SI9114采用MOSFET電路圖

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評(píng)論

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P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB Vishay推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占

2010-04-29 11:27:35

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Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB

Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。

2013-01-15 09:05:54

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AD9114 IBIS型號(hào)

2021-04-10 15:16:02

AD9114 IBIS型號(hào)

2021-06-11 15:37:39

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。

2023-02-08 13:43:20

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SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。

2023-02-23 11:27:57

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