這次把 EFT/B 的內(nèi)容寫完，介紹一下其針對(duì) BMS 的測(cè)試方案。低壓端測(cè)試前文也說(shuō)過(guò)，在 GB/T 38661-2020 里面是有提過(guò) EFT/B 測(cè)試，但是這里其實(shí)寫的不清楚，沒(méi)有寫具體的測(cè)試
2021-02-04 11:49:00
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雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32:581784 曲線追蹤儀是一種基礎(chǔ)電子測(cè)試設(shè)備，通過(guò)分析半導(dǎo)體器件（如二極管、晶體管、晶閘管等）的特點(diǎn)，用來(lái)執(zhí)行I-V曲線追蹤。它們通常用于器件可靠性應(yīng)用中，如故障分析和參數(shù)表征。
2021-09-14 10:51:521786 
雙脈沖測(cè)試就是給被測(cè)器件兩個(gè)脈沖作為驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，如圖1所示。第一個(gè)脈沖相對(duì)較寬，以獲得一定的電流。
2021-09-23 14:43:318250 
1. I-V放大器的放大倍數(shù)是如何計(jì)算的，倍數(shù)就等于Rf的值嗎？等同這里的10M？
2. 如果是這樣，那么設(shè)計(jì)的帶寬范圍很窄了，一般OP的單位增益帶寬是10M的很大了，這樣帶寬幾乎就1HZ了
2023-11-28 06:45:13
150K左右，所以反饋電阻兩端不能并聯(lián)較大電容來(lái)限制帶寬。嘗試在Rf兩端并聯(lián)5pF電容后，整體噪聲是降低了，但是諧波還是比較明顯。I-V轉(zhuǎn)換電路中，當(dāng)反饋電阻取值較大(>1Mohm)時(shí)，為什么輸出
2018-11-08 09:34:58
電阻兩端不能并聯(lián)較大電容來(lái)限制帶寬。嘗試在Rf兩端并聯(lián)5pF電容后，整體噪聲是降低了，但是諧波還是比較明顯。I-V轉(zhuǎn)換電路中，當(dāng)反饋電阻取值較大(>1Mohm)時(shí)，為什么輸出電壓中會(huì)出現(xiàn)明顯的諧波？該如何消除這些諧波？是不是器件AD8512的電流噪聲引起的？希望高手解答！
2023-11-27 06:10:09
I-V通過(guò)249R電阻轉(zhuǎn)電壓1-5V 的問(wèn)題？ 將4--20ma電流，通過(guò)電阻249歐姆，轉(zhuǎn)換為1--5V電壓。本案的接法，將249R接在ADG1409模擬切換通道的輸入端，當(dāng)給通道一
2018-09-10 11:13:57
應(yīng)變會(huì)沿導(dǎo)線產(chǎn)生壓電勢(shì)，基板的反復(fù)彎曲就會(huì)形成脈沖輸出電壓。平行使用大量納米線（如20000根），可以增大功率。此外，還可在基板上縱向整齊排列ZnO納米線或ZnO纖維制造柔性壓電納米發(fā)電機(jī)。 圖9
2020-08-25 10:59:35
特點(diǎn)在電路應(yīng)用中尤為突出。與類似的宏觀器件相比，其開關(guān)速度更快、功率損耗更低。然而，這也意味著測(cè)量此類器件I-V曲線的測(cè)試儀器在跟蹤較短反應(yīng)時(shí)間的同時(shí)必須對(duì)小電流進(jìn)行測(cè)量。 因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">納米級(jí)測(cè)試應(yīng)用中激勵(lì)
2009-10-14 15:58:21
解到我們可以做多種類儀器的自動(dòng)化測(cè)試軟件，便找到納米，希望納米能夠?qū)?shù)字萬(wàn)用表進(jìn)行軟件控制并將測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行保存。項(xiàng)目需求1、 軟件實(shí)現(xiàn)與泰克數(shù)字萬(wàn)用表進(jìn)行通信:2、 在0.05s的采樣時(shí)間精度下讀取
2020-11-27 19:08:39
顯示、自動(dòng)保存本地，并可以在系統(tǒng)上實(shí)時(shí)可視化顯示；3.希望測(cè)量數(shù)據(jù)可通過(guò)改變X軸和Y軸內(nèi)容繪制不同形式的趨勢(shì)圖；4.希望可以自動(dòng)保存測(cè)試報(bào)告到本地；三、納米解決方案：1、系統(tǒng)名稱：陶瓷材料自動(dòng)化測(cè)試
2019-12-06 11:38:57
`項(xiàng)目背景西安某研究所高功率微波信號(hào)由于其脈沖持續(xù)時(shí)間短，重復(fù)頻率較高，且為分析實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，需要對(duì)重復(fù)頻率信號(hào)的波形與數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)采集；為更好的分析實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象指導(dǎo)器件調(diào)試，需要各個(gè)測(cè)量通路的時(shí)延可以獨(dú)立
2020-05-30 11:11:35
的脈沖騎士邊沿時(shí)間小于70ps，幅度最高5Vpp，對(duì)于半導(dǎo)體測(cè)試是不錯(cuò)的選擇。 圖4：PG-1000脈沖發(fā)生器軟件界面截圖SimpleRider PG 設(shè)置，窄脈沖10ns @ 3.3V(Reset
2017-09-06 17:43:21
為PASS 或 FAIL，無(wú)法提供電特性，以進(jìn)行更有效的設(shè)計(jì)變更。TLP裝置則以 PULSE方式量測(cè)ESD保護(hù)電路，可提供該電路I-V特性曲線；再搭配傳統(tǒng)ESD測(cè)試結(jié)果，可迅速查知電路的設(shè)計(jì)弱點(diǎn)，減少
2018-09-04 16:38:04
綜合了如下功能：精密電壓源、高精度 電流源、數(shù)字多用表、任意波形發(fā)生器、電壓或電流脈沖發(fā)生器、電子負(fù)載以及觸發(fā)控制器 代碼后向兼容2600 系列數(shù)字源表，便于更換 TSP Express軟件工具實(shí)現(xiàn)快速、便捷的I-V測(cè)試 精密定時(shí)和信道同步(
2021-12-11 12:39:35
，其次為pFA。eFA通常為非破壞性的，包括I-V Curve測(cè)試，Bitmap，失效定位(Thermal/EMMI/OBIRCH)。pFA通常為破壞性的，包括wire cutting
2016-07-22 12:49:00
labview measure I-V是自帶的嗎？為什么我在文件夾里找不到？
2015-12-14 10:18:24
電納米發(fā)電機(jī)。一般被應(yīng)用在生物醫(yī)學(xué)，軍事，無(wú)線通信，無(wú)線傳感?！?b class="flag-6" style="color: red">測(cè)試難點(diǎn)】由于納米發(fā)電自身的技術(shù)特點(diǎn)，在研究過(guò)程中需要測(cè)試單位面積機(jī)械能產(chǎn)生的電能，測(cè)試產(chǎn)生的電壓，微小的電流及功率信號(hào)，電壓基本在幾伏甚至幾十伏，而電流一般都是uA甚至nA級(jí)別，功率在mW甚至uW級(jí)別。如何精確的測(cè)試微小電流及功率
2021-06-30 07:24:20
如何進(jìn)行超快I-V測(cè)量？下一代超快I-V測(cè)試系統(tǒng)關(guān)鍵的技術(shù)挑戰(zhàn)有哪些?
2021-04-15 06:33:03
儀器 全國(guó)上門回收售出儀器均可免費(fèi)保修3個(gè)月-12個(gè)月不等Keithley 2635A 數(shù)字源表提供高速的源--測(cè)量能力，加上先進(jìn)的自動(dòng)控制特性和省時(shí)的軟件工具，使其成為對(duì)多數(shù)器件進(jìn)行I-V測(cè)試的理想
2021-11-19 11:58:20
-------------------------------------√2600A系列數(shù)字源表是吉時(shí)利新的I-V源測(cè)量?jī)x器，可用作臺(tái)式I-V特征分析工具或√者構(gòu)成多通道I-V測(cè)試系統(tǒng)的組成模塊。作為臺(tái)式儀器使用時(shí)，2600A系列儀器提供了√一個(gè)嵌入式
2018-11-09 11:30:30
光電測(cè)試技術(shù)分析有源的光電器件是一個(gè)基本的半導(dǎo)體結(jié)，為了更全面的測(cè)試，不僅要求對(duì)其做正向的I-V特性測(cè)試，也要求監(jiān)測(cè)反向的I-V特性。傳統(tǒng)的激光二極管電流驅(qū)動(dòng)在實(shí)驗(yàn)室級(jí)別是合適的，但是對(duì)于開發(fā)半導(dǎo)體
2009-12-09 10:47:38
負(fù)反饋I-V轉(zhuǎn)換電路如下圖，運(yùn)放的輸出要0-3.3V（單片機(jī)的輸入電壓），請(qǐng)問(wèn)我該如何選擇運(yùn)放？另外就是我這個(gè)圖在實(shí)際中可行嗎？要不要加什么電阻？反饋電阻和電容又要如何選擇呢？如何實(shí)現(xiàn)0-3.3V的輸出呢？新手上路 求詳細(xì)一點(diǎn)的解答 太感謝了！?。?！
2023-11-20 06:23:44
前言雷達(dá)的微波射頻系統(tǒng)主要包括混頻器、濾波器、放大器、天線等部分。其中放大器、混頻器、T/R組件為脈沖器件測(cè)試的主要對(duì)象。這些關(guān)鍵部件會(huì)對(duì)雷達(dá)的脈沖調(diào)制信號(hào)造成影響，典型的信號(hào)惡化包含：信號(hào)過(guò)沖、定
2019-06-04 07:26:29
我的程序是基于labview的I-V測(cè)試系統(tǒng)，利用串口接收數(shù)據(jù)，怎么將數(shù)據(jù)中的電流、電壓用I-V曲線波形 顯示出來(lái)？？求高手給個(gè)例程。
2012-05-31 12:37:48
請(qǐng)各位幫忙編一個(gè)基于keithley2400和2700的測(cè)I-V程序和利用2400控制直流輸出的程序，謝謝
2016-05-13 23:20:32
設(shè)備： DMM7510，Series 2600B SMU太陽(yáng)能電池測(cè)試在有機(jī)太陽(yáng)能電池的表征與測(cè)試技術(shù)中，I-V測(cè)試是最基本、最重要、最直接的測(cè)試方式。I-V測(cè)試系統(tǒng)，能夠得到器件以下參數(shù)：能量轉(zhuǎn)化效率
2020-05-09 15:22:12
半導(dǎo)體二極管的I-V特性
2019-10-16 17:32:16
曲線比較。C-V 曲線 (準(zhǔn)靜態(tài)) 詳細(xì)說(shuō)明吉時(shí)利KEITHLEY2600B系列源表研究領(lǐng)域：各種器件的I-V功能測(cè)試和特征分析，包括：離散和無(wú)源元件 –兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動(dòng)器頭、金屬
2021-11-20 10:56:56
電阻測(cè)量、脈沖式測(cè)量、以及微分電導(dǎo)的測(cè)量等。 應(yīng)用納米技術(shù)微分電導(dǎo)脈沖式信號(hào)源與電阻光電應(yīng)用脈沖式I-V交流電阻橋的替代器件（與2182A聯(lián)合使用）低功率電阻測(cè)量鎖定放大器的替代器件（與2182A聯(lián)合使用）低噪聲電阻測(cè)量`
2019-05-25 10:09:03
，例如霍爾測(cè)量、Delta模式電阻測(cè)量、脈沖式測(cè)量、以及微分電導(dǎo)的測(cè)量等。 應(yīng)用納米技術(shù)微分電導(dǎo)脈沖式信號(hào)源與電阻光電應(yīng)用脈沖式I-V交流電阻橋的替代器件（與2182A聯(lián)合使用）低功率電阻測(cè)量鎖定放大器的替代器件（與2182A聯(lián)合使用）低噪聲電阻測(cè)量 `
2019-04-29 15:30:22
`吉時(shí)利——半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案半導(dǎo)體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等，是組成集成電路的基礎(chǔ)。 直流I-V測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石
2019-10-08 15:41:37
信息和測(cè)試數(shù)據(jù)可選擇 CSV 格式或者 txt 格式導(dǎo)出。 ◆系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)I-V、I-P、I-R、V-P、V-R、R-P、R-t、V/A-t、P-t的圖像。NS-SourceMeter雙通道源表程控軟件
2023-03-10 17:37:05
工廠閑置/倒閉電子儀器，個(gè)人處理儀器，歡迎來(lái)電. Keithley 2651A與2657A大電流源表單元主要用于對(duì)高功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行I-V參數(shù)測(cè)試和特性分析，應(yīng)用領(lǐng)域包括高功率器件的研發(fā)，可靠性測(cè)試
2016-07-20 14:19:44
來(lái)電.回收工廠閑置/倒閉電子儀器，個(gè)人處理儀器，歡迎來(lái)電. Keithley 2651A與2657A大電流源表單元主要用于對(duì)高功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行I-V參數(shù)測(cè)試和特性分析，應(yīng)用領(lǐng)域包括高功率器件的研發(fā)，可靠性
2016-07-27 16:28:56
系列一個(gè)緊湊的單元中綜合了如下功能：精密電壓源、高精度 電流源、數(shù)字多用表、任意波形發(fā)生器、電壓或電流脈沖發(fā)生器、電子負(fù)載以及觸發(fā)控制器 代碼后向兼容2600 系列數(shù)字源表，便于更換 TSP Express軟件工具實(shí)現(xiàn)快速、便捷的I-V測(cè)試 精密定時(shí)和信道同步(
2016-07-27 18:35:30
%（Keithley 2611A回收）基本精度V 0.015% 0.015%（Keithley 2611A回收）典型應(yīng)用 I-V功能測(cè)試和特性分析，（Keithley 2611A回收）晶圓級(jí)可靠性測(cè)試
2022-02-26 11:07:00
-------------------------------------√2600A系列數(shù)字源表是吉時(shí)利新的I-V源測(cè)量?jī)x器，可用作臺(tái)式I-V特征分析工具或√者構(gòu)成多通道I-V測(cè)試系統(tǒng)的組成模塊。作為臺(tái)式儀器使用時(shí)，2600A系列儀器提供了√一個(gè)嵌入式
2018-11-18 10:38:08
I-V Curve 電特性量測(cè)原理是 ，利用自動(dòng)曲線追縱儀電特性量測(cè)的方式，快速計(jì)算阻值，藉此確認(rèn)各腳位(Pin)關(guān)系并實(shí)時(shí)篩檢出異常(Open / Short)，另可產(chǎn)出曲線圖文件。 提供DC組件
2018-08-24 09:02:36
GaN PA 設(shè)計(jì)？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個(gè)很好的起點(diǎn)。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫(kù)里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設(shè)計(jì)？
2019-07-31 06:44:26
過(guò)程都需要進(jìn)行正確的RF和脈沖測(cè)試，包括確定柵介質(zhì)可靠性、高頻電容值、銅過(guò)孔可靠性和RF性能等測(cè)試。各種測(cè)試方法正在改變I-V特性、RF電容-電壓測(cè)試、s參數(shù)、NBTI、TDDB、HCI、SILC
2011-09-06 15:51:36
DC 和脈沖電流電壓、電容電壓、電容頻率、驅(qū)動(dòng)電平電容曲線 (DLCP) 和 4 探頭電阻系數(shù)。圖 10 顯示了一塊太陽(yáng)能電池連接到4200-SMU上進(jìn)行 I-V 測(cè)量。四線連接消除了測(cè)量電路中的引線
2017-10-11 09:48:34
大家好：我正在使用E5270B儀器對(duì)MOS器件進(jìn)行基本的I-V測(cè)量（改變漏極電壓和監(jiān)測(cè)一個(gè)柵極電壓下的漏極電流）。與設(shè)定合規(guī)性不同，我想知道一旦測(cè)量的漏極電流值達(dá)到特定點(diǎn)，是否有任何方法可以停止測(cè)量
2019-08-21 06:06:43
如何利用2420型高電流源表去測(cè)量光電池I-V特性？有哪些步驟？
2021-05-11 06:12:00
打算測(cè)量1nA~100nA的電流，求I-V轉(zhuǎn)換電路，以及和電流傳感器的接法，
2015-03-15 22:04:00
脈沖CH基本精度I 0.02% 0.02%基本精度V 0.015% 0.015%典型應(yīng)用 I-V功能測(cè)試和特性分析，晶圓級(jí)可靠性測(cè)試，測(cè)試集成電路如RFIC、ASIC、SOC，測(cè)試光電器件如LED
2020-04-08 15:17:52
精確的光伏 I-V 特性分析用于 PV 電池板模塊的 I-V 掃描測(cè)試電路
2021-01-21 07:26:08
電子元器件涂層的耐磨性測(cè)試是很重要的檢測(cè)試驗(yàn)，Taber5750線性磨耗儀是目前應(yīng)用非常廣泛的耐磨測(cè)試儀，本文講述采用Taber5750線性磨耗儀對(duì)高耐磨親水親油易清潔納米涂層的耐磨性進(jìn)行測(cè)試
2017-10-13 16:53:27
源、電壓/電流表、掃描分析儀、函數(shù)發(fā)生器，為這類測(cè)試提供了完美的解決方案。源表還包括可編程負(fù)載，可以測(cè)量元器件上的I-V特點(diǎn)，從幾μV到3KV，從幾fA到100A。一個(gè)很好的插件是IVy應(yīng)用，可以從
2016-08-18 16:23:38
前者理論是清楚的，但從器件發(fā)展到電路，所需的技術(shù)仍處于發(fā)展之中，要進(jìn)入到比較普遍的應(yīng)用估計(jì)仍需一二十年的時(shí)間。至于納米器件，目前多以原子和分子自組裝技術(shù)與微電子超深亞微米加工技術(shù)相結(jié)合的方法進(jìn)行
2018-08-24 16:30:27
上的納米FET I-V測(cè)量、電容器泄漏測(cè)量。實(shí)例1：平板顯示器上的OLED像素器件測(cè)試在測(cè)量平板顯示器上的OLED像素器件的I-V曲線時(shí)，通常會(huì)通過(guò)開關(guān)矩陣把SMU連接到LCD探測(cè)站上，這時(shí)會(huì)采用非常長(zhǎng)
2020-02-13 10:01:33
的電流(使用安培計(jì))。為了了解太陽(yáng)能電池向電路提供電流的程度，我們用負(fù)載切換法測(cè)量了器件的 I-V 特性。一條典型的曲線如圖1所示。圖1。太陽(yáng)能電池固定照明的 I-V 測(cè)量電路示意圖(上圖)和太陽(yáng)能電池
2022-04-09 13:40:50
、DUT的故障通常通過(guò)DC漏電流來(lái)判斷 E、通常讀取脈沖時(shí)間70%到90%的時(shí)間。 使用TLP測(cè)試出來(lái)的I-V曲線 動(dòng)態(tài)阻抗是ESD保護(hù)器件的一個(gè)非常重要的參數(shù)，動(dòng)態(tài)阻抗越低，表明更多的ESD電流
2023-03-29 10:44:47
1. I-V放大器的放大倍數(shù)是如何計(jì)算的，倍數(shù)就等于Rf的值嗎？等同這里的10M？2. 如果是這樣，那么設(shè)計(jì)的帶寬范圍很窄了，一般OP的單位增益帶寬是10M的很大了，這樣帶寬幾乎就1HZ了<
2018-11-26 10:02:42
請(qǐng)問(wèn)一下納米器件有幾安（A）、伏（V）？
2021-05-17 06:33:41
對(duì)一大電阻器件施加1V直流電，將通過(guò)的電流（大約2mA）經(jīng)過(guò)I-V轉(zhuǎn)換和放大，采集后用發(fā)現(xiàn)信號(hào)是這樣對(duì)稱的，按道理我的電流是正的信號(hào)至少應(yīng)該恒為正，不知道為什么產(chǎn)生了這樣的結(jié)果，求指導(dǎo)。 [img=110,0][/img] 圖1 測(cè)試系統(tǒng)圖[img=110,0][/img]圖2 信號(hào)圖
2020-05-16 08:52:05
負(fù)反饋I-V轉(zhuǎn)換電路如下圖，運(yùn)放的輸出要0-3.3V（單片機(jī)的輸入電壓），請(qǐng)問(wèn)我該如何選擇運(yùn)放？另外就是我這個(gè)圖在實(shí)際中可行嗎？要不要加什么電阻？反饋電阻和電容又要如何選擇呢？如何實(shí)現(xiàn)0-3.3V的輸出呢？新手上路 求詳細(xì)一點(diǎn)的解答 太感謝了！?。?！
2018-08-18 07:45:11
先進(jìn)的自動(dòng)化特性及軟件工具使得吉時(shí)利2600系列數(shù)字源表系列成為廣泛用于多種器件I-V測(cè)試的理想方案。長(zhǎng)期回收 吉時(shí)利2611A 二手?jǐn)?shù)字源表-二手吉時(shí)利2611A吉時(shí)利2611型單通道系統(tǒng)源表
2021-06-01 15:32:52
數(shù)字源表用于光電I-V測(cè)試使用手冊(cè)
吉時(shí)利數(shù)字源表系列是專為緊密結(jié)合精密電壓源和電流源以及同時(shí)測(cè)量（包括源回讀）的測(cè)試應(yīng)用要求開發(fā)的。在特性分析過(guò)
2010-03-13 09:21:57
19 吉時(shí)利宣布推出了最新的4225-PMU超快I-V測(cè)試模塊
吉時(shí)利儀器公司今日宣布推出了最新的4225-PMU超快I-V測(cè)試模塊，進(jìn)一步豐富了4200-SCS半導(dǎo)體特征分析系統(tǒng)的可選儀器系
2010-02-24 10:12:24809 Ultra-fast I-V tests (pulsed I-V, transient I-V, and pulsed sourcing ) have become increasingly
2011-03-28 17:15:140 脈沖式電測(cè)試是一種能夠減少器件總能耗的測(cè)量技術(shù)。它通過(guò)減少焦耳熱效應(yīng)（例如I2R和V2/R），免對(duì)小型納米器件可能造成的損壞。脈沖測(cè)試采用足夠高的電源對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加間
2011-04-09 16:05:5044 脈沖式電測(cè)試是一種能夠減少器件總能耗的測(cè)量技術(shù)。它通過(guò)減少焦耳熱效應(yīng)(例如I2R和V2/R)，避免對(duì)小型納米器件可能造成的損壞
2011-05-04 09:45:221040 脈沖測(cè)試為人們和研究納米材料、納米電子和目前的半導(dǎo)體器件提供了一種重要手段。在加電壓脈沖的同時(shí)測(cè)量直流電流是電荷泵的基本原理
2011-05-11 11:49:241334 
開發(fā)了基于虛擬儀器技術(shù),采用大功率脈沖勵(lì)磁電源、高速數(shù)據(jù)采集卡的納米晶磁環(huán)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。由于脈沖勵(lì)磁與標(biāo)準(zhǔn)正弦波勵(lì)磁的測(cè)試結(jié)果存在差異,為得到相當(dāng)于正弦勵(lì)磁下的
2011-05-25 15:12:4637 本文詳細(xì)介紹了用4225-PRM遠(yuǎn)程放大器_開關(guān)模型實(shí)現(xiàn)對(duì)DC I-V、C-V、脈沖I-V測(cè)量的自動(dòng)轉(zhuǎn)換。
2017-11-15 15:29:0515 ， LED 照明和顯示 ，半導(dǎo)體器件特性，過(guò)載保護(hù)測(cè)試等等。PL系列脈沖電流源內(nèi)置18 位高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器，使它可以同時(shí)獲得高速脈沖電壓和脈沖光功率波形，而不需要額外使用單獨(dú)的儀器。PL系列脈沖電流源是一套強(qiáng)大的測(cè)試解決方案，可以顯著提高生產(chǎn)力，應(yīng)用范圍從臺(tái)式表測(cè)試到高度自動(dòng)化的脈沖I-V生產(chǎn)測(cè)試
2020-10-16 09:45:361193 通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性我們開設(shè)了 Si 功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)評(píng)估 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn) MOSFET 損耗情況。
2020-12-28 06:00:0023 半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流 I-V 測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析，或 I-V
2021-01-14 16:47:24538 納米技術(shù)研究與在分子水平上的物質(zhì)，一個(gè)原子一個(gè)原子，建立具有根本性的新結(jié)構(gòu)特性。 特別是，納米電子領(lǐng)域正在迅速發(fā)展具有廣泛的潛在影響行業(yè)。 當(dāng)今的納米電子學(xué)研究包括利用碳納米管，半導(dǎo)體納米線，分子有機(jī)電子產(chǎn)品和單電設(shè)備。
2021-03-18 15:45:169 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供納米器件的測(cè)試工具資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-24 08:44:426 近期有很多用戶在網(wǎng)上咨詢I-V特性測(cè)試， I-V特性測(cè)試是很多研發(fā)型企業(yè)和高校研究的對(duì)象，分立器件I-V特性測(cè)試可以幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣
2021-05-19 10:50:252042 
I-V測(cè)試是二級(jí)管測(cè)試必不可少的項(xiàng)目。二極管I-V特性分析通常需要高靈敏電流表、電壓表、電壓源和電流源。吉時(shí)利源表2450是二極管特性分析的理想選擇，提供四象限精密電壓和電流源/負(fù)載，可精確地發(fā)起電壓或電流以及同時(shí)測(cè)量電壓和/或電流，其電壓和電流測(cè)量分辨率分別達(dá)到10 nV和10 fA。
2021-08-27 15:14:50632 
雙脈沖是分析功率開關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法，貫穿器件的研發(fā)，應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，你可以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從容的調(diào)試驅(qū)動(dòng)電路，優(yōu)化動(dòng)態(tài)過(guò)程，驗(yàn)證短路保護(hù)。
雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應(yīng)用，對(duì)電壓電流探頭要求和影響測(cè)試結(jié)果的因素等。
2022-08-01 09:08:1110881 
雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的常用測(cè)試，通過(guò)雙脈沖測(cè)試可以便捷的評(píng)估功率器件的性能，獲得穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)過(guò)程中的主要參數(shù)，更好的評(píng)估器件性能，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)等等。
2022-11-04 14:06:272763 器件的I-V功能測(cè)試和特征分析是實(shí)驗(yàn)過(guò)程中經(jīng)常需要測(cè)試的參數(shù)之一，一般我們用到源表進(jìn)行IV參數(shù)的測(cè)試，如果需要對(duì)測(cè)試的數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)IV曲線圖顯示及保存，可以用到源表測(cè)試軟件
2023-02-02 10:50:591313 
參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器
件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，先后推出了直流源表，脈沖源
2023-02-15 16:11:141 開通特性測(cè)試采用雙脈沖測(cè)試法。由計(jì)算機(jī)設(shè)定并控制輸出漏極電壓VDD值到被測(cè)器件的測(cè)試要求值（一般為被測(cè)器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGS到測(cè)試要求值，計(jì)算機(jī)控制接通開關(guān)S1,并控制輸出
2023-02-22 14:43:331 IV曲線測(cè)試是一種常用的電源表測(cè)試方法，它可以測(cè)量電源表的輸出電壓和電流之間的關(guān)系，以及電源表的負(fù)載特性。在測(cè)試測(cè)量實(shí)驗(yàn)中，可以借助源表測(cè)試軟件來(lái)測(cè)試I-V曲線、I-P曲線、恒定輸出等。下面納米軟件Namisoft小編給大家分享一下：用源表測(cè)試軟件如何輸出I-V曲線、I-P曲線、恒定輸出。
2023-03-28 16:28:081261 
雙脈沖測(cè)試的基本原理是什么？雙脈沖測(cè)試可以獲得器件哪些真實(shí)參數(shù)？ 雙脈沖測(cè)試是一種常用的測(cè)試方法，用于測(cè)量和評(píng)估各種器件的性能和特性。它基于一種簡(jiǎn)單而有效的原理，通過(guò)發(fā)送兩個(gè)脈沖信號(hào)并分析其響應(yīng)
2024-02-18 09:29:23234
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