IGD系列IGBT驅動器內部框電路
2010-02-19 11:17:42
1897 
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器，其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 Power Integrations旗下子公司IGBT驅動器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國Ense開設一家新的設計中心。該設計中心將基于其驅動核開發(fā)半定制門極驅動設計，并利用CONCEPT的SCALE-2平臺為大型項
2013-01-17 16:36:441176 中高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日宣布可為其SCALE? IGBT和MOSFET驅動器出廠提供
2018-05-02 14:18:275271 Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅動器---VOD3120A，擴展其光電產品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率。
2019-02-17 09:17:001369 現有IGBT 型號為H20R1202 要設計他的驅動電路，在哪里找資料？或者有沒有設計過IGBT驅動電路的，能分享嗎？現在有一個驅動MOSFET 的電路，可以用在IGBT的驅動上嗎？
2016-04-01 09:34:58
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx大功率IGBT 在使用中驅動器至關重要，本文給出了不同功率等級IGBT 驅動器的設計計算方法，經驗公式及有關CONCEPT 驅動板的選型標準。
2019-02-03 21:00:00
IGBT、MOS驅動器
2019-08-09 16:28:23
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET
2018-08-27 20:50:45
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機或步進電機應用中， MOSFET驅動器可用來直接驅動電機。 不過，在本應用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
，逆變器，變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應加熱等領域。開關電源(SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但
2021-06-16 09:21:55
MOSFET驅動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅動器最適合您的應用呢？
2021-11-08 06:11:40
你好，我正在尋找這兩個MOSFET的驅動器IC，FDD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的邏輯由CPLD產生，為3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。這些
2018-10-25 14:27:53
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產的一款高速功率MOSFET和IGBT驅動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
：POWI）今日推出適用于流行的“新型雙通道”100mm x 140mm IGBT模塊的SCALE-iFlex? Single門極驅動器。這款緊湊型新驅動器支持耐壓在3.3kV以內的模塊，現可隨時供貨
2021-09-09 11:00:41
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
：-40°C至110°C最大低電平輸出電壓（VOL）：0.5V應用：隔離式IGBT / MOSFET柵極驅動器；交流和無刷直流電動機驅動器；電磁爐頂；工業(yè)變頻器；開關電源（SMPS）；不間斷電源（UPS）`
2019-10-30 15:23:17
開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些
2017-04-15 15:48:51
大功率IGBT 在使用中驅動器至關重要，本文給出了不同功率等級IGBT 驅動器的設計計算方法，經驗公式及有關CONCEPT 驅動板的選型標準。
2021-07-26 14:41:12
電機驅動設計中MOSFET驅動器與MOSFET的匹配設計相關文章資料，大家可以看看，對大家很有幫助！
2021-03-29 16:18:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
柵極驅動器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅動器供電可針對反相/非反相工作情況配置柵極驅動器輸入可選擇通過如下方式評估系統(tǒng)：柵極驅動器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發(fā)射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅動器
2018-09-01 09:53:17
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號，比較用的三角波為10Mhz。需要開關頻率能大于20Mhz的mosfet驅動器。請問mosfet驅動器的最高工作頻率是由什么參數決定的？有能達到20Mhz以上的mosfet驅動器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
極驅動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅動器也在另一塊板上實現，見圖3。 圖3.帶電壓源驅動器（頂部）和電流源驅動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調消隱時間的過流保護。先進的主動箝位保護欠壓和過壓鎖定保護。兩個 1 安培脈沖變壓器驅動器，用于故障信號通信。IX6611設計用于為高功率開關器件提供柵極驅動
2023-02-27 09:52:17
求教大佬們如何用DSP產生PWM波驅動IGBT的驅動器？代碼應該怎么寫??？
2019-01-08 09:15:35
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
最近在逛PIC官網的時候，查找相關應用手冊的時候挖到的一篇文章。根據電機控制應用需求選擇合適的MOSFET 驅動器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
管子開關影響?！ ?）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應用開關頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應用開關頻率大于100kHz，應用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅動器提供更低的信號
2023-02-27 16:03:36
，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流，同時選用時應該降額使用。額定工作電壓、電壓波動的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓；驅動器的外殼結構以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者：漂流的青春 車載控制器開發(fā)及測試
2023-03-23 16:01:54
如何實現IGBT模塊的驅動設計？在設計驅動電路時，需要考慮哪些問題？IGBT下橋臂驅動器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上橋臂驅動器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
MOSFET/IGBT/SiC-FET，電流高達 100A，運行頻率高達 500Khz在通電和斷電序列期間，防止 IGBT/FET 出現寄生導通和關斷4000 VPK 和 2500-VRMS 隔離層驅動器
2018-09-30 09:23:41
的額外電壓降。 特性在半橋配置中支持 2 個 IGBT 閘極驅動器推挽式拓撲可通過單個控制器實現適用于三相電源的并行變壓器級適用于更高功率驅動器的可擴展電源可為每個 IGBT 提供兩個隔離式輸出：+16V
2015-04-27 17:31:57
的額外電壓降。特性在半橋配置中支持 2 個 IGBT 閘極驅動器推挽式拓撲可通過單個控制器實現適用于三相電源的并行變壓器級適用于更高功率驅動器的可擴展電源可為每個 IGBT 提供兩個隔離式輸出：+16V
2015-03-23 14:35:34
本文介紹了在步進電機驅動器中利用IR2110S完成mosfet驅動的設計，并給出試驗結果。關鍵詞 步進電機；mosfet 驅動器
2009-03-31 23:29:46
55 IGBT和MOSFET器件的隔離驅動技術:介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅動技術以及當前市場上的各類成品驅動器的性能特點。關鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅動 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:4656 當今多種MOSFET 技術和硅片制程并存，而且技術進步日新月異。要根據MOSFET 的電壓/ 電流或管芯尺寸，對如何將MOSFET 驅動器與MOSFET 進行匹配進行一般說明，實際上顯得頗為
2009-07-04 13:49:0595 摘要：IR2117是美國IR公司專為驅動單個MoSFET或IGBT而設計的柵極驅動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能特點和參數限制，同時剖析了它的內部結構和工作原理，最后給出了
2010-05-05 09:03:4656 MOSFET驅動器與MOSFET的匹配設計本應用筆記將詳細討論與MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關的MOSFET 驅動器功耗。還將討論如何根據MOSFET 所需的導通和截止時間將MOSFET 驅動器的
2010-06-11 15:23:20212 lVO3120 IGBT/MOSFET驅動器：這些2.5A和0.5A的驅動器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 SCALE驅動是瑞士Concept公司生產的IGBT智能化驅動板，可用于驅動和保護IGBT。文中介紹了該IGBT智能化驅動板的主要功能、工作模式和引腳功能，給出該器件的典型應用電路。
2010-10-16 17:29:3144 摘要：SCALE驅動是瑞士Concept公司生產的IGBT智能化驅動板，可用于驅動和保護IGBT。文中介紹了該IGBT智能化驅動板的主要功能、工作模式和引腳功能，給出該器件的典
2006-03-11 13:02:111878 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006018 
SCALE驅動器的半橋接線電路
2010-02-18 21:55:541409 
SCALE驅動器接線電路
2010-02-18 22:03:141459 
SCALE系列集成驅動器的內部結構框電路
2010-02-18 22:30:561131 
大功率IGBT 在使用中驅動器至關重要，本文給出了不同功率等級IGBT 驅動器的設計計算方法，經驗公式及有關CONCEPT 驅動板的選型標準。
2011-09-20 11:55:03245 高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產品組合。
2014-03-25 10:19:44692 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅動器IC，SCALE-iDriver IC不僅采用加強絕緣技術，而且還提供最大8 A的驅動電流。
2016-05-10 17:39:341346 雙路智能大功率IGBT驅動器
2017-03-04 17:50:193 美國加利福尼亞州圣何塞，2017年5月16日 – 中高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者（納斯達克股票代號：POWI）今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道
2017-05-19 15:45:09946 的柵極驅動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉向MOSFET驅動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅動器電路：
2017-10-19 16:02:3723 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
耐用介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET功率模塊。該系統(tǒng)由一個中央絕緣主控制(IMC)和一到四個模塊適配型門極驅動器(MAG)組成。IMC提供4.5 kV
2019-07-02 16:57:324824 Power Integrations最新的SCALE-iFlex?門極驅動器系統(tǒng)可輕松實現業(yè)界最新的耐受電壓介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET雙通道功率模塊的并聯。
2019-08-01 16:06:132439 等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設計而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應用。
2020-03-05 14:27:583784 SCALE-2單通道+15/-10V即插即用型門極驅動器，新產品專為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅動器基于Power
2020-03-08 10:27:072136 近期 Vulkan 勢頭不小，游戲引擎 Godot 計劃年中發(fā)布的 4.0 大版本中將支持 Vulkan，Raspberry Pi 也即將迎來 Vulkan 的支持。現在我們還可以看到 FFmpeg 也將支持 Vulkan。
2020-03-16 09:38:552182 IR2104（S）是高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動器，具有獨立的高、低壓側參考輸出通道。專有的HVIC和鎖存免疫CMOS技術使加固單片結構成為可能。邏輯輸入與標準CMOS或LSTTL輸出
2020-04-28 08:00:0049 PI的SIC1182K和汽車級SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。 SCALE-2門極驅動核和其他SCALE-iDriver門極驅動器IC還支持不同SiC架構中的不同電壓，允許使用SiC MOSFET進行安全有效的設計。
2020-08-13 15:31:282476 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、導通和關斷、功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路
2021-06-14 03:51:003144 
本應用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅動器理論及其應用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術，驅動器的類型，隔離技術以及MOSFET / IGBT驅動器的IXYS系列以及一些實際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922 
SDK 1.2.162.0版本，完整支持新的Vulkan光追擴展，包括驗證層（Validation Layers），更新版GLSL、HLSL、SPIR-V著色器工具鏈的集成，開源的Vulkan實例
2020-12-16 13:32:296012 根據英偉達官方的消息，英偉達新發(fā)布的 Game Ready 驅動正式支持 Vulkan 光線追蹤，另外英偉達還更新了《雷神之錘 II》RTX 版游戲 Demo ，支持全新的行業(yè)標準。 英偉達表示
2020-12-25 09:03:582410 Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車
2021-01-20 15:00:2413 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 IGBT及MOSFET隔離驅動為可靠驅動絕緣柵器件，目前已有很多成熟電路。當驅動信號與功率器件不需要隔離時，驅動電路的設計是比較簡單的，目前也有了許多優(yōu)秀的驅動集成電路。
2021-02-08 17:38:007374 
本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅動器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評估板處于良好狀態(tài)。
2021-06-23 10:45:213357 
1SP0350V SCALE?-2 單通道即插即用柵極驅動器可靠、安全地驅動 4500 V 壓裝 IEGT 和 IGBT 以及其他 IEGT 和 IGBT 外形尺寸。它非常適合高壓直流輸電和鐵路行業(yè)的高可靠性應用。
2021-06-26 18:15:452236 的SCALE-iFlex Single門極驅動器和新型即插即用型SCALE-iFlex LT雙通道門極驅動器。 SCALE-iFlex Single SCALE-iFlex Single緊湊型新驅動器支持耐壓
2021-09-22 16:09:463657 MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 MOSFET及
IGBT柵極驅動電路的引腳排列內部結構、工作原理、主要技術參數和應用
技術。書中不但給出多種以這些驅動器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統(tǒng)專用驅動控制板的應用實例而且對這些具
2022-08-13 09:21:390 采用 IGBT 的電機驅動器中的噪聲管理
2022-11-15 20:27:511 ACPL-339J是一款先進的1.0 A雙輸出，易于使用，智能的手機IGBT門驅動光耦合器接口。專為支持而設計MOSFET制造商的各種電流評級，ACPL-339J使它更容易為系統(tǒng)工程師支持不同的系統(tǒng)
2022-12-15 13:58:19779 
使它更容易為系統(tǒng)工程師支持不同的系統(tǒng)額定功率使用一個硬件平臺通過交換MOSFET管套和電源IGBT/MOSFET開關。這個概念最大化了門驅動器設計的可伸縮性電機控制和功率轉換的應用范圍從低到高額定功率。
2023-02-22 14:54:521 在對功率模塊選型的時候要根據功率模塊的參數匹配合適的驅動器。這就要求在特定的條件下了解門級驅動性能和參數的計算方法。 本文將以實際產品中用到的參數進行計算說明，并且對比實際的IGBT和SiC
2023-02-22 14:45:3912 柵極驅動參考 1.PWM直接驅動2.雙極Totem-Pole驅動器3.MOSFET Totem-Pole驅動器4.速度增強電路5.dv/dt保護 1.PWM直接驅動 在電源應用中，驅動主開關
2023-02-23 15:59:0017 介紹
在設計電源開關系統(tǒng)（例如電機驅動器或電源）時，設計人員必須做出重要決定。什么電機或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機或變壓器？以及哪種柵極驅動器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 在電機驅動系統(tǒng)中，柵極驅動器或“預驅動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅動電機所需的大電流。在選擇驅動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關無源元件時，有很多需要考量的設計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導致實現方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:34809 
電子發(fā)燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 電子發(fā)燒友網站提供《現代IGBT/MOSFET柵極驅動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:150 IGBT7與IGBT4在伺服驅動器中的對比測試
2023-12-14 11:31:08232 
的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2?2SP0230T2x0雙通道門極驅動器可在不到2微秒的時間內部署短路保護功能，保護
2023-12-14 11:37:10288 報告內容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36580 
電橋電路柵驅動器和MOSFET柵驅動器產品介紹
2024-03-19 09:43:3650 
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工商網監(jiān)
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