工控領(lǐng)域大功率變頻可調(diào)開關(guān)電源的設(shè)計原理

（文章來源：OFweek）

正弦脈寬調(diào)制和變頻調(diào)速技術(shù)在工業(yè)控制領(lǐng)域的應(yīng)用日見廣泛。許多電力測試儀器都要求大功率、高性能以滿足電力設(shè)備的測試要求。目前，市場上的大功率開關(guān)電源，其核心功率器件大都采用MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和雙極型功率晶體管，它們都不能滿足小型、高頻、高效率的要求。

MOSFET場效應(yīng)晶體管具有開關(guān)速度快和電壓型控制的特點，但其通態(tài)電阻大，難以滿足高壓大電流的要求;雙極型功率晶體管雖然能滿足高耐壓大電流的要求，但沒有快速的開關(guān)速度，屬電流控制型器件，需要較大的功率驅(qū)動。絕緣柵雙極型功率晶體IGBT集MOSFET場效應(yīng)晶體管和雙極型功率晶體管于一體，具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、容量大等優(yōu)點。

用高性能的絕緣柵雙極型功率晶體IGBT作開關(guān)逆變元件、采用變頻調(diào)幅技術(shù)研制的逆變電源，具有效率高、性能可靠、體積小等優(yōu)點。

該電源采用高頻逆變技術(shù)、數(shù)字信號發(fā)生器、正弦脈寬調(diào)制和變頻調(diào)幅、時序控制上電和串聯(lián)諧振式輸出。電源具有效率高、輸出功率大、體積小等優(yōu)點，其總體塬理框圖如圖所示。

由數(shù)字信號發(fā)生器產(chǎn)生的正弦波被25kHz的叁角調(diào)制波調(diào)制，得到一個正弦脈寬調(diào)制波，經(jīng)驅(qū)動電路驅(qū)動逆變元件IGBT。改變正弦波的頻率，幅值便可達(dá)到調(diào)頻調(diào)幅輸出，逆變輸出為串聯(lián)諧振式輸出，將高頻載波信號濾掉，從而得到所需頻率的正弦信號。

時序控制電路用來控制功率源供電電源在上電時緩慢上電，確保電源上電時電流平穩(wěn)，同時還避免非過零點開關(guān)帶來的沖擊;在控制電路中還設(shè)計了故障鎖定功能，一旦電源故障，鎖定功能將禁止開通IGBT，當(dāng)故障出現(xiàn)時，IGBT被鎖點開通，這時大容量濾波電容會儲存很高的電能。所以，電源部分有故障保護(hù)自動切斷工作電源和自動放電功能，整機設(shè)計有雙重過流、過壓和過熱等完善的保護(hù)功能。

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