CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化鎵晶體管Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化鎵晶體管是分立式碳化硅基氮化鎵HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-26 23:23:18
Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化鎵HEMTQorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化鎵 (GaN) HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-26 22:58:56
Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管是單路徑離散碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT)，采用DFN封裝。這些射頻晶體管是單級、不匹配晶體管
2024-02-26 19:46:40
Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管是一款500W (P3dB) 預(yù)匹配分立式碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (GaN on SiC
2024-02-26 19:28:10
晶體管并聯(lián)時，當(dāng)需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41
667 Wolfspeed原Cree 的 CGH40045F 是一款45 W、DC - 4 GHz 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。 CGH40045 采用 28 伏電源軌運行，為各種
2024-01-03 12:33:26
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內(nèi)提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優(yōu)異
2024-01-02 12:05:47
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。
2023-12-22 10:47:00489 
的 GaN HEMT功率氮化鎵-用于雷達(dá) C/X 波段的 GaN HEMT功率氮化鎵-用于海洋雷達(dá)的 GaN HEMT功率氮化鎵-用于雷達(dá) L/S 波段的 GaN
2023-12-15 17:43:45
報告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58178 
在最近的IEDM大會上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。
2023-12-14 09:23:06547 
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
使用較低的Rds（on）可以降低傳導(dǎo)損耗，而使用GaN可以減小芯片尺寸并降低動態(tài)損耗。當(dāng)GaN與鋁基異質(zhì)結(jié)構(gòu)結(jié)合時形成二維電子氣體（2DEG）的能力導(dǎo)致了備受青睞的高電子遷移率晶體管（HEMT）功率器件
2023-11-06 09:39:293608 
無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。
2023-09-28 17:44:221864 
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓?fù)?，效率在開關(guān)頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
如今，越來越多的設(shè)計人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。
2023-09-13 16:06:07247 氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術(shù)的重大進(jìn)步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 開發(fā)的一款無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。適用于A類、AB類和線性放大器，能處理多種波形
2023-08-26 15:40:57
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
200-W；4400 - 5000 MHz；50 歐姆輸入/輸出匹配；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款專為高效率設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高
2023-08-09 09:20:19
150瓦；2900 – 3500 兆赫；50V；用于 S 波段雷達(dá)系統(tǒng)的 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV35150 是一款專門設(shè)計的高效率氮化鎵 (GaN) 高電子
2023-08-07 16:52:50
150瓦；2900 – 3500 兆赫；50V；用于 S 波段雷達(dá)系統(tǒng)的 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV35150 是一款專門設(shè)計的高效率氮化鎵 (GaN) 高電子
2023-08-07 16:50:51
320-W；4.0-GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CGHV40320D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有
2023-08-07 14:40:06
180-W；直流 - 2 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入
2023-08-07 14:09:28
180-W；直流 - 2 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入
2023-08-07 14:07:15
180-W；直流 - 2 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有
2023-08-07 14:04:59
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:52:20
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:50:28
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:48:33
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:46:18
70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在
2023-08-07 13:43:34
70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在
2023-08-07 13:41:27
75-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGHV60075D5 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能
2023-08-07 13:39:03
60-W；直流至 2700 MHz；50V；適用于 LTE 和脈沖雷達(dá)應(yīng)用的 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV27060MP 是一款 60W 氮化鎵 (GaN) 高電子
2023-08-07 11:34:30
波段性能進(jìn)行優(yōu)化的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV35060MP 適用于 2.7 至 3.1 GHz 和 3.1 至 3.8 GHz
2023-08-07 11:31:57
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:29:17
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:25:21
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:22:14
40-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGHV60040D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能；包括
2023-08-07 11:19:46
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 11:15:10
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 11:13:00
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 11:08:31
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款無與倫比的產(chǎn)品；專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 10:57:26
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款無與倫比的產(chǎn)品；專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 10:50:07
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管CGHV27030S 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力。CGHV27030S
2023-08-07 10:45:27
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 10:43:16
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 10:38:36
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-07 10:35:51
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路
2023-08-07 10:33:50
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-07 10:31:47
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-07 10:26:30
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-07 10:23:54
15瓦；直流 - 6.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV27015S 是一款無與倫比的產(chǎn)品；專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率
2023-08-07 10:21:42
240-W；1800 – 2300 MHz；用于 WCDMA 的 GaN HEMT；LTE；無線MAX Wolfspeed 的 CGH21240F 是一款專為高效率設(shè)計的氮化鎵 (GaN
2023-08-07 09:34:30
120W 射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40120 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵（GaN）；高電子遷移率晶體管（HEMT）。CGH40120；采用 28 伏電源軌運行；提供
2023-08-07 09:15:24
120-W；UHF – 2.5 GHz；用于 WCDMA 的 GaN HEMT；LTE；MC-GSMWolfspeed 的 CGH09120F 是一款專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子
2023-08-07 09:13:02
120-W；1800 – 2300 MHz；用于 WCDMA 的 GaN HEMT；LTE；無線MAXWolfspeed 的 CGH21120F 是一款專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子
2023-08-07 09:00:48
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-03 17:06:31
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-03 16:54:07
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-03 16:51:14
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益
2023-08-03 16:27:54
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益
2023-08-03 16:22:28
解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術(shù)有助于實現(xiàn)上述目標(biāo)，隨著該項技術(shù)商用步伐的加快，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也獲得了廣泛運用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點呢？GaN在品質(zhì)因數(shù)（
2023-08-03 14:43:28225 25瓦；6.0 - 12.0 GHz；氮化鎵MMIC；功率放大器Wolfspeed 的 CMPA601C025 是一款碳化??硅襯底上基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-03 14:32:57
15-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60015D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能；包括
2023-08-03 14:14:18
15-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CG2H80015D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越
2023-08-03 14:06:49
8瓦；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60008D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能；包括更高
2023-08-03 11:36:09
2-W；20 MHz – 6000 MHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060002 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-03 11:11:41
2-W；20 MHz – 6000 MHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060002 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-03 11:07:32
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動電路和電路保護(hù)集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能，有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
的是用于藍(lán)光播放器的光盤激光頭）。
在光子學(xué)之外，雖然氮化鎵晶體管在1993年就發(fā)布了相關(guān)技術(shù)，但直到2004年左右，第一個氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開始商用。這些晶體管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔(dān)任副總裁及更高級別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而來的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料
2023-06-14 14:00:551652 
)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。 GaN晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開關(guān)損耗，原因在于： 柵極電容和輸出電容更低。
2023-06-12 10:53:287386 
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。
2023-05-25 15:14:061219 
當(dāng)今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術(shù)與不同的半導(dǎo)體材料相結(jié)合。因此，縮小哪一個最適合特定設(shè)計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但是什么使它們與眾不同呢？
2023-05-24 11:08:30665 UMS?CHK8201-SYA是款前所未有的功率棒微波晶體管，CHK8201-SYA集成化2個CHK8101A99F功率棒封裝形式，能夠單獨瀏覽，可以產(chǎn)生45W的搭配輸出功率。CHK8201-SYA
2023-05-09 11:32:02103 由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212330 
NPT2020PT2020 是一款 48 V 硅基氮化鎵晶體管，工作頻率為 DC 至 3.5 GHz，功率為 50 W，增益為 17 dB。它采用陶瓷封裝，面向軍事和大批量商業(yè)市場。
2023-04-14 15:39:35
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論