溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲(chǔ)單元的細(xì)長孔洞。
2024-03-20 10:19:47
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溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲(chǔ)單元的細(xì)長孔洞。這些通孔貫穿整個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)，并填充了導(dǎo)電材料，它們?cè)诿總€(gè)存儲(chǔ)層之間形成導(dǎo)電通道，從而使電子能夠在在存儲(chǔ)單元間移動(dòng)，進(jìn)行讀取、寫入和擦除操作。
2024-03-20 10:17:5331 
FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列）屬于硬件設(shè)備，而不是軟件。它是一種可編程的硬件設(shè)備，由大量的邏輯單元、存儲(chǔ)單元和互連資源組成，能夠?qū)崿F(xiàn)復(fù)雜的數(shù)字電路和系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2024-03-14 17:08:59122 存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)可以從圖片中清晰的看出來，圖片中共分為六級(jí)，越向上的層次，存儲(chǔ)器速度越快，容量更小，造價(jià)越高。
2024-02-19 14:03:42415 
通過多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪問速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪問速度，而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的存儲(chǔ)空間。
2024-02-19 13:54:42121 
與主存儲(chǔ)器（內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（外存）有不同的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。 首先，我們來詳細(xì)了解ROM的特點(diǎn)和分類。ROM是一種非易失性存儲(chǔ)器，這意味著即使在斷電或重啟系統(tǒng)后，存儲(chǔ)在ROM中的數(shù)據(jù)仍然保持完整。這是由于ROM的存儲(chǔ)單元是由非可更改的電路或柵電勢(shì)器構(gòu)成
2024-02-05 10:05:10737 SRAM 中的每個(gè)存儲(chǔ)單元由多個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成。每個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)一個(gè)位的數(shù)據(jù)，并在電源供電時(shí)一直保持該狀態(tài)，不需要刷新操作。
2024-02-05 09:31:57950 ，包括其結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)以及如何寫入數(shù)據(jù)。 一、STM32 Flash的結(jié)構(gòu) STM32 Flash存儲(chǔ)器通常被分為多個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)大小為2KB到256KB不等，根據(jù)不同的型號(hào)有所不同。每個(gè)扇區(qū)可以獨(dú)立進(jìn)行
2024-01-31 15:46:03419 隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（RAM）分為靜態(tài)RAM（SRAM）和動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）。由于動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)非常簡單，所以它能達(dá)到的集成度遠(yuǎn)高于靜態(tài)存儲(chǔ)器。但是動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的存取速度不如靜態(tài)存儲(chǔ)器快。
2024-01-19 15:47:38514 
篇文章中將詳細(xì)討論RAM的工作原理以及為什么它會(huì)丟失數(shù)據(jù)。 一、RAM的工作原理 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）是一種常見的計(jì)算機(jī)內(nèi)存類型，用于臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。它通過讓CPU快速訪問存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)來提高計(jì)算機(jī)性能。RAM是由許多存儲(chǔ)單元組成的，每個(gè)單元都有
2024-01-16 16:30:19840 長江存儲(chǔ)晶棧Xtacking架構(gòu)的原理就是在兩片獨(dú)立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，然后在芯片封裝階段將兩者合二為一，更高效率的同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了更高的密度、更快的速度。
2024-01-16 11:41:11354 
SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等，存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。NAND FLASH內(nèi)部存儲(chǔ)讀寫的基本單元為Block和Page。
2024-01-02 10:16:58277 
NOR Flash是一種基于NOR門結(jié)構(gòu)的閃存，NOR是邏輯門電路中的“或非”門。NOR Flash具有并行訪問結(jié)構(gòu)，這意味著每個(gè)存儲(chǔ)單元都有一個(gè)地址，可以直接訪問任何存儲(chǔ)單元，這使NOR Flash具有快速的隨機(jī)訪問能力，適用于執(zhí)行代碼和讀取關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
2023-12-27 14:37:05293 門。盡管它們都是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的，但在構(gòu)造、功能、性能和應(yīng)用方面存在很多區(qū)別。 首先，DRAM和NAND的構(gòu)造方式不同。DRAM是由一個(gè)個(gè)存儲(chǔ)單元組成的，每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容和一個(gè)開關(guān)組成。在讀寫數(shù)據(jù)
2023-12-08 10:32:003905 從架構(gòu)上看，CMOS圖像傳感器類似于一個(gè)存儲(chǔ)器memory，它有大量存儲(chǔ)單元，支持行和列的尋址操作，區(qū)別在于存儲(chǔ)器是電路寫入內(nèi)容，而sensor中的內(nèi)容是可見光或近紅外光線寫入的。
2023-12-07 10:08:37190 
要了解存儲(chǔ)器的尋址方法，須先掌握其編址方法。S7 -200 SMART PLC的存儲(chǔ)單元編址有一定的規(guī)律，它將存儲(chǔ)器按功能不同劃分成若干個(gè)區(qū)，如I區(qū)（輸入繼電器區(qū)）、Q區(qū)（輸出繼電器區(qū)）、M區(qū)、SM區(qū)、V區(qū)、L區(qū)等，由于每個(gè)區(qū)又有很多存儲(chǔ)單元，因而這些單元需要進(jìn)行編址。PLC存儲(chǔ)區(qū)常采用以下方式編址。
2023-12-07 09:43:58255 
Nor Flash采用NOR門結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)存儲(chǔ)單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實(shí)現(xiàn)高效的隨機(jī)訪問和快速的數(shù)據(jù)檢索。
2023-12-05 15:21:59363 Nor Flash 中的編程和擦除操作涉及寫入數(shù)據(jù)和擦除存儲(chǔ)單元的特定步驟。
2023-12-05 15:19:06321 閃存編程也不涉及將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元，為確保準(zhǔn)確編程，Nor Flash 支持字節(jié)級(jí)編程，允許寫入或修改單個(gè)字節(jié)，而無需擦除整個(gè)塊。
2023-12-05 14:03:22390 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
無共享體系結(jié)構(gòu) （SNA：Shared-Nothing Architecture） 是一種分布式計(jì)算體系結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)更新請(qǐng)求都由計(jì)算機(jī)群集中的單個(gè)節(jié)點(diǎn)（處理器/內(nèi)存/存儲(chǔ)單元）滿足。目的是消除節(jié)點(diǎn)
2023-11-27 10:12:52320 
安全存儲(chǔ)功能中使用的重要結(jié)構(gòu)體 在整個(gè)安全存儲(chǔ)功能的操作過程中，存在一些很重要的結(jié)構(gòu)體，這些結(jié)構(gòu)體用于記錄或保存所有安全文件和dirf.db文件的操作信息，這些結(jié)構(gòu)體的關(guān)系框圖如圖所示
2023-11-21 14:36:07137 
內(nèi)部功能，這種產(chǎn)品也被稱作異步 DRAM 。 DRAM 的存儲(chǔ)單元的長寬比接近 1：1，為陣列（Array）形狀，存儲(chǔ)器的地址線則被分為行（Row）（地）址線和列（Column）（地）址線。行址線用來
2023-11-17 09:26:27378 的地址，這樣只要知道了存儲(chǔ)單元的地址，就可以找到這個(gè)存儲(chǔ)單元，其中存儲(chǔ)的指令就可以被取出，然后再被執(zhí)行。
單片機(jī)的特點(diǎn)
體積小，結(jié)構(gòu)簡單
控制能力強(qiáng)
低電壓，低功耗
優(yōu)異的性能、價(jià)格比
FPGA
2023-11-14 15:30:30
存儲(chǔ)器容量是可編程序控制器本身能提供的硬件存儲(chǔ)單元大小，程序容量是存儲(chǔ)器中用戶應(yīng)用項(xiàng)目使用的存儲(chǔ)單元的大小，因此程序容量小于存儲(chǔ)器容量。設(shè)計(jì)階段，由于用戶應(yīng)用程序還未編制，因此，程序容量在設(shè)計(jì)階段是未知的，需在程序調(diào)試之后才知道。
2023-11-12 09:46:27416 邏輯單元在FPGA器件內(nèi)部，用于完成用戶邏輯的最小單元。
2023-10-31 11:12:12540 
ROM存儲(chǔ)和RAM存儲(chǔ)在物理結(jié)構(gòu)上有什么區(qū)別，如何才能實(shí)現(xiàn)只讀存儲(chǔ)和隨機(jī)存儲(chǔ)？
2023-10-30 07:09:38
SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-10-27 10:27:03198 
盤點(diǎn)芯邦科技存儲(chǔ)主控芯片 USB控制器芯片 SD卡控制器芯片 存儲(chǔ)主控芯片是一種集成電路芯片，用于控制和管理存儲(chǔ)設(shè)備。它負(fù)責(zé)管理多個(gè)存儲(chǔ)單元 （如內(nèi)存、固態(tài)硬盤、閃存卡等）之間的數(shù)據(jù)傳輸和存取操作
2023-10-25 12:43:001054 
設(shè)計(jì)都涉及到對(duì)RAM的讀寫操作。在FPGA芯片中，RAM也叫做存儲(chǔ)塊（Block RAM），可以存儲(chǔ)大量的數(shù)據(jù)。 FPGA中的RAM可以一次讀取多個(gè)數(shù)據(jù)，這是因?yàn)镽AM的結(jié)構(gòu)是一個(gè)多列的數(shù)據(jù)表格，其中每一列都是一個(gè)包含多個(gè)存儲(chǔ)單元的塊。通過在時(shí)鐘的一次上升沿來讀取RAM中的數(shù)據(jù)，這個(gè)操作必須在一個(gè)
2023-10-18 15:28:20597 它來進(jìn)行跨時(shí)鐘域傳輸數(shù)據(jù)。 一、雙口RAM的工作原理 雙口RAM是一種有兩個(gè)讀寫口的存儲(chǔ)器，因此可以在兩個(gè)時(shí)鐘域之間傳輸數(shù)據(jù)。它通常由一個(gè)存儲(chǔ)單元陣列和控制邏輯電路組成。其中，存儲(chǔ)單元陣列負(fù)責(zé)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，控制邏輯電路則負(fù)責(zé)管理存儲(chǔ)單
2023-10-18 15:24:01472 據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nand的存儲(chǔ)器容量可以通過將存儲(chǔ)器單元層垂直堆積來增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368 怎么把單片機(jī)存儲(chǔ)單元清0或置1?
2023-10-16 07:59:42
固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD）是一種由固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列構(gòu)成的存儲(chǔ)設(shè)備，由控制單元和存儲(chǔ)單元組合而成。其接口規(guī)范、功能和使用方法與傳統(tǒng)硬盤完全一致，外形和尺寸也相同。與傳統(tǒng)硬盤相比，SSD提供了更快的讀寫速度和更高的可靠性。
2023-10-12 09:29:07746 
系統(tǒng)存儲(chǔ)器用來存放PLC生產(chǎn)廠家編寫的系統(tǒng)程序，用戶不能修改。 如：存放系統(tǒng)工作程序（監(jiān)控程序）；存放命令解釋程序；存放功能子程序的調(diào)用管理程序；存放存儲(chǔ)系統(tǒng)參數(shù)。
2023-10-04 15:13:00209 
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-09-25 09:45:51161 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何配置存儲(chǔ)器保護(hù)單元(MPU).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 09:33:45
0 單片機(jī)可以使用鏈表結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)嗎
2023-09-20 07:56:38
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于Zynq UltraScale+設(shè)備中PL隔離的存儲(chǔ)器和外設(shè)保護(hù)單元.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-13 15:23:160 GX1831 數(shù)字溫度計(jì)提供 12bit 分辨率的溫度測(cè)量，可以通過可編程非易失性存儲(chǔ)單元實(shí)現(xiàn)溫度的下限和上限報(bào)警。
2023-09-12 14:12:58275 
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲(chǔ)信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）、只讀存儲(chǔ)器（ROM）和硬盤存儲(chǔ)器等幾類。本文將介紹存儲(chǔ)器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272105 本文以Cortex-A53處理器為例，通過訪問 處理器中的 **內(nèi)部存儲(chǔ)單元** （tag RAM和dirty RAM），來讀取cache line 中的MOESI信息。
2023-09-08 14:35:44423 
在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸(SNC)結(jié)構(gòu)。
2023-09-08 10:02:25592 
根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測(cè)方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線之間漏電測(cè)定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲(chǔ)單元中寫設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24523 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)的重要性.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-30 17:20:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)的現(xiàn)代化.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-30 16:58:280 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)注意事項(xiàng):SAN和HCI.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-30 11:31:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《網(wǎng)絡(luò)下一代企業(yè)存儲(chǔ)：NVMe結(jié)構(gòu).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-28 11:39:450 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021022 PrimeCell TrustZone Memory Adapter(TZMA)是符合AMBA標(biāo)準(zhǔn)的片上系統(tǒng)外圍設(shè)備。
TZMA允許在安全分區(qū)和非安全分區(qū)之間共享高達(dá)2MB的單個(gè)物理存儲(chǔ)單元。
分區(qū)
2023-08-17 08:04:57
ARM系統(tǒng)MMU(SMMU)體系結(jié)構(gòu)為存儲(chǔ)器管理單元(MMU)實(shí)施提供了靈活的實(shí)施框架，具有多個(gè)實(shí)施定義的選項(xiàng)。
該體系結(jié)構(gòu)可用于系統(tǒng)級(jí)的MMU。
它基于轉(zhuǎn)換表中保存的地址映射和內(nèi)存屬性信息，支持從
2023-08-12 06:25:35
ETMv4跟蹤單元通過生成跟蹤元素來跟蹤處理元素或PE的執(zhí)行。
ETMv4體系結(jié)構(gòu)定義了從PE的執(zhí)行生成這些跟蹤元素。
ETMv4跟蹤單元可以生成兩個(gè)跟蹤元素流：
·指令跟蹤元素流。
·如果實(shí)現(xiàn)并
2023-08-11 07:59:35
使用DDR4作為外接存儲(chǔ)單元時(shí)，蜂鳥e203的訪問地址為0x40000000,但是經(jīng)過vivado的Block design后使用DDR4，在板子上跑測(cè)試DDR4讀寫程序，報(bào)store訪問異常
2023-08-11 06:17:58
體系結(jié)構(gòu)包括當(dāng)計(jì)數(shù)器達(dá)到閾值時(shí)產(chǎn)生中斷的機(jī)制。
在CoreSight性能監(jiān)視單元體系結(jié)構(gòu)中，事件計(jì)數(shù)器是單調(diào)增加的。但是，在某些情況下，PMU提供監(jiān)控器來測(cè)量組成部分例如，監(jiān)控器可能在分配資源時(shí)遞增
2023-08-09 07:20:43
Arm?密鑰管理單元（KMU）是一種集中的密鑰管理架構(gòu)，用于存儲(chǔ)對(duì)稱密鑰材料（資產(chǎn)）。存儲(chǔ)在KMU中的密鑰對(duì)于軟件或其他硬件組件來說是不可讀的。
軟件只能使用存儲(chǔ)在KMU中的資產(chǎn)通過將密鑰導(dǎo)出到加密
2023-08-09 06:43:22
DynamIQ? 共享單元（DSU）包括支持DynamIQ的L3存儲(chǔ)系統(tǒng)、控制邏輯和外部接口? 簇DynamIQ? 集群微體系結(jié)構(gòu)將一個(gè)或多個(gè)核心與DSU集成，以形成一個(gè)集群，該集群實(shí)現(xiàn)為指定的配置
2023-08-08 06:48:05
汽車微控制器正在挑戰(zhàn)嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（e-NVM）的極限，主要體現(xiàn)在存儲(chǔ)單元面積、訪問時(shí)間和耐熱性能三個(gè)方面。在許多細(xì)分市場(chǎng)（例如：網(wǎng)關(guān)、車身控制器和電池管理單元）上，隨著應(yīng)用復(fù)雜程度提高
2023-08-04 14:24:46333 
布局即可實(shí)現(xiàn)替換。
NAND Flash Menory
介紹 NAND Flash 有關(guān)資料均來自 KIOXIA 官網(wǎng) 。
存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)
下圖為閃存的內(nèi)部存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)（橫截面）。存儲(chǔ)單元是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
2023-07-28 16:23:18
日志結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)在當(dāng)今存儲(chǔ)系統(tǒng)中被廣泛使用，然而其中的垃圾回收會(huì)將有效數(shù)據(jù)重新寫入導(dǎo)致寫放大現(xiàn)象。
2023-07-28 10:31:52205 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫保護(hù)
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫保護(hù)
2023-07-13 11:31:16
ROM中的資料永遠(yuǎn)無法做修改。 高度集成化的NAND構(gòu)成。（1個(gè)晶體管單元） 數(shù)據(jù)的寫入方法 在Wafer過程內(nèi)寫入信息 “1”：將離子注入晶體管 “0”：不注入離子 數(shù)據(jù)的讀取方法 使讀取單元
2023-07-12 17:35:25736 
憶阻器英文名為memristor, 用符號(hào)M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能，是一種新一代高速存儲(chǔ)單元，通常稱為阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。
2023-07-12 11:10:53355 
在FPGA的設(shè)計(jì)中的，內(nèi)部的FIFO和RAM是兩種非常常見的存儲(chǔ)單元
2023-07-11 17:23:33956 東北大學(xué)近日宣布，單晶鈷（Co）/鉑（Pt）結(jié)構(gòu)是一種簡單的鐵磁/非磁雙層結(jié)構(gòu)，可以在不使用外部磁場(chǎng)的情況下通過電流注入來磁化。表明Co/Pt結(jié)構(gòu)可以用光記錄信息，也可以有效地用電記錄信息，并且，他們已經(jīng)開發(fā)了一種非易失性磁場(chǎng)，可以存儲(chǔ)來自光纖和電線的數(shù)據(jù)。宣布已成功開發(fā)一種記憶材料。
2023-07-11 09:59:55171 
存儲(chǔ)主控芯片是一種集成電路芯片，用于控制和管理存儲(chǔ)設(shè)備。它負(fù)責(zé)管理多個(gè)存儲(chǔ)單元（如內(nèi)存、固態(tài)硬盤、閃存卡等）之間的數(shù)據(jù)傳輸和存取操作。存儲(chǔ)主控芯片通常包括處理器、內(nèi)存控制器、接口控制器等功能模塊，以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的數(shù)據(jù)傳輸和存儲(chǔ)管理。
2023-07-10 15:50:172807 隨著更快的圖形處理單元（GPU）能夠提供明顯更高的計(jì)算能力，存儲(chǔ)設(shè)備和GPU存儲(chǔ)器之間的數(shù)據(jù)路徑瓶頸已經(jīng)無法實(shí)現(xiàn)最佳應(yīng)用程序性能。
2023-07-08 15:10:39201 
鎖存器(Latch)是一種對(duì)脈沖電平敏感的存儲(chǔ)單元，它們可以在特定輸入脈沖電平作用下改變狀態(tài)。鎖存，就是把信號(hào)暫存以維持某種電平狀態(tài)。
2023-07-06 15:10:39646 
通用型PLC的硬件基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，它是一種通用的可編程控制器，主要由中央處理單元CPU、存儲(chǔ)器、輸入/輸出（I/O）模塊及電源組成。
2023-07-04 16:56:57666 
可編程控制器的結(jié)構(gòu)多種多樣，但其組成的一般原理基本相同，都是以微處理器為核心的結(jié)構(gòu)。通常由中央處理單元（CPU）、存儲(chǔ)器（RAM、ROM）、輸入輸出單元（I/O）、電源和編程器等幾個(gè)部分組成。
2023-07-04 16:44:531727 Nand Flash根據(jù)每個(gè)存儲(chǔ)單元內(nèi)存儲(chǔ)比特個(gè)數(shù)的不同，主要分為 SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell） 、 TLC（Triple-Level Cell）、QLC（Quad-Level Cell）四大類。
2023-06-30 12:20:23829 
一、前言 本篇介紹STM32芯片的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，ARM公司負(fù)責(zé)提供設(shè)計(jì)內(nèi)核，而其他外設(shè)則為芯片商設(shè)計(jì)并使用，ARM收取其專利費(fèi)用而不參與其他經(jīng)濟(jì)活動(dòng)，半導(dǎo)體芯片廠商拿到內(nèi)核授權(quán)后，根據(jù)產(chǎn)品需求，添加各類
2023-06-22 09:20:001040 
而存算一體則是把存儲(chǔ)單元和處理單元合二為一，把數(shù)據(jù)和計(jì)算融合在同一片區(qū)中，這樣處理的好處在于可以直接利用存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，從根本上消除馮諾依曼架構(gòu)計(jì)算存儲(chǔ)分離的問題，尤其特別適用于現(xiàn)代大數(shù)據(jù)大規(guī)模并行的應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-06-20 15:49:251168 
C語言里變量是一個(gè)有名字的，具有具體屬性的一個(gè)存儲(chǔ)單元，可以將變量直接就理解為內(nèi)存。
2023-06-15 08:49:521534 
隨機(jī)存儲(chǔ)器可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址中讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫入任何一個(gè)指定的存儲(chǔ)單元中
2023-06-05 15:49:47785 
鎖存器（ latch）是電平觸發(fā)的存儲(chǔ)單元，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的狀態(tài)取決于輸入時(shí)鐘（或者使能）信號(hào)的電平值，僅當(dāng)鎖存器處于使能狀態(tài)時(shí)，輸出才會(huì)隨著數(shù)據(jù)輸入發(fā)生變化。
2023-06-02 15:45:551442 
選通管（Selector）。為了抑制交叉存儲(chǔ)陣列的漏電流問題，往往引入選通管與存儲(chǔ)單元集成設(shè)計(jì)。相比于非易失性器件，易失性憶阻器作為選通管時(shí)，不需要額外的復(fù)位操作，簡化了外圍電路的設(shè)計(jì)，有助于存儲(chǔ)芯片的高密度集成；
2023-06-02 14:43:371592 
是邏輯塊。邏輯塊的關(guān)鍵部分是輸入的多路復(fù)用器、觸發(fā)器和查找表（LUT）。每個(gè)塊通過垂直和水平布線連接到相鄰的塊，以實(shí)現(xiàn)互連，電源和接地。配置數(shù)據(jù)位被水平地饋送到存儲(chǔ)單元，而垂直信號(hào)選擇要加載的存儲(chǔ)單元
2023-06-02 14:03:57
鎖存器（Latch），是電平觸發(fā)的存儲(chǔ)單元，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的動(dòng)作取決于輸入時(shí)鐘（或者使能）信號(hào)的電平值。僅當(dāng)鎖存器處于使能狀態(tài)時(shí)，輸出才會(huì)隨著數(shù)據(jù)輸入發(fā)生變化。
2023-06-02 11:32:251153 
鐵電存儲(chǔ)器硬件接線圖傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，讀寫速度較慢，存儲(chǔ)單元反復(fù)擦寫后容易損壞，無法滿足機(jī)艙油氣濃度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的要求，故此，國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器可快速讀寫，擦寫次數(shù)可達(dá)1E6 次讀/寫操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21137 
和模塊：與太陽能電池連接并從中捕獲能量的前端；將能量引導(dǎo)至存儲(chǔ)單元（電池或超級(jí)電容器）的電源管理功能，以及控制從存儲(chǔ)單元提取能量的電力負(fù)荷管理模塊。
2023-05-18 09:16:14785 
鎖存器（latch）：是電平觸發(fā)的存儲(chǔ)單元，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的動(dòng)作（狀態(tài)轉(zhuǎn)換）取決于輸入時(shí)鐘（或者使能）信號(hào)的電平值，盡當(dāng)鎖存器處于使能狀態(tài)時(shí)，輸出才會(huì)隨著數(shù)據(jù)輸入發(fā)生變化。
2023-04-25 11:00:478481 
內(nèi)存芯片中每個(gè)單元都有以字節(jié)線和比特線組合的獨(dú)立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內(nèi)存條為例，每粒內(nèi)存芯片有4G個(gè)獨(dú)立地址。
2023-04-25 10:05:085448 
存儲(chǔ)器容量是可編程序控制器本身能提供的硬件存儲(chǔ)單元大小，程序容量是存儲(chǔ)器中用戶應(yīng)用項(xiàng)目使用的存儲(chǔ)單元的大小，因此程序容量小于存儲(chǔ)器容量。
2023-04-23 10:32:16982 PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，對(duì)標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 。根據(jù)閃存的類型，閃存的使用壽命會(huì)縮短，大多數(shù)閃存產(chǎn)品在磨損開始惡化存儲(chǔ)完整性之前，能夠承受大約10000至1000000次擦除/寫入循環(huán)。就大小和成本而言，閃存具有比EEPROM更小的存儲(chǔ)單元尺寸，并且實(shí)現(xiàn)成本更低。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:42:42
SDRAM英文名是：Synchronous Dynamic Random Access Memory，即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，同步指存儲(chǔ)器的工作需要參考時(shí)鐘。
2023-04-04 17:11:323330 
PLC梯形圖中的某些編程元件沿用了繼電器這一稱號(hào)，如輸入繼電器、輸出繼電器、內(nèi)部輔佐繼電器等，可是它們不是實(shí)在的物理繼電器，而是一些存儲(chǔ)單元（軟繼電器），每一軟繼電器與PLC存儲(chǔ)器中映像寄存器的一個(gè)存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)。
2023-04-04 11:49:525069 CPU遵循的是 **馮·諾依曼架構(gòu)** ，其核心是存儲(chǔ)程序/數(shù)據(jù)、串行順序執(zhí)行。因此CPU的架構(gòu)中需要大量的空間去放置存儲(chǔ)單元（Cache）和控制單元（Control），相比之下計(jì)
2023-03-31 14:51:364938 
存儲(chǔ)器內(nèi)部結(jié)構(gòu)基本都差不多，一般由存儲(chǔ)陣列，地址譯碼器和輸出控制電路組成。存儲(chǔ)陣列以外的電路都稱為外圍電路（Periphery）。存儲(chǔ)陣列是memory的核心區(qū)域，它有許多存儲(chǔ)單元組成，每個(gè)存儲(chǔ)單元
2023-03-30 14:50:044974 
堆棧指令是FX系列中新增的基本指令，用于多重輸出電路，為編程帶來便利。在FX系列PLC中有11個(gè)存儲(chǔ)單元，它們專門用來存儲(chǔ)程序運(yùn)算的中間結(jié)果，被稱為棧存儲(chǔ)器。
2023-03-29 16:28:12410
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