的 FET 和柵極驅(qū)動器。GaN FET 的開關(guān)速度比硅質(zhì) FET 快得多，而將驅(qū)動器集成在同一封裝內(nèi)可減少寄生電感，并且可優(yōu)化開關(guān)性能以降低功率損耗，從而有助于設(shè)計人員減小散熱器的尺寸。節(jié)省的空間
2018-10-31 17:33:14
硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設(shè)計的支柱。雖然它們?nèi)匀槐粡V泛使用，但是在一些新設(shè)計中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術(shù)的最新發(fā)展，以及改進的GaN器件和驅(qū)動器電路
2017-05-03 10:41:53
通電阻非常低，僅70mΩ，這款門驅(qū)動器內(nèi)置了降壓/升壓轉(zhuǎn)換器，從而可以產(chǎn)生負(fù)電壓來關(guān)閉GaN HEMT。LMG3410R070 GaN功率級器件的一個關(guān)鍵優(yōu)點是在硬切換時控制轉(zhuǎn)換速率，這種控制對于抑制
2019-07-16 00:27:49
為什么
GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，
GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和
功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1，
GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44?？隙ǖ卣f，
GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
LMG1020 5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN Driver With 60-MHz, 1-ns Speed datasheet
2022-11-04 17:22:44
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
部件：具有輸入（滾輪）和輸出（GaN驅(qū)動器）的Hercules控制器，以及功率調(diào)節(jié)：具有輸入 (LaunchPad) 和輸出（燈泡）的GaN驅(qū)動器。 圖4：硬件模塊對于固件來說也是如此。一個狀態(tài)機管理
2018-06-01 11:31:35
新應(yīng)用，產(chǎn)生了對超高效率、高功率密度、高頻SiC功率轉(zhuǎn)換器的需求。車載牽引電機驅(qū)動器希望獲得最高功率密度以減小尺寸和重量，并刷新新的效率記錄，而車外快速充電器希求高電壓（高達2000 VDC、>
2018-10-22 17:01:41
描述此參考設(shè)計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級設(shè)計。憑借高效的開關(guān)和靈活的死區(qū)時間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅(qū)動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量與體積，BLDC功率密度大于PMSM
2019-05-11 19:39:49
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動器與三個高側(cè)及三個低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
克服了上述問題，可實現(xiàn)高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關(guān)電容器控制器內(nèi)置 4 個 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器，用于驅(qū)動外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
的 PSoC? 6 Pioneer套件。PSoC 6 WiFi-BT Pioneer套件適合物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用及可穿戴設(shè)備，可用于開發(fā)使用高性能Cypress 6 微控制器的Wi-Fi應(yīng)用?！ ?b class="flag-6" style="color: red">貿(mào)澤
2018-09-21 11:51:15
模塊。這些設(shè)計平臺目 前針對戰(zhàn)略客戶而推出，代表了驅(qū)動新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器 的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準(zhǔn)。設(shè)計平臺類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
領(lǐng)域的客戶進行接洽，探討寬溫度范圍和輻射方面的應(yīng)用。 TI也將努力開發(fā)出全新類型的轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和系統(tǒng)。 LMG5200與眾不同之處 LMG5200原型機由一個高頻驅(qū)動器和兩個半橋配置的GaN FET
2018-09-11 14:04:25
GaN技術(shù)融入到電源解決方案中，從而進一步突破了對常規(guī)功率密度預(yù)期的限值。基于數(shù)十年電源測試方面的專業(yè)知識，TI已經(jīng)對GaN進行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動器。這些驅(qū)動器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動器芯片
2021-01-22 06:45:02
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅(qū)動器的設(shè)計 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設(shè)計的伺服驅(qū)動器如圖8所示。LMG3410是集成了驅(qū)動的GaN FET功率級芯片
2019-03-14 06:45:08
此參考設(shè)計為3kW 雙向交錯式連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數(shù)校正 (PFC) 功率級，采用 C2000? 實時控制器和具有集成驅(qū)動器和保護功能的 LMG
2023-01-17 09:51:23
，它們的優(yōu)值系數(shù)（FOM）大為改善，可以實現(xiàn)高頻開關(guān)。CoolGaN? IPS技術(shù)在緊湊型封裝中集成了柵極驅(qū)動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉(zhuǎn)換器，因而有助于進一步提高充電器和適配器設(shè)計的功率密度。
2022-04-12 11:07:51
，它們的優(yōu)值系數(shù)（FOM）大為改善，可以實現(xiàn)高頻開關(guān)。CoolGaN? IPS技術(shù)在緊湊型封裝中集成了柵極驅(qū)動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉(zhuǎn)換器，因而有助于進一步提高充電器和適配器設(shè)計的功率密度。
2022-06-14 10:14:18
的功率密度。整板重量不足 230g。在穩(wěn)定的 950kHz 開關(guān)頻率下，可達到 97.6% 的峰值效率。 特性390V - 48V/1kW 高頻諧振轉(zhuǎn)換器諧振頻率為 950kHz，重量小于 210g
2022-09-23 07:12:02
的某些特性。在汽車中，飛行時間（TOF）通常用于確定范圍。LIDAR的精度和分辨率取決于各種因素，包括開關(guān)頻率和激光信號的清晰度。短脈沖激光是皮質(zhì)的，以確保眼睛安全。LMG1020 GaN激光驅(qū)動器演示
2019-11-11 15:48:09
單片GaN器件集成驅(qū)動功率轉(zhuǎn)換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN單級解決方案——采用TPS53632G 無驅(qū)動器脈寬調(diào)制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半橋功率級（驅(qū)動器和GaN FET在同一集成電路上）——功率密度高，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度
2019-07-29 04:45:02
的 OBC。特性96.5% 系統(tǒng)效率3.8kW/L 功率密度支持 GaN 技術(shù)的高工作頻率（500kHz 至 800kHz）經(jīng)驅(qū)動器集成優(yōu)化的 GaN用于 PFC 和 CLLLC 的單個 TMS
2022-08-15 10:22:18
LMG3410 單通道 GaN 功率級包含一個 70-mΩ、600-V GaN 功率晶體管和采用 8-mm × 8-mm QFN 封裝的專用驅(qū)動器。直接驅(qū)動架構(gòu)用于創(chuàng)建常關(guān)器件，同時提供 GaN 功率晶體管
2022-04-12 14:11:49
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計、驅(qū)動設(shè)計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
升壓從動器PFC通過調(diào)整來提高低線效率總線電壓新的SR VCC供電電路簡化了復(fù)雜性和在高輸出電壓下顯著降低驅(qū)動損耗條件新型GaN和GaN半橋功率ic降低開關(guān)損耗和循環(huán)能量，提高系統(tǒng)效率顯著提高了
2023-06-16 09:04:37
。這些優(yōu)勢正是當(dāng)下高功耗高密度系統(tǒng)、服務(wù)器和計算機所需要的，可以說專家所預(yù)測的拐點已經(jīng)到來！時下，多個廠商正在大量的生產(chǎn)GaN器件，這些GaN器件正在被應(yīng)用于工業(yè)、商業(yè)甚至要求極為嚴(yán)格的汽車領(lǐng)域的電力
2019-06-21 08:27:30
，功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流輸入和滿載情況下效率可達 98.7%TI LMG3410 GaN 功率級具有集成式驅(qū)動器和保護功能，可確保電路可靠性并簡化設(shè)計使用 TI
2018-10-25 11:49:58
更高的功率密度。GaN的時代60多年以來，硅一直都是電氣組件中的基礎(chǔ)材料，廣泛用于交流電與直流電轉(zhuǎn)換，并調(diào)整直流電壓以滿足從手機到工業(yè)機器人等眾多應(yīng)用的需求。雖然必要的組件一直在持續(xù)改進和優(yōu)化，但物理學(xué)
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門極驅(qū)動對于實現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅(qū)動器方案，解決設(shè)計過程的風(fēng)險。
2020-10-28 06:59:27
如何利用高速ADC設(shè)計用于汽車的LIDAR系統(tǒng)？
2021-05-17 06:28:04
實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
合理開關(guān)損耗的同時，提升功率密度和瞬態(tài)性能。傳統(tǒng)上，GaN器件被封裝為分立式器件，并由單獨的驅(qū)動器驅(qū)動，這是因為GaN器件和驅(qū)動器基于不同的處理技術(shù)…
2022-11-16 06:23:29
，160A峰值，效率高于98%的高功率密度無刷電機驅(qū)動器參考設(shè)計。訂購具有60V CSD88599Q5DC和DRV8323R柵極驅(qū)動器的DRV8323RH三相智能柵極驅(qū)動評估模塊。
2017-08-21 14:21:03
怎么測量天線輻射下空間中某點的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
有誰知道貿(mào)澤電子賣的運放里面有假貨嗎？
2020-06-06 15:40:23
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
可以用很多種方法來控制GaN功率級。針對LMG5200 GaN半橋功率級的TI用戶指南使用了一個無源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會討論到如何用一個Hercules微控制器來驅(qū)動它。圖1
2022-11-17 06:56:35
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
各位工程師大家好，初入電子領(lǐng)域，目前在研究高頻驅(qū)動電路，在高頻柵極驅(qū)動芯片的選型上遇到了難題，目前有沒有比TI的LMG1020，更適合小功率高頻驅(qū)動的柵極驅(qū)動芯片或者有沒有推薦的搜索網(wǎng)站，希望各位大佬指點一下
2023-02-21 11:10:50
描述此激光雷達（光距離和范圍探測）參考設(shè)計展示了一款低側(cè)納秒 (ns) 級 GaN 柵極驅(qū)動器 LMG1020，該驅(qū)動器能夠驅(qū)動 FET 產(chǎn)生功率超過 100W 的 1ns 激光光脈沖。主要特色電路
2018-10-17 15:38:45
Hercules微控制器來驅(qū)動它。圖1顯示的是將用來驅(qū)動LMG5200的Hercules模塊。
圖1：具有死區(qū)發(fā)生器的Hercules PWM模塊
GaN與Hercules功率級是天生的一對兒。它們在工業(yè)和汽車
2018-08-31 07:15:04
開發(fā)人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰(zhàn)，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來了對更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
驅(qū)動器，采用基于傳感器的梯形控制。本設(shè)計采用 TI 的 MOSFET 電源塊技術(shù)，將兩個采用半橋配置的 FET 集成到一個 SON 5x6 封裝中，從而實現(xiàn)極高的功率密度。本設(shè)計使用兩個并聯(lián)的電源塊，可以
2018-11-01 16:34:29
集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細(xì)節(jié)
2022-11-07 06:45:10
具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低側(cè) GaN 驅(qū)動器 Number of channels (#) 1 Power switch MOSFET, GaNFET
2022-12-15 15:44:50
具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低側(cè) GaN 驅(qū)動器 Number of channels (#) 1 Power switch MOSFET, GaNFET
2022-12-20 15:04:38
中紅外激光功率密度探測單元的研制
摘要:采用室溫光導(dǎo)型ＨｇＣｄＴｅ探測器，研制了可用于中紅外激光功率密度測量的探測單元，主要包括衰減片、探測器
2010-04-28 16:05:36
10 Micrel推出具最高功率密度的降壓穩(wěn)壓器MIC22950
MIC22950是麥瑞半導(dǎo)體(Micrel)的10A全集成同步降壓穩(wěn)壓器，該公司高功率密度系列降壓穩(wěn)壓器的創(chuàng)新產(chǎn)品
2010-04-03 08:41:01
921 
適合空間受限應(yīng)用的最高功率密度、多軌電源解決方案
2016-01-04 17:40:200 宜普公司為功率系統(tǒng)設(shè)計師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 m?氮化鎵功率晶體管（EPC2049），應(yīng)用于負(fù)載點（POL）轉(zhuǎn)換器、激光雷達（LiDAR）及具低電感的馬達驅(qū)動器。
2017-12-29 10:40:006493 本報告對德州儀器LMG5200器件進行詳細(xì)的逆向分析，包括器件設(shè)計、封裝技術(shù)、制造工藝、成本和價格預(yù)估等。這是我們第一發(fā)現(xiàn)帶有驅(qū)動器的半橋氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）設(shè)計，并采用先進的多芯片封裝技術(shù)（PCB帶有嵌入式通孔和倒裝芯片）
2018-03-05 13:56:1810013 設(shè)計人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評估模塊和SPICE模型快速輕松地評估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅(qū)動器參考設(shè)計和高速DC / DC轉(zhuǎn)換器的多兆赫GaN功率級參考設(shè)計，快速開始氮化鎵設(shè)計。
2018-03-16 14:10:436146 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)LMG1020相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LMG1020的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LMG1020真值表，LMG1020管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:33:05
本文介紹了LMG1020主要特性，框圖和典型應(yīng)用電路圖以及高壓評估板LMG1020-HB-EVM主要特性，框圖，電路圖，材料清單和PCB設(shè)計圖。
2019-04-05 11:02:006111 
此參考設(shè)計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級設(shè)計。憑借高效的開關(guān)和靈活的死區(qū)時間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計不僅可以顯著改善
2020-06-30 08:00:000 此激光雷達（光距離和范圍探測）參考設(shè)計展示了一款低側(cè)納秒級 GaN 柵極驅(qū)動器 LMG1020，該驅(qū)動器能夠驅(qū)動 FET 產(chǎn)生功率超過 100W 的 1ns 激光光脈沖。
2020-07-23 08:00:0020 機電元件集成來減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。 首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細(xì)節(jié)。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:15579 的散熱
通過機電元件集成來減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。
首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:261733 功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實現(xiàn)，如今能滿足世界日益增長的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實現(xiàn)。
?
為何選擇GaN？
當(dāng)涉及功率密度時，GaN為硅MOSFET提供了幾個主要優(yōu)點和優(yōu)勢，
2021-12-09 11:08:161428 
(MOSFET)，因為它能夠驅(qū)動更高的功率密度和高達 99% 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能，使用 GaN 進行設(shè)計面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術(shù)（如碳化硅）不同的一系列挑戰(zhàn)。
2022-07-29 14:06:52792 
。EPC21601 是一款單芯片加 eGaN? FET 驅(qū)動器，采用 EPC 專有的 GaN IC 技術(shù)，采用芯片級 BGA 外形尺寸，尺寸為 1.5 mm x 1.0 mm。
2022-08-04 09:17:572015 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510 功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅(qū)動系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評價，電機本體以有效比功率指標(biāo)評價，逆變器以體積功率密度指標(biāo)評價；一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評價，而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評價。
2022-10-31 10:11:213715 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應(yīng)用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549 
集成驅(qū)動器可減小解決方案尺寸，實現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時，集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下工作，從而顯著降低對偏置電源的要求。
2023-02-06 14:29:32274 作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機會，以實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實現(xiàn)，如今能滿足世界日益增長的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實現(xiàn)。
2023-04-07 09:16:45575 
您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅(qū)動它。圖 1 顯示了用于驅(qū)動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091059 
MASTERGAN4介紹ST推出世界首款集成半橋驅(qū)動IC和一對氮化鎵（GaN）的MASTERGAN產(chǎn)品平臺。該解決方案可用于最高400W以下的一代消費性電子、工業(yè)充電器，以及電源轉(zhuǎn)接器
2022-11-21 16:14:24510 
該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動器，可應(yīng)用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側(cè)驅(qū)動的功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
2023-06-30 09:58:50263 Allegro 在行業(yè)盛事慕展期間發(fā)布氮化鎵（GaN）隔離柵極驅(qū)動器AHV85110，這是Allegro Power-Thru產(chǎn)品系列的首次發(fā)布，AHV85110能夠提供2倍功率密度，以及更簡單
2023-07-13 16:05:02416 
電力電子產(chǎn)品設(shè)計人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設(shè)計涵蓋多軸驅(qū)動器、太陽能、儲能、電動汽車充電站和電動汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
通過GaN電機系統(tǒng)提高機器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27220 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:580 
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