非易失性MRAM誕生過程

MRAM技術(shù)是以可沉積在標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)，MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性。而當(dāng)自由層被施予反方向的極化時(shí)，MTJ便會(huì)有高電阻。此一磁阻效應(yīng)可使MRAM不需改變內(nèi)存狀態(tài)，便能快速讀取數(shù)據(jù)。在MRAM存儲(chǔ)器中有一個(gè)富含創(chuàng)造性的設(shè)計(jì)，這也是EVERSPIN的專利。
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在MRAM的誕生過程中，設(shè)計(jì)的難點(diǎn)和關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，在于一個(gè)小電流通過“自由層”，并使之翻轉(zhuǎn)，與固定層的極化方向相反或者相同。但是MRAM操作窗口特別小，即使很小的電流擾動(dòng)也會(huì)造成錯(cuò)誤。為此MARM的產(chǎn)品化道路一度陷入低迷。
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在2004初一個(gè)俄裔的工程師公布他提出的新的MRAM結(jié)構(gòu)和寫入方法(TOGGLE MRAM)，人們才重新燃起了對(duì)MRAM的希望。SONY 和 MOTORALA 馬上拿出了第一手的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù). 實(shí)驗(yàn)證明TOGGLE MRAM具有相當(dāng)大的操作窗口。另一個(gè)重大突破是2004年末IBM 和日本一家公司同時(shí)宣布拿到了300%的MTJ信號(hào)。2004年在業(yè)界是非常激動(dòng)人心的時(shí)刻，這一系列的突破暗示著MRAM的曙光就在眼前。
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現(xiàn)在MRAM有很多優(yōu)異的指標(biāo)，但是并非完美。它的存儲(chǔ)密度和容量決定了它尚不能更大范圍的替代其他存儲(chǔ)器產(chǎn)品。但是根據(jù)摩爾定律，芯片尺寸會(huì)越來越小，這也是為什么很多人都認(rèn)為DRAM快走到了它生命周期的盡頭。PCM存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于MRAM和DRAM。在未來的五年里，它將是MRAM有力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。MRAM想在未來新存儲(chǔ)的世界里稱王稱霸，還是需要一番突圍的。

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MRAM(31550) MRAM(31550)
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學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-09-05 21:29:13

keithley吉時(shí)立7001開關(guān)控制器

7001自己控制測(cè)試過程中的每一步動(dòng)作。簡(jiǎn)單的程序即可控制通道間隔、掃描間隔和掃描次數(shù)。一個(gè)內(nèi)置的非易失存儲(chǔ)器可以存儲(chǔ)100種開關(guān)狀態(tài)的組合。詳細(xì)介紹7001美國吉

2023-09-05 11:24:27

Freescale Kinetis設(shè)備上的內(nèi)存配置

飛思卡爾的Kinetis設(shè)備提供FlexMemory技術(shù)，該技術(shù)為靈活的內(nèi)存使用提供了多功能和強(qiáng)大的解決方案。 FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。 FlexNVM是一種非易失

2023-09-04 06:29:35

關(guān)于非易失性MRAM應(yīng)用

作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎，而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。它相對(duì)較大，在內(nèi)存領(lǐng)域，尺寸意味著成本。

2023-08-30 15:28:50

407

Arm Ethos-U NPU應(yīng)用程序開發(fā)概述

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的推理過程中。 ?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內(nèi)存事務(wù) 延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發(fā)的存儲(chǔ)器例如閃存或DRAM。內(nèi)存用于運(yùn)行時(shí)的非易失性

2023-08-02 06:37:01

KP3111LGA必易微5V200mA離線式PWM功率開關(guān)

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)KP3111LGA必易微5V200mA離線式PWM功率開關(guān)，原裝，現(xiàn)貨高性能、低成本離線式 PWM 功率開關(guān)KP3111LGA必易微5V200mA離線式PWM

2023-08-01 16:51:03

DS1250是一款芯片

DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容

2023-07-21 15:41:00

DS1245是一款芯片

DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否

2023-07-21 15:38:54

DS1230是一款芯片

DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:37:16

DS1345YP-100+是一款監(jiān)測(cè)器

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出

2023-07-21 15:23:14

DS1330是一款芯片

DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:20:44

DS1270是一款芯片

DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:18:27

DS1265是一款芯片

DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:13:33

DS1249是一款芯片

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出

2023-07-21 15:11:06

MXD1210是一款控制器

MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫保護(hù)

2023-07-21 15:01:52

拍字節(jié)（舜銘）鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)PB85RS2MC可兼容MB85RS2MT

2023-07-18 17:13:33

拍字節(jié)（舜銘）鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)PB85RS128可兼容MB85RS128B

2023-07-18 17:08:13

ADUC831是一款芯片

兼容12個(gè)內(nèi)核時(shí)鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲(chǔ)器。片內(nèi)同時(shí)集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)RAM和2 kB擴(kuò)

2023-07-14 17:15:06

linux內(nèi)核線程就這樣誕生了么？

線程是操作系統(tǒng)的重要組成部件之一，linux內(nèi)核中，內(nèi)核線程是如何創(chuàng)建的，在內(nèi)核啟動(dòng)過程中，誕生了哪些支撐整個(gè)系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)的線程，本文將帶著這個(gè)疑問瞅一瞅內(nèi)核源碼，分析內(nèi)核線程的創(chuàng)建機(jī)制。

2023-07-10 10:45:28

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芯片制造商N(yùn)etsol推出STT-MRAM

Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對(duì)于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。

2023-07-07 17:06:59

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數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用STT-MRAM芯片S3R1016

MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過程?？梢杂涗浵到y(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機(jī)器狀態(tài)；用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。

2023-06-20 17:06:22

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1Mbit存儲(chǔ)MRAM芯片MR0A16A

Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。

2023-05-31 17:23:08

403

非易失性內(nèi)存有寫入限制嗎？

我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。

2023-05-30 08:48:06

行業(yè)首創(chuàng)！恩智浦?jǐn)y手臺(tái)積電，推出汽車級(jí)16納米FinFET嵌入式MRAM

恩智浦和臺(tái)積電聯(lián)合開發(fā)采用臺(tái)積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級(jí)，消除量產(chǎn)瓶頸恩智浦計(jì)劃于2025年初推出采用該技術(shù)

2023-05-26 20:15:02

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兆易創(chuàng)新GD32F303替代STM32F103教程(02)CAN模塊及系統(tǒng)注意事項(xiàng) #程序代碼#硬聲創(chuàng)作季

兆易創(chuàng)新

也許吧發(fā)布于 2023-05-24 10:55:36

色壞易折安瓿折斷力測(cè)試儀

色壞易折安瓿折斷力測(cè)試儀安瓿瓶折斷力測(cè)試儀是一種用于測(cè)試安瓿瓶的機(jī)械強(qiáng)度、可靠性和安全性能的專用試驗(yàn)設(shè)備，通常由液壓系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具等主要組成部分。在測(cè)試過程中，將待測(cè)安瓿瓶放置在測(cè)試

2023-05-23 16:42:10

存儲(chǔ)介質(zhì)的類型有哪些？

一種便攜式存儲(chǔ)設(shè)備，當(dāng)插入計(jì)算機(jī)時(shí)，被解析為內(nèi)置硬盤設(shè)備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅(qū)動(dòng)器是一種更受歡迎的可移動(dòng)存儲(chǔ)形式。 5、RAM RAM是一個(gè)易失性內(nèi)存選項(xiàng)。一旦設(shè)備

2023-05-18 14:13:37

Netsol并口STT-MRAM非易失存儲(chǔ)S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。

2023-05-12 16:31:39

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有人可以提供caam-keygen實(shí)用程序的來源嗎？

targets”列出了 crypt。我可以成功地按照 i.MX Linux 用戶指南中的說明使用 CAAM 可信純密鑰加密/解密非易失性存儲(chǔ)上的數(shù)據(jù)，但 bsp 不包括使用 CAAM 標(biāo)記密鑰加密所需

2023-05-09 08:45:33

Netsol SPI MRAM芯片S3A1604

S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲(chǔ)芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)。可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。

2023-04-27 17:33:44

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一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器

2023-04-19 17:45:46

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如何使用SEMC將iMX RT1024連接到MRAM？

我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數(shù)據(jù)表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過比較 MR5A16A 數(shù)據(jù)表和 iMX RT1024 參考手冊(cè)

2023-04-17 07:52:33

IMX6UL如何從安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 讀取或?qū)懭耄?/a>

我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域

2023-04-14 07:38:45

兆易創(chuàng)新全系列車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品累計(jì)出貨1億顆

中，車載電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度顯著提升，對(duì)于存儲(chǔ)產(chǎn)品而言，大容量、實(shí)時(shí)響應(yīng)、高可靠性和安全性必不可少，兆易創(chuàng)新車規(guī)級(jí)GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPINAND Flash具有豐富

2023-04-13 15:18:46

求助，如何使用非易失性密鑰生成CMAC？

我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM

2023-04-10 06:34:32

NETSOL串行MRAM產(chǎn)品介紹

STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl（串行外圍接口）是一個(gè)帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的同步串行通信接口。

2023-04-07 17:02:07

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MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需

2023-04-07 16:41:05

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢(shì)？

據(jù)保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià)?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個(gè)8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標(biāo)稱電源供電

2023-04-07 16:26:28

非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G特征介紹

可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲(chǔ)器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲(chǔ)器可以用作額外

2023-04-07 16:23:11

關(guān)于CH573的存儲(chǔ)映射結(jié)構(gòu)

在CH573存儲(chǔ)中，分為用戶應(yīng)用程序存儲(chǔ)區(qū)CodeFlash，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)DataFlash,系統(tǒng)引導(dǎo)程序存儲(chǔ)區(qū)Bootloader，系統(tǒng)非易失配置信息存儲(chǔ)區(qū)InfoFlash。一般在使用時(shí)

2023-04-07 11:46:50

AD21487WBSWZ4B04

SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS

2023-04-06 11:21:52

MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性

在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中，MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商：吉芯澤科技

2023-03-29 16:31:22

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請(qǐng)教一下大神伺服電機(jī)失步時(shí)是怎樣得到補(bǔ)償?shù)模?/a>

請(qǐng)教一下大神伺服電機(jī)失步時(shí)是怎樣得到補(bǔ)償?shù)模?/div>

2023-03-23 15:34:44

如何通過與隨機(jī)非持久處理器寄存器進(jìn)行異或來保護(hù)瞬態(tài)對(duì)稱密鑰？

我目前正在嘗試防止臨時(shí)對(duì)稱密鑰在重新啟動(dòng)后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計(jì)劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時(shí)歸零）對(duì)它們進(jìn)行異或，我在重啟時(shí)將其設(shè)置為隨機(jī)數(shù)。（這與非易失性寄存器

2023-03-23 07:07:21

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評(píng)論