自 2016 年開始醞釀的一波存儲漲價潮，在標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存（DRAM） 、儲存型快閃內(nèi)存 （NAND Flash） 已經(jīng)拉出一波漲價之后，編碼型快閃內(nèi)存 （NOR Flash） 也跟隨著漲價。
2017-01-24 10:39:44
1203 全球存儲器業(yè)務(wù)整并潮持續(xù)進(jìn)行，美光科技將退出NOR Flash業(yè)務(wù)，計劃出售旗下NOR芯片業(yè)務(wù)，正尋求相關(guān)買家，全力沖刺DRAM及3D NAND Flash，傳華邦電及兆易創(chuàng)新可能接手。
2017-02-13 09:12:001221 NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231905 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
與NAND Flash相比，NOR Flash具有較低的存儲密度和較高的成本，但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機(jī)訪問性能。
2024-02-19 11:45:24643 
[ZZ]EEPROM和FLASH，NAND FLASH和NOR FLASH的區(qū)別
2021-01-06 07:22:56
1、NAND Flash 和 NOR Flash區(qū)別2、串行通信的優(yōu)點3、三、五級流水線4、LDMIA R0! , {R1-R4}的尋址方式5、大小端存儲6、合法立即數(shù)7、STMDB R10
2021-07-16 07:23:16
NAND和NOR flash的區(qū)別
2012-08-09 14:17:12
Flash的原理是什么？Flash主要有哪幾種？NOR Flash與NAND Flash有何不同？
2021-10-22 08:47:25
NOR Flash 和 NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
?；径际怯玫?b class="flag-6" style="color: red">NOR flash或者 NAND flash。這個東西是怎么能夠把程序存下來的呢？引起了我們的思考。這種電子產(chǎn)品，一般通過電子的流動來工作，但是當(dāng)電沒有了，機(jī)器也就無法保持原來的狀態(tài)，數(shù)據(jù)也就
2018-07-17 15:02:30
由于項目需要大量的圖片字庫還有音頻文件，所以外掛了NOR flash和NAND flash，需要用到燒寫算法STLDR（就是包含幾段在SRAM里面運(yùn)行的代碼），調(diào)試的時候遇到了幾個問題，都是大意造成
2022-01-26 07:17:14
1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址線
2022-01-26 06:36:43
（NOR Flash與NAND Flash連接線）：NOR Flash與主控芯片的連接線分為數(shù)據(jù)線和地址線，所以可以隨時訪問任意地址。而NAND Flash與主控芯片的連接線只有一種，所以此線是復(fù)用...
2021-07-22 09:26:53
本帖最后由 Mr_RMS 于 2018-3-12 10:34 編輯
nor flash啟動與nand flash啟動的區(qū)別1)接口區(qū)別：NOR FLASH地址線和數(shù)據(jù)線分開，來了地址和控制信號
2018-03-12 10:19:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 編輯
NOR和NAND flash的區(qū)別
2012-08-09 09:15:10
一般地址線和數(shù)據(jù)線共用，對讀寫速度有一定影響；而NOR Flash閃存數(shù)據(jù)線和地址線分開，所以相對而言讀寫速度快一些。 NAND和NOR芯片的共性首先表現(xiàn)在向芯片中寫數(shù)據(jù)必須先將芯片中對應(yīng)的內(nèi)容清空
2014-04-23 18:24:52
據(jù)線共用，對讀寫速度有一定影響；而NOR Flash閃存數(shù)據(jù)線和地址線分開，所以相對而言讀寫速度快一些。 NAND和NOR芯片的共性首先表現(xiàn)在向芯片中寫數(shù)據(jù)必須先將芯片中對應(yīng)的內(nèi)容清空，然后再寫入，也就
2013-04-02 23:02:03
比較廉價。用戶不能直接運(yùn)行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來運(yùn)行啟動代碼。一般小容量的用NOR
2018-08-09 10:37:07
在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域，做為存儲設(shè)備的NOR flash和NAND flash，大家應(yīng)該不陌生。早期NOR flash的接口是并行口的形式，也就是把數(shù)據(jù)線，地址線并排設(shè)置與IC的管腳中。但是由于不同容量
2018-08-07 17:01:06
Flash按照內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)的不同，可以分為哪幾種？Nor Flash 和Nand Flash有什么區(qū)別？SPI NAND Flash和SPI NOR Flash的區(qū)別在哪里？
2021-06-18 08:46:32
Flash memory是非易失性存儲的，可用于FPGA或者車載芯片上的存儲數(shù)據(jù)的加載。Flash Memory根據(jù)硬件上存儲原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND
2022-07-01 10:28:37
如題，本人想玩下STM32對NAND FLASH ,NOR FLASH ,SRAM的訪問，來熟悉這些器件的應(yīng)用，不知這里有哪位大俠用STM32玩過這些,可以交流交流。。。
2020-05-25 20:04:22
這個我將u-boot移植到nand 啟動，發(fā)現(xiàn)查看不到nor flash， 貌似從nand 和nor啟動u-boot的nor地址不一樣，從nor啟動是0x00000000,從nand啟動不知道nor
2014-12-08 19:18:22
我試著在uboot下面格式化nand flash,之后我選擇從nor flash啟動。就出現(xiàn)如下錯誤NAND read: device 0 offset 0x60000, size
2019-08-14 02:40:13
我用OFLASH可以燒nand flash ，但是不能燒nor flash 內(nèi)存，是不是NOR FLASH壞了
2019-09-25 05:45:09
為啥使用nor flash 中UBOOT下載代碼到nand flash中，nor flash中的uboot 也被清除了??？
2019-03-21 07:45:08
一句話，為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時，然后才能再下一次，這么折騰一天也改不了幾次。歷史的車輪不斷前進(jìn)，偉大的EEPROM出現(xiàn)了，拯救了一大批程序員，終于可以隨意的修改rom中的內(nèi)容了
2023-05-19 15:59:37
請下載附件，附件的說明非常詳細(xì)。1.文檔目的用jlink工具燒寫裸機(jī)代碼或者uboot到nor flash2.工具說明由于jlink只能燒寫代碼到nor flash，而不能燒寫到nand flash
2019-08-08 03:59:08
的話，就等于是通過 單片機(jī)和 “nand 控制器” 同時控制nand flash芯片了。單片機(jī)負(fù)責(zé)寫入，花費(fèi)15個I/O口與nand flash 的各管腳相連?！?b class="flag-6" style="color: red">nand flash 控制器“負(fù)責(zé)
2013-09-24 14:09:37
，否則速率很慢；燒寫Nand Flash只是從理論上能夠達(dá)到，但是還沒有人直接實現(xiàn)這點。本文使用一個間接的方法來實現(xiàn)對S3C2410、S3C2440開發(fā)板的Nor、Nand Flash的燒寫。原理為
2009-03-27 09:51:32
（GUI）、視頻緩存、協(xié)議棧等等。 那傳統(tǒng)的E2PROM和NOR Flash就不夠用了。這個時候MCU可能就需要用到NAND Flash了。 但MCU采用NAND Flash，面臨著新的挑戰(zhàn)： 1
2019-10-10 16:55:02
先看一看NOR 與 NAND的區(qū)別都有哪些?！ ?.NOR Flash支持隨機(jī)訪問，所以支持XIP(execute In Place)，NAND Flash需要按塊進(jìn)行讀取，所以不支持XIP
2022-06-16 17:22:00
區(qū)別呢？本文將闡述。 Nand Flash和 Nor Flash存儲器簡介（1）Nand Flash存儲器簡介 1989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能
2023-02-17 14:06:29
Flash啟動和Nand Flash啟動時代碼上有什么區(qū)別？怎么樣修改才能使Nor Flash啟動也能實現(xiàn)正常的功能。謝謝大家~
2019-04-17 04:30:54
Flash，燒了幾次，要么就是運(yùn)行出錯，要么就是不亮。有個疑問，既然uboot可以在nor flash里運(yùn)行，為什么一個簡單的LED程序不能在nor flash里運(yùn)行了。兩者有什么區(qū)別嗎？或者還有其他方法下載到Nand Flash里嗎？我沒有并口的H-JTAG。 有u*** dnw和Jlink v8謝謝！
2019-04-24 07:45:18
flash 是一種XIP 器件，但是為什么還需要搬移到內(nèi)部RAM？那么NAND flash 的boot 與NOR flash 還有什么區(qū)別嗎？ 期待您的回答......
2018-12-24 14:28:33
請問nand flash和nor flash有什么不同？
2020-11-05 08:03:50
。這樣的話，就等于是通過 單片機(jī)和 “nand 控制器” 同時控制nand flash芯片了。單片機(jī)負(fù)責(zé)寫入，花費(fèi)15個I/O口與nand flash 的各管腳相連?！?b class="flag-6" style="color: red">nand flash 控制器“負(fù)責(zé)
2018-08-29 09:40:16
請問F2812內(nèi)部的flash是nor flash還是NAND flash？NOR Flash的數(shù)據(jù)寫入的速度是多少，寫1M數(shù)據(jù)要多少時間？再就是如果外擴(kuò)flash的話，選擇nor flash 還是nand flash好一些呢?
2018-11-14 10:55:47
請問 1、用哪種FLASH好；2、如果NOR FLASH啟動，PIN.T28 GPMC_CS0接NOR FLASH, 那么 NAND FLASH 用PIN.P25 GPMC_CS4可以嗎？3、如果
2018-08-13 06:57:03
請問一下，怎么樣去找nand flash 和nor flash 和dram，其實就是材料的選型，不知道怎么樣找資料，謝謝
2012-04-16 11:28:33
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 15:41 編輯
我把AM3359做成了一個核心板，核心板上有NAND Flash，從NAND Flash啟動，配套做了一個測試用的底板啟動
2018-06-20 03:24:28
簡要比較NOR 和NAND 兩種Flash 技術(shù)，分析嵌入式Linux 系統(tǒng)MTD 子系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)；詳細(xì)介紹在編譯Linux 內(nèi)核時， 如何在MTD 子系統(tǒng)內(nèi)對使用的NOR Flash 芯片進(jìn)行配置和定制。
2009-04-15 11:05:04
30 并行NOR Flash每次傳輸多個bit位的數(shù)據(jù)，而串行NOR Flash每次傳輸一個bit位的數(shù)據(jù)。并行NOR Flash比串行NOR Flash具有更快的傳輸速度。
2010-03-09 16:06:5049 串行NOR Flash介紹，串行NOR Flash分類、串行NOR Flash選型以及串行NOR Flash命名規(guī)則
2010-03-10 14:52:1830 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NANDflash結(jié)構(gòu)，
2010-07-15 11:38:4179
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01183 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988
2010-11-03 16:40:29112 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了
2006-04-17 20:48:523067 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163 NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的應(yīng)用1 NAND FlaSh和NOR Flash
閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、
2009-10-17 10:15:591259 
本文提出了 一種 NAND Flash 在 WINCE. net 系統(tǒng)中的應(yīng)用方案設(shè)計。首先介紹了 NAND Flash 原理及與 NO R Flash的區(qū)別 接著介紹了 系統(tǒng)硬件設(shè)計方案
2016-03-14 16:01:232 作者：kenshin NOR Flash是一種非易失性存儲器件，與其相似的還有NAND Flash，但是NOR Flash具有類似SRAM的并行接口，有足夠的地址引腳來尋址，讀數(shù)據(jù)的速度更快，因此
2017-02-08 03:18:12942 
的設(shè)計方案。 1引言 NOR FLASH 是很常見的一種存儲芯片，數(shù)據(jù)掉電不會丟失。NOR FLASH 支持Execute On Chip，即程序可以直接在FLASH 片內(nèi)執(zhí)行。這點和NAND FLASH
2017-10-15 12:20:5423 數(shù)據(jù)量的存儲攜帶，可以降低成本，提高性能［1］。 1 系統(tǒng)設(shè)計 1.1 NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別 1.1.1 接
2017-10-19 11:32:527 受NAND Flash的擠壓，NOR Flash的市場占有率非常的低，但后續(xù)缺口卻一直沒有補(bǔ)上，因此NOR Flash供需變得極度的緊張，缺貨狀況恐怕到明年上半年都不會緩解。中芯長電采購NOR Flash測試設(shè)備，能緩解存儲器缺貨現(xiàn)狀？
2017-12-14 16:34:171237 要解答這個問題，首先要從Nand flash本身的結(jié)構(gòu)說起。Nand flash的結(jié)構(gòu)和RAM不一樣，它的數(shù)據(jù)線是復(fù)用的，內(nèi)與足夠的地址線用來尋址，對于它的數(shù)據(jù)存取通常是以塊為單位。這一點跟Nor
2017-12-21 18:14:247371 NOR Flash和NAND Flash作為存儲的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5122130 ，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33109972 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。
2018-09-18 15:10:169544 
Nor Flash的接口和RAM完全相同，可以隨機(jī)訪問任意地址的數(shù)據(jù)，在其上進(jìn)行讀操作的效率非常高，但是擦除和寫操作的效率很低，另外，Nor Flash的容量一般比較小，通常，Nor Flash用于存儲程序。
2018-10-07 15:39:0010675 NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價格。
2018-10-07 15:41:0023546 所謂的boot sect，是指的是Nor Flash和Nand Flash不太一樣。Nand Flash從開始到最后，都是由同樣大小的page所組成的。
2018-09-19 10:23:557022 
非揮發(fā)性快閃存儲器大廠旺宏董事長表示，近期NOR Flash價格持穩(wěn)，看好5G基地臺及終端設(shè)備將會采用更多高容量NOR Flash。旺宏在SLC NAND Flash市場開始擴(kuò)大出貨，19納米
2019-11-12 14:16:061465 兆易創(chuàng)新的NOR Flash和SPI NAND Flash在容量、傳輸速度、可靠性、安全性、低功耗及小型化等方面具備創(chuàng)新性的技術(shù)優(yōu)勢。
2020-03-19 18:02:002712 。NAND Flash讀/寫操作采用512或2048字節(jié)的頁。 NOR Flash是并行訪問，Nand Flash是串行訪問，所以相對來
2020-11-03 16:17:0529749 關(guān)于存儲器件，在數(shù)月之前我們提到過NOR FLASH，并簡略地將之與EMMC、SRAM、NAND FLASH 等做過比較，其中，比較詳盡描述過NAND FLASH。 之前也提到過，自從全面屏手機(jī)
2020-11-28 11:38:273049 
Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046 1.1接口差別NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以直接和CPU相連,CPU可以直接通過地址總線對NOR Flash進(jìn)行訪問，可以很容...
2020-12-14 22:48:021624 NOR Flash主要用來存儲代碼及少量數(shù)據(jù)，近幾年因5G、IoT、TWS耳機(jī)、AMOLED屏幕、TDDI等市場快速發(fā)展而備受重視。 NOR Flash和Nand Flash是目前兩種主要的非易失閃
2021-03-03 16:17:18703 NOR Flash和NAND FLASH是目前兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NAND FLASH具有“容量大、單位容量成本低”等特點是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。而NOR Flash“讀寫速度快、可靠性高、使用壽命長”，多用來存儲少量代碼。
2021-03-23 14:54:0513361 Flash控制器正成為一種趨勢。 本文討論了Flash Memory的兩種主流實現(xiàn)技術(shù)即NAND Flash和NOR Flash 的特點和區(qū)別，分析了市場上存在的NAND Flash的典型規(guī)格及其
2021-03-29 10:07:0819 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同；介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)
2021-06-03 18:01:483229 
Flash在我們生活中無處不在，比如：U盤、固態(tài)硬盤、SD卡、內(nèi)存卡等。 同時，在單片機(jī)開發(fā)過程中也會遇到各種各樣的Flash，比如：SPI Flash、Nor Flash、 Nand Falsh
2021-10-09 15:01:554922 目錄存儲顆粒與外部控制器常見的flash對比內(nèi)置還是外接Flash使用難度flash選擇總結(jié)NAND Flash被淘汰的原因EMMC的優(yōu)勢存儲顆粒與外部控制器flash內(nèi)部有一個存儲顆粒
2021-12-01 19:51:1724 1.SPI Nand Flash簡介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash，它和普通并行的Nand Flash相似，比如：SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1733 1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址
2021-12-02 12:21:0630 使用FlashMemory作為存儲介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
1.1接口差別NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以直接和CPU相連,CPU可以直接通過地址總線對NOR Flash進(jìn)行訪問，可以很容...
2022-01-26 17:12:5213 FLASH芯片分為Nor Flash和Nand Flash，Nor Flash容量小有獨(dú)立的地址線，用于存儲較小的程序代碼如引導(dǎo)代碼和程序參數(shù)，NAND FLASH容量大地址總線共用一組引線，Nand Flash用來安裝操作系統(tǒng)存放應(yīng)用程序及用戶數(shù)據(jù) 像IOS,Linux Andriod
2022-02-10 10:11:4532 在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域，作為存儲設(shè)備的NOR Flash和NAND Flash，大家應(yīng)該不陌生。早期NOR Flash的接口是并行口的形式，也就是把數(shù)據(jù)線，地址線并排設(shè)置在IC的管腳中。但是由于不同容量
2023-03-06 09:49:174892 Flash閃存是一種存儲器,主要用于一般性程序存儲，以及電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)。根據(jù)內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)不同,Flash主要有兩種，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26470 非易失性存儲元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051888 
相對于傳統(tǒng)機(jī)械硬盤，固態(tài)硬盤采用了閃存存儲技術(shù)，具有更高的數(shù)據(jù)訪問速度、更低的能耗、更小的體積和更好的抗震性能。其中，Nand Flash 技術(shù)的發(fā)展使得固態(tài)硬盤成為了相對便宜和可靠的存儲解決方案之一。
2023-07-05 15:37:072138 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 地解釋它們之間的差異。 1. FLASH存儲器結(jié)構(gòu) NOR Flash和NAND Flash的主要區(qū)別在于它們的存儲器結(jié)構(gòu)。 NOR Flash 的存儲器結(jié)構(gòu)
2023-10-29 16:32:58646 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20735 
Nor Flash是一種非易失性存儲技術(shù)，用于存儲數(shù)據(jù)和代碼。它是一種閃存存儲器，類似于NAND Flash，但具有不同的特性和應(yīng)用場景。
2023-12-05 13:57:37838 Nor Flash采用NOR門結(jié)構(gòu)，其中每個存儲單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實現(xiàn)高效的隨機(jī)訪問和快速的數(shù)據(jù)檢索。
2023-12-05 15:21:59363 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45159 
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