AT89C52是一個(gè)低電壓,高性能CMOS 8位單片機(jī),片內(nèi)含8k bytes的可反復(fù)擦寫的Flash只讀程序存儲(chǔ)器和256 bytes的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(RAM),器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn),兼容標(biāo)準(zhǔn)MCS-51指令系統(tǒng),片內(nèi)置通用8位中央處理器和Flash存儲(chǔ)單元,AT89C52單片機(jī)在電子行業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用。
AT89C52單片機(jī)硬件結(jié)構(gòu)
如圖3-1所示,為AT89C52的硬件結(jié)構(gòu)圖。AT89C52單片機(jī)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與MCS-51系列單片機(jī)的構(gòu)成基本相同。CPU是由運(yùn)算器和控制器所構(gòu)成的。運(yùn)算器主要用來(lái)對(duì)操作數(shù)進(jìn)行算術(shù)、邏輯運(yùn)算和位操作的。控制器是單片機(jī)的指揮控制部件,主要任務(wù)的識(shí)別指令,并根據(jù)指令的性質(zhì)控制單片機(jī)各功能部件,從而保證單片機(jī)各部分能自動(dòng)而協(xié)調(diào)地工作。它的程序存儲(chǔ)器為8K字節(jié)可重擦寫Flash閃速存儲(chǔ)器,閃爍存儲(chǔ)器允許在線+5V電擦除、電寫入或使用編程器對(duì)其重復(fù)編程。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器比51系列的單片機(jī)相比大了許多為256字節(jié)RAM。AT89C52單片機(jī)的指令系統(tǒng)和引腳功能與MCS-51的完全兼容。
主要性能參數(shù)
? 8K字節(jié)可重擦寫Flash閃速存儲(chǔ)器
? 1000次可擦寫周期
? 全靜態(tài)操作:0Hz-24MHz
? 三級(jí)加密程序存儲(chǔ)器
? 256×8字節(jié)內(nèi)部RAM
? 32個(gè)可編程I/O口線
? 3個(gè)16位定時(shí)/計(jì)數(shù)器
? 8個(gè)中斷源
? 可編程串行UART通道
? 低功耗空閑和掉電模式
AT89C52外部引腳圖
AT89C52管腳說(shuō)明
VCC:電源 GND:接地
P0口:P0口是一個(gè)8位漏級(jí)開路的雙向I/O口。作為輸出口,每位能驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL邏輯電平。對(duì)P0口端口寫“1”時(shí),引腳作高阻抗輸入。當(dāng)訪問外部程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),P0口也被作為低8位地址/數(shù)據(jù)復(fù)用。在這種模式下,P0具有內(nèi)部上拉電阻。
在flash編程時(shí),P0口也用來(lái)接受指令字節(jié):在程序效驗(yàn)時(shí),輸出指令字節(jié)。程序效驗(yàn)時(shí),需要外部上拉電阻。
P1口:P1口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的8位是雙向I/O口,P1的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流)4個(gè)TTL邏輯電平。對(duì)P1口寫“1”時(shí),內(nèi)部上拉電阻的原因,將輸出電流ILL。
AT89C52晶振特性
AT89C52單片機(jī)有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的反相放大器,XTAL1和XTAL2分別是放大器的輸入、輸出端。石英晶體和陶瓷諧振器都可以用來(lái)一起構(gòu)成自激振蕩器。從外部時(shí)鐘遠(yuǎn)驅(qū)動(dòng)器件的話,XTAL2可以不接,而從XTAL1接入。由于外部時(shí)鐘信號(hào)經(jīng)過(guò)二分頻觸發(fā)后作為外部時(shí)鐘電路輸入的,所以對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)的占空比沒有其它要求,最長(zhǎng)低電平持續(xù)時(shí)間和最少高電平持續(xù)時(shí)間等還是要符合要求的。
石英晶振 C1,C2=30PF+-10PF 陶瓷諧振器 C1,C2=40PF+-10PF
AT89C52單片機(jī)最小系統(tǒng)接口電路設(shè)計(jì)
AT89C52與時(shí)鐘電路(包括晶體振蕩器、電容C19、C20),上電復(fù)位電路(包括R42、C5、S3、VD1、C3、R9)構(gòu)成單片機(jī)的最小系統(tǒng)。其中,晶體振蕩器選用12MHz的高穩(wěn)定無(wú)源晶體振蕩器,它與AT89C52中的反向放大器構(gòu)成振蕩器,給CPU提供高穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)。電容C19、C20可起頻率微調(diào)作用,電容值在5pF~30pF之間選擇,本電路選20pF。電容C5和電阻R42構(gòu)成上電復(fù)位電路。電源開啟時(shí),電源對(duì)電容C5 充電,在CPU的復(fù)位端產(chǎn)生一高脈沖。只要高電平的維持時(shí)間大于兩個(gè)機(jī)器周期(24 個(gè)振蕩周期)。CPU就可復(fù)位。二極管VD1的作用是當(dāng)斷電時(shí),可使電容C5所儲(chǔ)存的 電荷迅速釋放,以便下次上電時(shí)可靠復(fù)位。電容C5可濾除高頻干擾,防止單片機(jī)誤復(fù)位。按鍵S3和電阻R9構(gòu)成按鍵復(fù)位電路。
評(píng)論
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