前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45
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一，GD32的flash特征1、在flash的前256K字節(jié)空間內(nèi)，CPU執(zhí)行指令零等待；在此范圍外，CPU讀取指令存在較長(zhǎng)延時(shí)；2、對(duì)于flash大于512KB（不包括等于512KB
2024-02-19 12:46:25380 
與NAND Flash相比，NOR Flash具有較低的存儲(chǔ)密度和較高的成本，但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機(jī)訪問性能。
2024-02-19 11:45:24641 
電源芯片短路恢復(fù)過沖的風(fēng)險(xiǎn)及應(yīng)對(duì)措施 電源芯片是電子產(chǎn)品中非常重要的組成部分，其穩(wěn)定工作對(duì)整個(gè)電子設(shè)備的正常運(yùn)行至關(guān)重要。然而，電源芯片在使用過程中可能會(huì)遇到短路和過沖的風(fēng)險(xiǎn)，給設(shè)備帶來(lái)的損害甚至
2024-02-06 09:46:03470 請(qǐng)教各位，通過Ethernet收到Flash 驅(qū)動(dòng)后，如何去加載使用這個(gè)驅(qū)動(dòng)？以及如何生成這個(gè)驅(qū)動(dòng)？
2024-02-05 06:26:49
使用ILLD庫(kù)里面的FLASH_demo對(duì)PFLASH進(jìn)行擦寫(不做代碼修改)，發(fā)現(xiàn)PSPR上運(yùn)行成功了，FLASH驅(qū)動(dòng)也運(yùn)行了，但是數(shù)據(jù)沒有被寫入到FLASH中
2024-02-02 06:48:09
，主要有兩種存儲(chǔ)芯片：NOR Flash和NAND Flash。對(duì)于大容量需求，通常會(huì)選擇NAND Flash。然而，使用NAND Flash會(huì)引發(fā)一些問題：
NAND Flash存在壞塊，需要壞塊
2024-01-24 18:30:00
此舉意味著，復(fù)旦微電的NOR Flash存儲(chǔ)產(chǎn)品線將進(jìn)一步充實(shí)，有潛力在不遠(yuǎn)的將來(lái)擴(kuò)大市場(chǎng)占有率。此外，面向SLC NAND Flash領(lǐng)域的布局也已初步形成
2024-01-23 14:45:33404 依據(jù)datasheet 的說明，該芯片最大支持26.67Mhz 的時(shí)鐘 ，但是我們項(xiàng)目中，配置成了40MHZ,未發(fā)生異常，請(qǐng)問會(huì)有什么風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)嘛？
2024-01-22 07:50:53
NOR Flash是一種基于NOR門結(jié)構(gòu)的閃存，NOR是邏輯門電路中的“或非”門。NOR Flash具有并行訪問結(jié)構(gòu)，這意味著每個(gè)存儲(chǔ)單元都有一個(gè)地址，可以直接訪問任何存儲(chǔ)單元，這使NOR Flash具有快速的隨機(jī)訪問能力，適用于執(zhí)行代碼和讀取關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
2023-12-27 14:37:05293 在這一氛圍下，NOR Flash行業(yè)已開始醞釀漲價(jià)。臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)今日有消息指出，預(yù)計(jì)NOR Flash將接棒啟動(dòng)存儲(chǔ)芯片新一輪漲價(jià)潮，預(yù)計(jì)明年1月起先漲5%，二季度漲幅有望擴(kuò)大至10％。
2023-12-26 14:37:42127 業(yè)界普遍看好，NOR Flash市況最快有機(jī)會(huì)在明年終結(jié)庫(kù)存調(diào)整，迎來(lái)新一波漲價(jià)循環(huán)。
2023-12-25 16:56:58368 Nor Flash采用NOR門結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)存儲(chǔ)單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實(shí)現(xiàn)高效的隨機(jī)訪問和快速的數(shù)據(jù)檢索。
2023-12-05 15:21:59363 Nor Flash 中的編程和擦除操作涉及寫入數(shù)據(jù)和擦除存儲(chǔ)單元的特定步驟。
2023-12-05 15:19:06321 選擇Nor Flash作為存儲(chǔ)解決方案的一個(gè)主要原因就是Nor Flash的并行訪問結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)快速讀取速度和低讀取延遲。
2023-12-05 14:32:31275 閃存編程也不涉及將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元，為確保準(zhǔn)確編程，Nor Flash 支持字節(jié)級(jí)編程，允許寫入或修改單個(gè)字節(jié)，而無(wú)需擦除整個(gè)塊。
2023-12-05 14:03:22390 Nor Flash是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼。它是一種閃存存儲(chǔ)器，類似于NAND Flash，但具有不同的特性和應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-12-05 13:57:37837 NOR FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，對(duì)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)具有重大影響，閃存其獨(dú)特的特性和功能影響著計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的各個(gè)方面
2023-12-05 10:32:31332 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
我們使用微量序列 NOR MT25QL256ABA( 32MB) 鞭笞, 無(wú)法使用“ flexspi_ nor_flash_ page_ page_ progragram” API 程序到 16MB
2023-11-13 06:39:52
起初，兆易創(chuàng)新的重點(diǎn)主要集中在NOR Flash上，但隨著技術(shù)的演進(jìn)和市場(chǎng)的變化，其產(chǎn)品線逐漸從NOR擴(kuò)展到了NAND Flash，提供了從小容量到8GB的豐富選擇，以滿足各種應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2023-11-12 11:29:11952 https://www.hqchip.com/gongsi/73622.html
信格勒微電子 攜手 華秋商城 共創(chuàng)國(guó)產(chǎn)高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片平替新生態(tài)
SIG7190 國(guó)產(chǎn)平替 AD7190
pin
2023-11-08 15:59:50
讀寫flash時(shí)，該如何處理中斷響應(yīng)？
2023-11-06 07:38:50
為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲(chǔ)器是一種常用的非易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價(jià)值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù)，同時(shí)因?yàn)闆]有
2023-10-29 16:32:58646 i.MX RT500/600系列上串行NOR Flash雙程序可交替啟動(dòng)設(shè)計(jì)
2023-10-27 09:36:12236 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 恩智浦i.MX RT1060/1010上串行NOR Flash冗余程序啟動(dòng)設(shè)計(jì)
2023-09-26 16:53:52364 
本文分析了NOR Flash的技術(shù)體系，結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，并對(duì)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的基本原理以及發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行介紹。
2023-09-22 12:20:261974 
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)外部NOR Flash
2023-09-21 17:37:03466 
NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231905 
業(yè)界認(rèn)為，三星電子的減產(chǎn)可能會(huì)帶來(lái)3d nand價(jià)格上漲的效果，從而可能會(huì)改變nor、slc nand的購(gòu)買戰(zhàn)略。美國(guó)外國(guó)人認(rèn)為，slc nand和nore產(chǎn)品第四季度不會(huì)上調(diào)價(jià)格。
2023-09-11 11:35:04953 Flash 分為 NAND flash和 NOR flash。均是使用浮柵場(chǎng)效應(yīng)管(FloatingGate FET) 作為基本存儲(chǔ)單元來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的，浮柵場(chǎng)效應(yīng)管共有4個(gè)端電極，分別
2023-09-09 14:27:383603 
引言：串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲(chǔ)器件，在特殊應(yīng)用場(chǎng)景中具有不可替代的地位，本節(jié)是數(shù)字存儲(chǔ)器件系列第一節(jié)，介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-09-05 10:09:341666 
最近使用NUC972做了一塊板子，學(xué)習(xí)一下。在使用BSP驅(qū)動(dòng)SPI NOR flash的時(shí)候遇到一個(gè)問題，請(qǐng)教大家能否指點(diǎn)一下。
我的板子改了SPI 為GD25Q256D，為32Mbytes在
2023-09-05 06:28:07
Flash是存儲(chǔ)芯片的一種，在電子及半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)表示為Flsah Memory，全稱為Flash EEPROM Memeory，即我們平時(shí)說的“閃存”。它結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)，具備電子可擦除
2023-08-24 12:35:053181 
程式時(shí), 發(fā)現(xiàn) Data Flash 都被擦除了, 請(qǐng)問該怎么設(shè)定呢 MDK 不要去擦除Data Flash呢?
(若是在程序里寫資料到 Data Flash 然后再讀出是沒問題的！)
2023-08-24 07:38:29
并行（ISA）Nor Flash有5V、3V和1.8V三種不同的供電體系，容量從2Mb-1Gb，具有x8、x16可選配置的引導(dǎo)和統(tǒng)一扇區(qū)架構(gòu)。Parallel Nor Flash具有高性能、低功耗、高耐久性、高可靠性的特點(diǎn)。
2023-08-11 15:47:151091 
）接口提高了系統(tǒng)性能，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并降低了系統(tǒng)成本。Serial Nor Flash的最新八進(jìn)制系列產(chǎn)品包括：八進(jìn)制（xSPI）Flash、八進(jìn)制RAM和八進(jìn)制MCP。OctaBus Memory將閃存和RAM存儲(chǔ)器集成到同一數(shù)據(jù)I/O總線中，將引腳數(shù)量減少到12個(gè)。
2023-08-11 15:45:32899 
引言：串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲(chǔ)器件，在特殊應(yīng)用場(chǎng)景中具有不可替代的地位，本節(jié)是數(shù)字存儲(chǔ)器件系列第一節(jié)，介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-08-11 15:44:221074 
做電子產(chǎn)品，不免要跟存儲(chǔ)類產(chǎn)品打交道，也就是我們說的MEMORY。
2023-08-08 15:05:30949 
NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，即可以根據(jù)地址隨機(jī)讀寫，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。因?yàn)槠渥x取速度快，多用來(lái)存儲(chǔ)程序、操作系統(tǒng)等重要信息。
2023-08-07 09:47:03763 
聚辰半導(dǎo)體推出SPI NOR Flash產(chǎn)品，可以覆蓋從消費(fèi)級(jí)，到工業(yè)級(jí)，直至汽車級(jí)的所有應(yīng)用，產(chǎn)品在可靠性，功耗，溫度和速度等關(guān)鍵性能指標(biāo)方面達(dá)到國(guó)內(nèi)外前沿水準(zhǔn)。
2023-07-31 16:34:01339 近年來(lái)，在物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求下，特別是在各種新興應(yīng)用的推動(dòng)下，NOR?Flash迎來(lái)了低谷翻轉(zhuǎn)的機(jī)遇。不僅中高容量?jī)r(jià)格穩(wěn)定，而且低容量NOR?Flash價(jià)格的下降也大大縮小。特別是在TWS
2023-07-31 14:33:10460 Flash（閃存）是一種可擦除的只讀存儲(chǔ)器，按照實(shí)現(xiàn)方式和運(yùn)行特性Flash一般還會(huì)分為NOR和NAND兩種。其中NOR Flash支持隨機(jī)地址的讀取方式，在讀取操作上類似于RAM，比較適合程序
2023-07-24 10:00:281845 
NOR Flash作為嵌入式系統(tǒng)中的重要存儲(chǔ)器類型，在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域中的應(yīng)用非常廣泛。在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中，NOR Flash通常用于MCU數(shù)據(jù)讀取和執(zhí)行，其工藝和讀取速度都直接影響MCU性能。 ? 因此，隨著可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測(cè)等多種物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備應(yīng)用的低功耗需
2023-07-15 00:01:001352 SPI NOR Flash可存儲(chǔ)配置和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，滿足車載應(yīng)用對(duì)參數(shù)存儲(chǔ)的各種需求，具有高可靠性；低失效率；擦寫次數(shù)最高可達(dá)400萬(wàn)次以上；溫度適應(yīng)能力強(qiáng)；數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)100年等特點(diǎn)?？梢愿采w從消費(fèi)級(jí)，到工業(yè)級(jí)，直至汽車級(jí)的所有應(yīng)用，產(chǎn)品在可靠性，功耗，溫度和速度等關(guān)鍵性能指標(biāo)方面達(dá)到國(guó)內(nèi)外前沿水準(zhǔn)。
2023-07-07 16:58:17332 相對(duì)于傳統(tǒng)機(jī)械硬盤，固態(tài)硬盤采用了閃存存儲(chǔ)技術(shù)，具有更高的數(shù)據(jù)訪問速度、更低的能耗、更小的體積和更好的抗震性能。其中，Nand Flash 技術(shù)的發(fā)展使得固態(tài)硬盤成為了相對(duì)便宜和可靠的存儲(chǔ)解決方案之一。
2023-07-05 15:37:072133 非易失性存儲(chǔ)元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051887 
我用的JLINK仿真器調(diào)試，現(xiàn)在需要用過網(wǎng)口把整個(gè)程序下到flash里面，但是沒有啟動(dòng)時(shí)需要的 頭部信息，NUC980啟動(dòng)需要判斷頭部信息，哪里有這份資料，我用的SPI NOR FLASH,手冊(cè)
2023-06-27 14:17:25
如果用_at_指向了外部NOR FLASH地址，在download M453代碼時(shí)，是否此數(shù)據(jù)表會(huì)d
2023-06-27 07:49:27
，給企業(yè)帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn)和壓力。如何應(yīng)對(duì)這一風(fēng)險(xiǎn)，保障企業(yè)數(shù)據(jù)的安全和可用性？國(guó)產(chǎn)數(shù)據(jù)庫(kù)是否能夠成為商業(yè)版數(shù)據(jù)庫(kù)的替代方案？本文將以華為云數(shù)據(jù)庫(kù) GaussDB 為例，淺談商業(yè)版數(shù)據(jù)庫(kù)的斷供風(fēng)險(xiǎn)以及國(guó)產(chǎn)數(shù)據(jù)庫(kù)的重要性。 商業(yè)
2023-06-21 11:14:46191 
SPI NOR Flash車規(guī)等級(jí)125℃，可以很好地滿足車載市場(chǎng)需求。產(chǎn)品主要應(yīng)用于車載攝像頭、液晶顯示、娛樂系統(tǒng)等外圍部件，并逐漸延伸到新能源車三電系統(tǒng)、車身控制、底盤傳動(dòng)及微電機(jī)、智能座艙等核心部件。
2023-06-20 17:03:53228 2023 年 6 月 15 日，中國(guó)，蘇州 —— 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出Serial NOR Flash的首款產(chǎn)品 8Mb 3V W25Q80RV。該產(chǎn)品具備更強(qiáng)的讀取
2023-06-15 15:03:07475 
Flash閃存是一種存儲(chǔ)器,主要用于一般性程序存儲(chǔ)，以及電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)。根據(jù)內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)不同,Flash主要有兩種，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468 我們知道外部串行NOR Flash是接到i.MXRT的FlexSPI外設(shè)引腳上，有時(shí)串行NOR Flash啟動(dòng)也叫FlexSPI NOR啟動(dòng)。
2023-06-02 17:43:28928 
隨著互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，用戶對(duì)智能內(nèi)容的創(chuàng)建、訪問和處理的要求越來(lái)越高，通信設(shè)備和服務(wù)器的配置也越來(lái)越高。英尚微提供的聚辰NOR?Flash產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于5g基站、wifi模塊、有線和無(wú)線通信設(shè)備等領(lǐng)域，為用戶提供可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和溫度監(jiān)控方案，確?？蛻粼O(shè)備的安全可靠運(yùn)行。
2023-05-31 17:20:23315 通過在 evbmimxrt1060_flexspi_nor_cofig.c 文件中添加 QE 啟用相關(guān)代碼，我能夠成功地將 QE 位設(shè)置為 1。
然后我考慮如果我手動(dòng)將 QE 位設(shè)置為 0 并重
2023-05-30 13:11:32
當(dāng)我使用mtd_debug工具讀取nor flash的內(nèi)存時(shí)，輸出結(jié)果中每128字節(jié)的前7字節(jié)為0。
以下是mtd命令：
#mtd_debug 擦除/dev/mtd0 0x5a0000
2023-05-24 13:14:51
，降低了成本。
flash 分為 nor flash 和 nand flash：
nor flash 數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來(lái)擦
2023-05-19 15:59:37
我在將 xspi 圖像升級(jí)到 NOR Flash 時(shí)遇到了一個(gè)問題
（我知道，我應(yīng)該先從 sdcard 開始）
我遵循了說明但是由于一些物流問題而
不是通過 tftp 上傳（預(yù)構(gòu)建）xspi 圖像
2023-05-16 07:43:42
flash 命令的 NOR Flash 設(shè)備？
2. 有沒有辦法在沒有 LUT 的情況下使用 FlexSPI 模塊？-----
2023-05-08 06:52:22
從 QSPI NOR flash 重啟開發(fā)板并停止自動(dòng)啟動(dòng)以進(jìn)入 U-Boot 提示符。
3. 在 U-Boot 下，使用以下選項(xiàng)之一將固件下載到參考板：
? 從 TFTP 服務(wù)器加載固件
2023-05-06 08:30:16
我正在使用帶有連接到 lpspi3 接口的 NOR 閃存的 i.MX8Q。
這是我的設(shè)備樹的相關(guān)部分
&lpspi3 {
pinctrl-names = \\\"
2023-05-06 06:23:09
我有一個(gè)iMX8X iMX8QXP，我正在嘗試在 NOR 閃存（最終是 eMMC）上設(shè)置輔助引導(dǎo)容器集。我試圖在燒掉任何 OTP 保險(xiǎn)絲之前驗(yàn)證基本功能，所以這就是我目前對(duì) NOR 閃存進(jìn)行分區(qū)
2023-05-05 10:40:17
有這三個(gè)中，MIMXRT1064xxxxx_flexspi_nor.scf 是唯一允許我從 nor flash 加載和引導(dǎo)的。與其他兩個(gè)鏈接的圖像不能被編程到閃存中。
但是對(duì)于 MIMXRT1064xxxxx_flexspi_nor.scf，構(gòu)建的圖像顯示這個(gè)簡(jiǎn)單
2023-05-05 08:55:36
向量為 0x0_FFFF_FFFC
IFC 為 CS0 設(shè)置了什么？IFC 會(huì)自動(dòng)算出 NOR flash 設(shè)備大小等嗎？
最終，IFC CS0 如何映射到內(nèi)核復(fù)位向量 0x0_FFFF_FFFC
2023-05-04 07:16:23
塊flash中，可以實(shí)現(xiàn)嗎？我用的是VCU118從上圖中可以看到，我在選memory part的時(shí)候只能選這兩個(gè)，分別表示用一塊flash還是兩塊flash并行燒錄，但是無(wú)法指定用哪一塊。這是原理圖，看起來(lái)如果用一塊應(yīng)該是QSPI0被用了懇請(qǐng)大神解答，謝謝！
2023-04-18 19:45:55
我們有一個(gè)定制板，其中存在 T1042 處理器。以前我已經(jīng)能夠通過修改 T1042D4DRB QORIQ SDK 項(xiàng)目的 u-boot 源代碼從 SDCARD 啟動(dòng)它?，F(xiàn)在，我試圖從 NOR 閃存啟動(dòng)它，但我無(wú)法成功。 我已經(jīng)將圖像寫入了NOR flash的以下地址。
2023-04-17 07:55:21
我從使用板載 NOR 閃存映像啟動(dòng)的 LS1028A 處理器 EVM 開始?，F(xiàn)在，需要從 I2C EEPROM [RCW] 啟動(dòng)并跳轉(zhuǎn)到 NOR Flash [U-Boot Image]。如何在 RCW PBI 命令中指定它？
2023-04-14 07:45:39
一是汽車及核心部件風(fēng)險(xiǎn)隱患突出。智能網(wǎng)聯(lián)汽車系統(tǒng)運(yùn)行上億行代碼量，軟件和網(wǎng)絡(luò)存在的安全漏洞威脅車輛運(yùn)行安全。
2023-04-13 12:36:15580 嘗試執(zhí)行函數(shù) flexspi_nor_flash_init(...) ，調(diào)試器就會(huì)斷開連接并顯示：我有一種感覺，它與一些時(shí)鐘配置有關(guān)，但不知道從這里去哪里出現(xiàn)問題的代碼片段：int main(void
2023-03-29 08:05:08
FLASH_AUTO_PROBE_EN=1 和 BT_FUSE_SEL=1。這使我們成功啟動(dòng)了應(yīng)用程序，同時(shí) BOOT_MODE[1:0] = 00（從熔絲啟動(dòng)）和 BOOT_MODE[1:0] = 10（內(nèi)部 ROM
2023-03-23 07:37:28
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