阻。
2020-03-03 08:08:00831 的 FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器。GaN FET 的開關(guān)速度比硅質(zhì) FET 快得多，而將驅(qū)動(dòng)器集成在同一封裝內(nèi)可減少寄生電感，并且可優(yōu)化開關(guān)性能以降低功率損耗，從而有助于設(shè)計(jì)人員減小散熱器的尺寸。節(jié)省的空間
2018-10-31 17:33:14
等效的多數(shù)載流子MOSFET關(guān)斷時(shí)，在IGBT少數(shù)載流子BJT中仍存在存儲(chǔ)時(shí)間延遲td(off)I。不過，降低Eoff驅(qū)動(dòng)阻抗將會(huì)減少米勒電容 (Miller capacitance) CRES和關(guān)斷
2018-08-27 20:50:45
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)應(yīng)用中， MOSFET驅(qū)動(dòng)器可用來直接驅(qū)動(dòng)電機(jī)。 不過，在本應(yīng)用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
，逆變器，變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。開關(guān)電源(SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但
2021-06-16 09:21:55
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
數(shù)據(jù)。 在功率調(diào)節(jié)器電路中，比較了使用PrestoMOS時(shí)的損耗和傳統(tǒng)的MOSFET與FRD組合的損耗。使用PrestoMOS時(shí)，削減了VF比FRD低的這部分的再生損耗。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路例中
2018-11-28 14:27:08
：-40°C至110°C最大低電平輸出電壓（VOL）：0.5V應(yīng)用：隔離式IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器；交流和無刷直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器；電磁爐頂；工業(yè)變頻器；開關(guān)電源（SMPS）；不間斷電源（UPS）`
2019-10-30 15:23:17
的老式設(shè)計(jì)，節(jié)約了大量空間。 MOSFET或IGBT作為變流器控制開關(guān)，使用隔離驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT可以將大電流隔離，還可以保護(hù)控制單元免受高壓大電流的沖擊和避免大功率
2010-09-08 15:49:48
電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)特別是家電市場(chǎng)對(duì)系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高?！ 闈M足市場(chǎng)需求，意法半導(dǎo)體針對(duì)不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET?！ ”疚?b class="flag-6" style="color: red">在實(shí)際
2018-11-20 10:52:44
的效率密切相關(guān)。 對(duì)于門驅(qū)動(dòng)器或者逆變器應(yīng)用，通常需要選擇低輸入電容 (利于快速切換) 以及較高驅(qū)動(dòng)能力的MOSFET。 03 IGBT適合高壓大電流應(yīng)用 與MOSFET相比，IGBT開關(guān)速度較慢
2022-06-28 10:26:31
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
較低。這里的關(guān)鍵之處在于，為了從MOSFET轉(zhuǎn)換到IGBT，必須對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行調(diào)節(jié)。傳導(dǎo)損耗需謹(jǐn)慎在比較額定值為600V的器件時(shí)，IGBT的傳導(dǎo)損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少
2017-04-15 15:48:51
大功率IGBT 在使用中驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要，本文給出了不同功率等級(jí)IGBT 驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)計(jì)算方法，經(jīng)驗(yàn)公式及有關(guān)CONCEPT 驅(qū)動(dòng)板的選型標(biāo)準(zhǔn)。
2021-07-26 14:41:12
? -40oC 到 125oC 的工作溫度范圍 SL27517 是單通道 4A 的高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可以高效安全地驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 以及新興的寬帶隙功率器件。低傳播延遲以及緊湊
2022-07-26 10:21:31
感應(yīng)逆變器直通一般而言，有兩種方法可以解決逆變器IGBT的感應(yīng)導(dǎo)通問題——使用雙極性電源和/或額外的米勒箝位。在柵極驅(qū)動(dòng)器隔離端接受雙極性電源的能力為感應(yīng)電壓瞬變提供了額外的裕量。例如，–7.5 V
2019-07-24 04:00:00
電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配設(shè)計(jì)相關(guān)文章資料，大家可以看看，對(duì)大家很有幫助！
2021-03-29 16:18:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
器件時(shí)應(yīng)考慮這測(cè)試條件中的VDD，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">在較低的VDD鉗位電壓下進(jìn)行測(cè)試和工作將導(dǎo)致Eoff能耗降低。降低柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)斷阻抗對(duì)減小IGBT Eoff損耗影響極微。如圖1所示，當(dāng)?shù)刃У亩鄶?shù)載流子MOSFET
2019-03-06 06:30:00
`描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用 Fly-Buck? 控制拓?fù)?，從單一變?b class="flag-6" style="color: red">器生成用于三相逆變器
2015-04-27 16:55:43
描述TIDA-00195 參考設(shè)計(jì)包括一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S（適用于各種應(yīng)用中的電機(jī)控制）。此設(shè)計(jì)可對(duì)三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
逆變器中驅(qū)動(dòng) SiC，尤其是在功率級(jí)別>100kW和使用800V電壓母線的情況下，系統(tǒng)需要一款具有可靠隔離技術(shù)、高驅(qū)動(dòng)能力以及故障監(jiān)控和保護(hù)功能的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。牽引
2022-11-03 07:38:51
技巧。對(duì)于電流測(cè)量而言，逆變器臂和相位輸出都需要諸如分流電阻等測(cè)量器件，以便應(yīng)付直通故障和電機(jī)繞組故障?？刂?b class="flag-6" style="color: red">器和/或柵極驅(qū)動(dòng)器中的快速執(zhí)行跳變電路必須及時(shí)關(guān)斷IGBT，防止超出短路耐受時(shí)間。這種
2019-10-06 07:00:00
什么是變頻驅(qū)動(dòng)器（VFD）/逆變器呢？變頻驅(qū)動(dòng)器（VFD）/逆變器在TVS二極管中有何作用呢？
2022-01-14 06:56:58
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號(hào)，比較用的三角波為10Mhz。需要開關(guān)頻率能大于20Mhz的mosfet驅(qū)動(dòng)器。請(qǐng)問mosfet驅(qū)動(dòng)器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的？有能達(dá)到20Mhz以上的mosfet驅(qū)動(dòng)器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
應(yīng)用?！癫⒓闪?b class="flag-6" style="color: red">IGBT驅(qū)動(dòng)器（EiceDRIVERTM）。圖1給出逆變器各個(gè)功能元件。 圖1 集成PrimePACKTM IGBT半橋的模塊化ModSTACKTM功率單元（2）ModSTACKTM功率
2018-12-03 13:56:42
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
求教大佬們?nèi)绾斡肈SP產(chǎn)生PWM波
驅(qū)動(dòng)IGBT的
驅(qū)動(dòng)器？代碼應(yīng)該怎么寫?。?/div>
2019-01-08 09:15:35
柵極驅(qū)動(dòng)器中的快速執(zhí)行跳變電路必 須及時(shí)關(guān)斷IGBT，防止超出短路耐受時(shí)間。這種方法的最大好 處是它要求在每個(gè)逆變器臂上各配備兩個(gè)測(cè)量器件，并配備一 切相關(guān)的信號(hào)調(diào)理和隔離電路。只需在正直流總線線路和負(fù)
2018-08-20 07:40:12
技巧。對(duì)于電流測(cè)量而言，逆變器臂和相位輸出都需要諸如分流電阻等測(cè)量器件，以便應(yīng)付直通故障和電機(jī)繞組故障。控制器和/或柵極驅(qū)動(dòng)器中的快速執(zhí)行跳變電路必須及時(shí)關(guān)斷IGBT，防止超出短路耐受時(shí)間。這種方法的最大
2018-07-30 14:06:29
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
”時(shí)，我指的是連接到MOSFET的漏極的正電源電壓或連接到絕緣柵雙極晶體管(IGBT)集電極的正電源電壓。對(duì)于柵極驅(qū)動(dòng)器，VDD定義驅(qū)動(dòng)器輸出的范圍。寬VDD范圍有三個(gè)好處：· 為您的系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供靈活性
2019-04-15 06:20:07
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
最近在逛PIC官網(wǎng)的時(shí)候，查找相關(guān)應(yīng)用手冊(cè)的時(shí)候挖到的一篇文章。根據(jù)電機(jī)控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET 驅(qū)動(dòng)器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
小于5ns； · 選用低傳輸延時(shí)，上升下降時(shí)間短的推挽芯片?！ 】傊啾扔诠?b class="flag-6" style="color: red">IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時(shí)，對(duì)于驅(qū)動(dòng)器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色? 隔離型
2018-09-06 09:07:35
`描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用 Fly-Buck? 控制拓?fù)?，從單一變?b class="flag-6" style="color: red">器生成用于三相逆變器
2015-03-23 14:53:06
，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流，同時(shí)選用時(shí)應(yīng)該降額使用。額定工作電壓、電壓波動(dòng)的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓；驅(qū)動(dòng)器的外殼結(jié)構(gòu)以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者：漂流的青春 車載控制器開發(fā)及測(cè)試
2023-03-23 16:01:54
驅(qū)動(dòng)器，特別適合于三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)。芯片內(nèi)置了死區(qū)時(shí)間和上下管直通保護(hù)，非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對(duì)功率管產(chǎn)生損害
2019-12-06 13:13:21
2ED020I06-FI是一款高電壓，高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具有聯(lián)鎖高側(cè)和低側(cè)參考輸出。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器可以直接供電，也可以通過二極管和電容供電。除了每個(gè)驅(qū)動(dòng)器的邏輯輸入外
2023-08-24 18:21:45
如何實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)？在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，需要考慮哪些問題？IGBT下橋臂驅(qū)動(dòng)器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上橋臂驅(qū)動(dòng)器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
的 2 對(duì)隔離式正/負(fù)電壓軌2 組輸出（+16V、-9V），每組為 100mA，每個(gè) IGBT 驅(qū)動(dòng)器為 2.5W在未穩(wěn)壓的 24V+/-20% 輸入條件下工作峰值效率為 87%，輸出波紋小于 55mV該設(shè)計(jì)兼容 C2000 HV 逆變器套件并經(jīng)過該套件測(cè)試
2022-09-26 07:54:11
MOSFET/IGBT/SiC-FET，電流高達(dá) 100A，運(yùn)行頻率高達(dá) 500Khz在通電和斷電序列期間，防止 IGBT/FET 出現(xiàn)寄生導(dǎo)通和關(guān)斷4000 VPK 和 2500-VRMS 隔離層驅(qū)動(dòng)器
2018-09-30 09:23:41
（PWM）控制輸出電壓。三相逆變器還使用6個(gè)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)IGBT。除了IGBT和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，三相逆變器還含有直流母線電壓感應(yīng)、逆變器電流感應(yīng)與過熱、過載和接地故障等IGBT保護(hù)。在暖通空調(diào)
2018-08-29 15:10:42
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí)，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動(dòng)汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05
，可提供完全經(jīng)濟(jì)高效的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案（圖1）。該器件具有2.5A軌到軌輸出，非常適合驅(qū)動(dòng)工業(yè)電源逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的IGBT和功率MOSFET。最終結(jié)果是易于使用，緊湊且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光電
2018-08-18 12:05:14
IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及當(dāng)前市場(chǎng)上的各類成品驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:46
56 當(dāng)今多種MOSFET 技術(shù)和硅片制程并存，而且技術(shù)進(jìn)步日新月異。要根據(jù)MOSFET 的電壓/ 電流或管芯尺寸，對(duì)如何將MOSFET 驅(qū)動(dòng)器與MOSFET 進(jìn)行匹配進(jìn)行一般說明，實(shí)際上顯得頗為
2009-07-04 13:49:0595 lVO3120 IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器：這些2.5A和0.5A的驅(qū)動(dòng)器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 系統(tǒng)介紹逆變器中IGBT 的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù), 給出了IGBT 對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求, 介紹了三菱公司的IGBT
驅(qū)動(dòng)電路M 57962L 以及IGBT 的過壓、過流、過熱保護(hù)等措施。這些措施實(shí)
2010-10-13 15:45:2884 Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55556
三相逆變器中IGBT的幾種驅(qū)動(dòng)電路的分析
摘要：對(duì)幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動(dòng)專用集成電路進(jìn)行了詳細(xì)
2009-07-16 08:34:286635 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個(gè)小尺寸封裝里，導(dǎo)通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節(jié)省空間，并簡(jiǎn)化高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。
2014-02-10 15:16:51890 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。
2014-03-25 10:19:44691 。Vishay Polytech TMCJ和TMCP分別采用J（1608-09）和P（2012-12）外形尺寸，TMCU使用超平、超薄的UA（3216-12）和UB （3528-12）外形尺寸。
2015-04-03 16:48:37841 1.4mm x 1.8mm miniQFN10封裝的音頻接孔探測(cè)器DG2592和低壓雙路SPDT模擬開關(guān)DG2750，用來替代便攜式應(yīng)用中常用的尺寸較大的miniQFN10和WCSP器件，達(dá)到節(jié)省空間的目的。
2016-03-07 11:33:06658 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 本參考設(shè)計(jì)采用一個(gè)22kW 功率級(jí)以及TI 全新的增強(qiáng)型隔離式(IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器ISO5852S，適用于交流驅(qū)動(dòng)器等各類三相逆變器。此參考設(shè)計(jì)可用于評(píng)估3 相逆變器中ISO5852S 的性能
2016-11-05 15:45:140 電動(dòng)汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與工業(yè)通用變頻器、風(fēng)能太陽能逆變器的驅(qū)動(dòng)電路有更為苛刻的技術(shù)要求，其中的電源電路受到空間尺寸小、工作溫度高等限制，面臨諸多挑戰(zhàn)。
2016-11-14 15:16:461148 
（PWM）控制輸出電壓。 三相逆變器還使用6個(gè)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)IGBT。除了IGBT和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，三相逆變器還含有直流母線電壓感應(yīng)、逆變器電流感應(yīng)與過熱、過載和接地故障等IGBT保護(hù)。 在暖通空調(diào)、太陽能泵等許多終端應(yīng)用中，平衡成本與
2017-04-26 11:43:00541 
的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 本參考設(shè)計(jì)采用一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S，適用于交流驅(qū)動(dòng)器等各類 三相逆變器。
2018-05-08 17:03:2524 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出節(jié)省空間的小型0402外形尺寸新型器件，擴(kuò)充其TNPU e3系列汽車級(jí)高精度薄膜扁平片式電阻。
2020-03-03 15:05:144303 本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003144 
本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動(dòng)器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器的IXYS系列以及一些實(shí)際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922 
，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、...
2021-01-20 15:00:2413 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-15 14:23:261103 
意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-17 10:06:141783 MOSFET及
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的引腳排列內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用
技術(shù)。書中不但給出多種以這些驅(qū)動(dòng)器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動(dòng)控制板的應(yīng)用實(shí)例而且對(duì)這些具
2022-08-13 09:21:390 額定功率使用一個(gè)硬件平臺(tái)通過交換MOSFET管套和電源IGBT/MOSFET開關(guān)。這個(gè)概念最大化了門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)的可伸縮性電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用范圍從低到高額定功率。
2022-12-15 13:58:19779 
（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。 柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄碜訫CU的控制信號(hào)，并將這些信號(hào)傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車輛電池的更高電壓，RAJ29300
2023-02-02 11:10:02906 在逆變器中驅(qū)動(dòng)和保護(hù)IGBT 介紹ACPL-339J是一款先進(jìn)的1.0 A雙輸出，易于使用，智能的手機(jī)IGBT門驅(qū)動(dòng)光耦合器接口。專為支持而設(shè)計(jì)MOSFET制造商的各種電流評(píng)級(jí)，ACPL-339J
2023-02-22 14:54:521 SLM27517 單通道，高速，低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以有效地驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT功率開關(guān)。使用設(shè)計(jì)其固有地最小化擊穿電流，可以源匯高峰值電流脈沖轉(zhuǎn)換為電容性負(fù)載軌對(duì)軌驅(qū)動(dòng)能力非常小傳播延遲通常
2023-02-23 15:42:222 在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中，變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)/逆變器通常安裝在電動(dòng)機(jī)的前端，以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。
2023-03-30 09:21:341102 眾所周知，在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中，變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)和IGBT逆變器通常安裝在電動(dòng)機(jī)的前端，以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。根據(jù)不同的輸入電壓要求，逆變器通常分為低壓(110V、220V、380V等)、中壓(690V、1140V、2300V等)或高壓(3KV、3.3KV、6KV、6.6KV、10KV等)。
2023-04-15 10:09:33826 ，該驅(qū)動(dòng)器采用節(jié)省空間的 SOP-4 封裝，集成關(guān)斷電路。 Vishay Semiconductors VOMDA1271? 專門用來提高汽車應(yīng)用性能，同時(shí)提高設(shè)計(jì)靈活性并降低成本，開關(guān)速度和開路輸出電壓均達(dá)
2023-06-08 19:55:02374 
驅(qū)動(dòng)器(VFD)和逆變器的可靠性？東沃電子資深技術(shù)團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)的變頻驅(qū)動(dòng)器（VFD）和 IGBT逆變器過壓保護(hù)方案，如下圖所示：
2023-05-12 17:32:58698 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
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