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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>開(kāi)關(guān)電源>尖峰脈沖吸收電容器容量的計(jì)算 - 跟電源專家陶顯芳學(xué)電源技術(shù)(完):RCD尖峰脈沖吸收電路參數(shù)計(jì)算舉例

尖峰脈沖吸收電容器容量的計(jì)算 - 跟電源專家陶顯芳學(xué)電源技術(shù)(完):RCD尖峰脈沖吸收電路參數(shù)計(jì)算舉例

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聽(tīng)說(shuō)是開(kāi)關(guān)電源這行的專家

聽(tīng)說(shuō)是開(kāi)關(guān)電源這行的專家,你們?cè)趺纯蠢?b class="flag-6" style="color: red">專家的講座?
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多圖解析開(kāi)關(guān)電源中一切緩沖吸收電路

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多圖解析開(kāi)關(guān)電源中一切緩沖吸收電路

,還必須根據(jù)實(shí)際布線在板調(diào)試,才能獲得最終設(shè)計(jì)參數(shù)。  RCD 吸收  特點(diǎn)  RCD吸收不是阻尼吸收,而是靠非線性開(kāi)關(guān)D 直接破壞形成電壓尖峰的諧振條件,把電壓尖峰控制在任何需要的水平?!  的大小
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多圖解析,開(kāi)關(guān)電源中的緩沖吸收電路

電壓。工程上一般應(yīng)該在通過(guò)計(jì)算或者仿真獲得初步參數(shù)后,還必須根據(jù)實(shí)際布線在板調(diào)試,才能獲得最終設(shè)計(jì)參數(shù)RCD 吸收特點(diǎn)RCD吸收不是阻尼吸收,而是靠非線性開(kāi)關(guān)D 直接破壞形成電壓尖峰的諧振條件,把電壓
2019-11-02 07:00:00

多圖詳解開(kāi)關(guān)電源中的一切緩沖吸收電路

,還必須根據(jù)實(shí)際布線在板調(diào)試,才能獲得最終設(shè)計(jì)參數(shù)?! ?b class="flag-6" style="color: red">RCD 吸收  特點(diǎn)  RCD吸收不是阻尼吸收,而是靠非線性開(kāi)關(guān)D 直接破壞形成電壓尖峰的諧振條件,把電壓尖峰控制在任何需要的水平?!  的大小
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的第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)上,村田、太陽(yáng)誘電、3-test(蘇州泰思特)等廠商的專家將與聽(tīng)眾朋友們分享EMI和EMC的設(shè)計(jì)和測(cè)試難點(diǎn)和最新解決方案,此外,特邀嘉賓老師將分享降低EMI能量
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2023-03-22 16:10:59

干貨 開(kāi)關(guān)電源中的全部緩沖吸收電路解析

RCD吸收一般不適合對(duì)二極管反壓尖峰吸收,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">RCD吸收動(dòng)作有可能加劇二極管反向恢復(fù)電流。鉗位吸收RCD 鉗位盡管RCD鉗位與RCD吸收電路可以完全相同,但元件參數(shù)和工況完全不同。RCD吸收RC時(shí)間常數(shù)
2018-12-26 10:16:39

開(kāi)關(guān)電源上的吸收緩沖電路解析

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2021-03-11 07:56:46

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本文主要介紹開(kāi)關(guān)電源中的吸收緩沖電路。
2021-01-22 06:29:35

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= FCU2其中U為吸收回路拓?fù)浞瓷潆妷?。工程上一般?yīng)該在通過(guò)計(jì)算或者仿真獲得初步參數(shù)后,還必須根據(jù)實(shí)際布線在板調(diào)試,才能獲得最終設(shè)計(jì)參數(shù)。RCD 吸收特點(diǎn)RCD吸收不是阻尼吸收,而是靠非線性開(kāi)關(guān)D 直接破壞
2018-12-28 11:09:57

開(kāi)關(guān)電源主繞組的吸收電路的二極管和電容的參數(shù)為多少呢?

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開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路

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開(kāi)關(guān)變壓器初級(jí)線圈漏感Ls和尖峰脈沖吸收電容器容量計(jì)算

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怎樣去設(shè)計(jì)反激式開(kāi)關(guān)電源吸收電路

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放電等離子體極紫外光源中的主脈沖電源

【作者】:呂鵬;劉春;張潮海;趙永蓬;王騏;賈興;【來(lái)源】:《強(qiáng)激光與粒子束》2010年02期【摘要】:描述了Z箍縮放電等離子體極紫外光源系統(tǒng)中的主脈沖電源,給出了主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),重點(diǎn)介紹了三級(jí)磁
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無(wú)源無(wú)損軟開(kāi)關(guān)電路與緩沖吸收方式的效率比較

位與 RCD 吸收電路可以完全相同,但元件參數(shù)和工況完全不同。RCD 吸收 RC 時(shí)間常數(shù)遠(yuǎn)小于 PWM 周期,而 RCD 鉗位的 RC 時(shí)間常數(shù)遠(yuǎn)大于 PWM 周期。與 RCD 吸收電容的全充全放工
2020-07-08 07:00:00

求設(shè)計(jì)RCD吸收電路,有賞金。。。

我畢設(shè)設(shè)計(jì)是造一個(gè)三相spwm逆變電路來(lái)驅(qū)動(dòng)馬達(dá),通過(guò)調(diào)電壓調(diào)頻率來(lái)調(diào)速,但是現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)我的尖峰特別高,自己設(shè)計(jì)了RCD吸收電路,沒(méi)用,求大神們教教我
2017-03-16 04:31:29

盤點(diǎn)開(kāi)關(guān)電源中的緩沖吸收電路,真的太詳細(xì)了!

基本拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">電路上一般沒(méi)有吸收緩沖電路,實(shí)際電路上一般有吸收緩沖電路,吸收與緩沖是工程需要,不是拓?fù)湫枰?。緩沖電路是控制開(kāi)關(guān)器件快速上升和下降引起的瞬態(tài)尖峰的重要辦法。它們通常主要是由一些無(wú)源器件組成
2021-06-02 16:18:47

繼電器觸點(diǎn)保護(hù)電路、開(kāi)關(guān)電源RCD電路、MOS管構(gòu)造幾個(gè)問(wèn)題

繼電器觸點(diǎn)保護(hù)電路、開(kāi)關(guān)電源RCD電路、MOS管構(gòu)造幾個(gè)問(wèn)題1.繼電器線圈與RC串聯(lián)電路并聯(lián),為了吸收線圈斷電時(shí)的自感電流。這個(gè)和開(kāi)關(guān)電源的初級(jí)RCD吸收電路有沒(méi)有什么相同之處?2.三極管是兩個(gè)PN
2020-05-12 16:38:25

詳解PWM開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源尖峰干擾

,電源到地有直接的通路,產(chǎn)生瞬態(tài)電流Is。該電流開(kāi)關(guān)三極管導(dǎo)通時(shí)的電流Imax及截止時(shí)的電流Icmin的差值、開(kāi)關(guān)KQ和KD同時(shí)導(dǎo)通的持續(xù)時(shí)間等因素有關(guān)。由于電路分布參數(shù)的影響,在波形上出現(xiàn)振鈴振蕩
2011-09-02 11:26:54

請(qǐng)問(wèn)如何抑制電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路電源尖峰?

PWM調(diào)速電路中, 如果電源電壓為20V,電機(jī)在關(guān)斷時(shí)該電源電壓產(chǎn)生尖峰導(dǎo)致MOS管Vgs電壓 超過(guò)20V了,請(qǐng)問(wèn)如何抑制這個(gè)尖峰,或者說(shuō)如何降低VGS。
2018-12-05 09:30:31

選取開(kāi)關(guān)電源RCD尖峰吸收電路值的方法

開(kāi)關(guān)電源RCD尖峰吸收電路值得選取
2021-11-16 08:15:50

開(kāi)關(guān)電源尖峰吸收電路

因?yàn)殚_(kāi)關(guān)電源中存在電容、電感儲(chǔ)能性元件,調(diào)整管在關(guān)斷的瞬間會(huì)有很高的關(guān)斷尖峰,即調(diào)整管中電流變化率di/dt及調(diào)整管上的電壓變化率du/dt而產(chǎn)生的瞬態(tài)過(guò)電流和瞬態(tài)過(guò)電壓所
2009-10-31 09:19:38140

RCD吸收電路的影響和設(shè)計(jì)方法

我們可以定性的分析一下電路參數(shù)的選擇對(duì)電路的暫態(tài)響應(yīng)的影響:1.RCD電容C偏大電容端電壓上升很慢,因此導(dǎo)致mos 管電壓上升較慢,導(dǎo)致mos管關(guān)斷至次級(jí)導(dǎo)通的間隔時(shí)間過(guò)
2010-09-11 16:43:05211

電源變換器的尖峰電壓抑制器電路

電源變換器的尖峰電壓抑制器電路
2009-06-25 11:40:10794

全橋型IGBT電源電路

圖示出電源電路,V1—V4組成橋式逆變器,兩端并聯(lián)RCD吸收支路,L為限流電感,Co為儲(chǔ)能電容,Lo用于限制Co對(duì)負(fù)載氙燈的放電電流,保護(hù)氙燈。
2009-07-27 08:43:013466

反激DCM模式RCD參數(shù)計(jì)算

反激DCM模式RCD參數(shù)計(jì)算 這里首先提供幾篇應(yīng)用手記上的計(jì)算方法,然后對(duì)其進(jìn)行改進(jìn)對(duì)比,然后在仿真中對(duì)比實(shí)際結(jié)果。
2009-11-21 11:03:444430

反激式變壓器開(kāi)關(guān)電源電路參數(shù)計(jì)算

反激式變壓器開(kāi)關(guān)電源電路參數(shù)計(jì)算 反激式變壓器開(kāi)關(guān)電源電路參數(shù)計(jì)算基本上與正激式變壓器開(kāi)關(guān)電源電路參數(shù)計(jì)算一樣,主要對(duì)儲(chǔ)能濾波電感
2010-04-09 15:06:236512

Flyback的次級(jí)側(cè)整流二極管的RC尖峰吸收問(wèn)題

  在討論Flyback的次級(jí)側(cè)整流二極管的RC尖峰吸收問(wèn)題,在處理此類尖峰問(wèn)題上此處用RCD吸收會(huì)比用RC 吸收效果更好,用RCD吸收,其整流管尖峰電壓可以壓得更低(合理的參數(shù)搭配
2010-09-07 10:49:545431

#硬聲創(chuàng)作季 開(kāi)關(guān)電源RCD尖峰吸收電路

電源
Hello,World!發(fā)布于 2022-11-03 10:54:13

全橋型IGBT脈沖激光電源電路

全橋型IGBT脈沖激光電源電路V1—V4組成橋式逆變器,兩端并聯(lián)RCD吸收支路,L為限流電感,Co為儲(chǔ)能電容.
2011-12-19 14:44:262253

MOS管反峰及RCD吸收回路

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路
2012-08-29 14:51:1711644

開(kāi)關(guān)電源從零到精通RCD尖峰吸收電路

開(kāi)關(guān)電源
硬創(chuàng)百科發(fā)布于 2023-01-05 16:35:21

開(kāi)關(guān)電源中,常用的RCD尖峰吸收,原來(lái)是這樣吸收的。

電阻開(kāi)關(guān)電源
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-08-01 23:53:54

單激式開(kāi)關(guān)電源漏感與分布電容對(duì)輸出波形的影響及RCD尖峰脈沖吸收

單激式開(kāi)關(guān)電源漏感與分布電容對(duì)輸出波形的影響及RCD尖峰脈沖吸收電路參數(shù)計(jì)算
2016-05-27 17:04:3925

開(kāi)關(guān)電源從零到精通4RCD尖峰吸收電路

電源電阻電路電子技術(shù)
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-08-08 02:56:50

開(kāi)關(guān)電源從零到精通第八集:RCD尖峰吸收電路

電源電阻電路電子技術(shù)
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-08-08 02:57:29

認(rèn)識(shí)反激中的RCD吸收電路

反激式開(kāi)關(guān)電源結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,應(yīng)用廣泛,但其變壓器漏感大,開(kāi)關(guān)管存在電壓尖峰,在大部分低功率應(yīng)用場(chǎng)合都會(huì)采用簡(jiǎn)單易實(shí)現(xiàn)的RCD鉗位電路來(lái)減緩電壓尖峰,這里將簡(jiǎn)單介紹RCD電路的工作原理以及如何確定鉗位電路中的參數(shù)
2016-10-13 14:53:1131282

RCD吸收計(jì)算

RCD吸收是一種常用的保護(hù)開(kāi)關(guān)管,降低電磁輻射的方式。本文檔介紹了RCD吸收電路參數(shù)計(jì)算的方法。
2016-11-02 17:20:3037

反激式(RCD)開(kāi)關(guān)電源原理及設(shè)計(jì)

反激式(RCD)開(kāi)關(guān)電源原理及設(shè)計(jì)
2016-12-15 18:02:430

認(rèn)識(shí)反激中的RCD吸收電路分析

反激式開(kāi)關(guān)電源結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,應(yīng)用廣泛,但其變壓器漏感大,開(kāi)關(guān)管存在電壓尖峰,在大部分低功率應(yīng)用場(chǎng)合都會(huì)采用簡(jiǎn)單易實(shí)現(xiàn)的RCD鉗位電路來(lái)減緩電壓尖峰,這里將簡(jiǎn)單介紹RCD電路的工作原理以及如何確定鉗位電路
2017-11-10 10:47:5913

開(kāi)關(guān)電源尖峰吸收電路相關(guān)知識(shí)的研究

開(kāi)關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。 隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新,使得
2017-12-06 13:45:4017

rcd吸收電路參數(shù)設(shè)計(jì)介紹

rcd吸收電路參數(shù)設(shè)計(jì)主要分三步:首先對(duì)mos管的VD進(jìn)行分段,對(duì)于主MOS管VD的幾部分進(jìn)行計(jì)算,試驗(yàn)調(diào)整VRCD值。
2018-01-22 10:10:4427782

rcd吸收電路有什么作用

RCD吸收電路它由電阻Rs、電容Cs和二極管VDs構(gòu)成。電阻Rs也可以與二極管VDs并聯(lián)連接。RCD吸收電路對(duì)過(guò)電壓的抑制要好于RC吸收電路,與RC電路相比Vce升高的幅度更小。由于可以取大阻值的吸收電阻,在一定程度上降低了損耗。
2018-01-22 10:59:2042122

rcd吸收電路原理及設(shè)計(jì)詳解

本文為大家介紹rcd吸收電路原理及設(shè)計(jì)。
2018-01-22 11:01:1369822

Flyback主電路中哪些元器件需要我們?cè)O(shè)計(jì)?電源用什么拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?

MOSFET關(guān)斷時(shí),當(dāng)Vds超過(guò)RCD緩沖電路中的電容兩端的電壓VSN時(shí),緩沖二極管導(dǎo)通.尖峰電流被RCD電路吸收,從而削減了尖峰電流. 緩沖電容一定要足夠大,才能保證在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)電容兩端的電壓沒(méi)有顯著變化.但是吸收電容太大,也會(huì)增加緩沖電路的損耗。必須折中。
2018-05-09 08:32:4610992

RCD吸收計(jì)算結(jié)果為何與實(shí)際差別大

網(wǎng)上有很多關(guān)于RCD鉗位吸收計(jì)算技術(shù)文章和觀點(diǎn),但很多人發(fā)現(xiàn)計(jì)算出的數(shù)值和實(shí)驗(yàn)得到的參數(shù)并不一樣。相信很多工程師都有這樣的體會(huì) - 就是計(jì)算出的電阻 Rsn 比實(shí)際實(shí)驗(yàn)得到的數(shù)值要小很多。大家有沒(méi)有興趣討論一下 ~
2021-04-21 10:55:1330

單端反激式開(kāi)關(guān)電源RCD反激鉗位電路設(shè)計(jì)方法

單端反激式開(kāi)關(guān)電源RCD反激鉗位電路設(shè)計(jì)方法(電源技術(shù)應(yīng)用??瘯r(shí)間)-單端反激式開(kāi)關(guān)電源RCD反激鉗位電路設(shè)計(jì)方法 ? ? ? ??
2021-08-31 13:05:53155

反激式開(kāi)關(guān)電源吸收電路概述

在反激式開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)過(guò)程中,一般會(huì)在初級(jí)添加吸收電路用于吸收開(kāi)關(guān)瞬間產(chǎn)生的浪涌噪聲,常見(jiàn)的處理措施一般有三類:RCD鉗位吸收、穩(wěn)壓管鉗位吸收、RC+穩(wěn)壓管;1.RCD吸收RCD鉗位法結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低
2021-10-22 09:06:0415

開(kāi)關(guān)電源二次側(cè)整流吸收電路參數(shù)對(duì)電源影響測(cè)試

開(kāi)關(guān)電源二次側(cè)整流吸收電路影響測(cè)試在工程使用中為保護(hù)開(kāi)關(guān)電源二次側(cè)整流電路安全,在整流管添加RC吸收電路,吸收多余的震蕩能量,降低EMI,本次測(cè)試主要通過(guò)觀察RC吸收電路吸收過(guò)程波形,確定器件所在
2021-10-22 10:21:036

開(kāi)關(guān)電源二次側(cè)整流吸收電路參數(shù)對(duì)電源影響測(cè)試

開(kāi)關(guān)電源二次側(cè)整流吸收電路影響測(cè)試在工程使用中為保護(hù)開(kāi)關(guān)電源二次側(cè)整流電路安全,在整流管添加RC吸收電路,吸收多余的震蕩能量,降低EMI,本次測(cè)試主要通過(guò)觀察RC吸收電路吸收過(guò)程波形,確定器件所在
2021-11-07 11:21:0416

反激式開(kāi)關(guān)電源吸收電路概述

在反激式開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)過(guò)程中,一般會(huì)在初級(jí)添加吸收電路用于吸收開(kāi)關(guān)瞬間產(chǎn)生的浪涌噪聲,常見(jiàn)的處理措施一般有三類:RCD鉗位吸收、穩(wěn)壓管鉗位吸收、RC+穩(wěn)壓管;1.RCD吸收RCD鉗位法結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低
2021-11-08 12:06:0016

電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn):RC吸收電路

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,我們常常使用到一個(gè)電阻串聯(lián)一個(gè)電容構(gòu)成的RC電路, RC電路性能會(huì)直接影響到產(chǎn)品性能和穩(wěn)定性。本文將為大家介紹一種既能降低開(kāi)關(guān)管損耗,且可降低變壓器的漏感和尖峰電壓的RC電路。 高頻
2022-02-10 12:22:1246

RCD尖峰吸收電路原理分析

R4電阻,D1二極管,C6電容是尖峰吸收電路,因?yàn)槭请娮桦娙荻O管組成的電路,簡(jiǎn)稱RCD吸收回路。那么為什么要加尖峰吸收回路呢,是因?yàn)橐Wo(hù)MOS管過(guò)壓擊穿,把峰值電壓限制在MOS管耐壓之內(nèi)。這樣MOS管就可以安全地工作了,那么它是如何工作的呢。
2022-11-23 09:30:4823371

反激開(kāi)關(guān)電源RCD尖峰吸收電路

對(duì)于反激式AC->DC的開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō),當(dāng)MOS管導(dǎo)通時(shí),一次繞組將有電流通過(guò),并將能量?jī)?chǔ)存在一次繞組里。二次繞組的整流二極管處于截止?fàn)顟B(tài),二次繞組無(wú)電流通過(guò)。
2023-07-04 11:01:354417

在開(kāi)關(guān)電源RCD和鉗位電路是一樣的嗎?

在開(kāi)關(guān)電源RCD和鉗位電路是一樣的嗎?? 開(kāi)關(guān)電源是一種常見(jiàn)的電力轉(zhuǎn)換設(shè)備,其主要功能是將輸入直流電源轉(zhuǎn)換為輸出所需的電壓、電流和電功率。在開(kāi)關(guān)電源中,RCD
2023-09-12 18:18:55929

反激電路尖峰可用什么電路吸收

反激電路尖峰可用什么電路吸收 反激電路是一種常見(jiàn)的電路設(shè)計(jì),它通常用于將一個(gè)電源電壓轉(zhuǎn)換成較低的電壓。反激電路的優(yōu)點(diǎn)在于它可以有效地控制電壓和電流,同時(shí)還能夠提高電源的效率。然而,在反激電路中,由于
2023-09-17 10:46:551928

基于開(kāi)關(guān)電源尖峰吸收電路研究

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于開(kāi)關(guān)電源尖峰吸收電路研究 .pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 10:29:150

基于開(kāi)關(guān)電源尖峰吸收電路研究

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于開(kāi)關(guān)電源尖峰吸收電路研究.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 14:45:192

詳解開(kāi)關(guān)電源RCD鉗位電路工作過(guò)程,為什么它能夠吸收能量?

詳解開(kāi)關(guān)電源RCD鉗位電路工作過(guò)程,為什么它能夠吸收能量?
2023-12-06 16:14:40326

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