研究生新生，導(dǎo)師安排了一個(gè)和企業(yè)合作的永磁電機(jī)FOC驅(qū)動(dòng)項(xiàng)目。希望選用H7或F4的某一款，除了基本的六路PWM，電壓電流溫度反饋保護(hù)等功能外，還希望支持Ethernet，CClink等現(xiàn)場(chǎng)總線通信
2024-03-22 07:18:08
有誰(shuí)遇到過(guò) cubemx 生成的F4 usb audio的代碼，能枚舉成功，但沒有同步端點(diǎn)（OTG_FS）的情況嗎？
有大佬指點(diǎn)一下嗎？
2024-03-18 07:32:36
STM32F103使用ST-LINK Utility量產(chǎn)模式，選擇開啟RDP后，單片機(jī)Flash讀寫功能出現(xiàn)問(wèn)題。但是在程序中開啟RDP，同樣的程序，F(xiàn)lash讀寫功能正常。
請(qǐng)教下這2種開啟RDP方式的區(qū)別是什么？
2024-03-07 08:22:36
途。
單相電源應(yīng)用廣泛。例如，它適用于運(yùn)行高達(dá)5hp的電機(jī)，它們可用于為非工業(yè)企業(yè)和家用電器提供充足的電力。
4.三相供電
那么，三相電源呢？如果您想將它們與單相進(jìn)行比較并了解單相和三相發(fā)電機(jī)之間的區(qū)別
2024-03-01 09:28:47
數(shù)碼管可以用于顯示數(shù)字信息，一個(gè)七段數(shù)碼管分別由a、b、c、d、e、f、g控制位和表示小數(shù)點(diǎn)的dp位段組成。實(shí)際是由8個(gè)LED燈組成的，控制每個(gè)LED的點(diǎn)亮或熄滅實(shí)現(xiàn)數(shù)字顯示。通常數(shù)碼管分別為共陽(yáng)極
2024-02-29 09:01:47
工頻逆變器和高頻逆變器之間的區(qū)別是什么? 工頻逆變器和高頻逆變器是兩種不同類型的逆變器，其主要區(qū)別體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。 一、工作頻率不同 工頻逆變器是指工作頻率為50Hz或60Hz，與電網(wǎng)頻率相同
2024-01-31 16:27:08
490 1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。這里的溝道是指導(dǎo)電的主要離子，N溝道為電子，P溝道為空穴。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間
2024-01-30 11:51:42
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
齊納管的兩種不同的工作機(jī)制：齊納擊穿（低壓下）和雪崩擊穿（高壓下），這兩種擊穿方式對(duì)齊納管的反向電壓電流以及齊納管的壽命有什么影響和區(qū)別？
如果僅需齊納管實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電壓參考源，就無(wú)需關(guān)心具體電壓
2024-01-26 23:28:52
推挽和互補(bǔ)放大電路的區(qū)別是什么？在晶體管的不同，BTJ和FET的不同？例如在NPN和PNP電路中，上級(jí)電路的輸入共同作用加在兩個(gè)基極之間？假設(shè)是高電平，為什么上面晶體管導(dǎo)通，下面晶體管不導(dǎo)通？當(dāng)下
2024-01-25 22:28:59
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對(duì)三極管的開通有害的時(shí)候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
的變化。
1、當(dāng)柵極電壓未達(dá)到門檻電壓時(shí)，漏源之間基本處于關(guān)斷狀態(tài)，即使漏源之間加上電壓漏電流也很小。
2、當(dāng)柵極電壓達(dá)到門檻電壓時(shí)，導(dǎo)電溝道開始出現(xiàn)，場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)入線性區(qū)，漏源之間電阻開始減小，此時(shí)漏源
2024-01-18 16:34:45
FLM5964-4F/001型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的FLM5964-4F/001是一種功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻段，在50歐姆系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。型號(hào)規(guī)格 廠家
2023-12-20 10:19:33
9，按鍵 K2 控制第二個(gè)數(shù)碼管，按一下數(shù)字加 1，顯示從 0 到 9，類似的，按鍵 K3 控制第三個(gè)數(shù)碼管，按鍵 K4 控制第四個(gè)數(shù)碼管
依然使用官方提供的Demo，再次基礎(chǔ)上學(xué)習(xí)實(shí)現(xiàn)功能。
1
2023-12-17 15:42:37
經(jīng)常發(fā)現(xiàn)運(yùn)放電源與輸出之間加二極管，求解
2023-11-27 06:47:15
光伏、光電與光熱三者之間的區(qū)別是什么？ 光伏、光電和光熱是與太陽(yáng)能有關(guān)的三個(gè)重要概念，它們都利用了太陽(yáng)的能量，但在實(shí)際應(yīng)用和原理方面存在一些差異。下面是一篇詳盡、詳實(shí)和細(xì)致的1500字文章，介紹
2023-11-21 16:15:341049 電機(jī)的極數(shù)什么意思？2極，4極，6極，8極的區(qū)別是什么？ 電機(jī)的極數(shù)指的是電機(jī)中磁極或繞組的數(shù)目。常見的電機(jī)極數(shù)有2極、4極、6極、8極等，不同的極數(shù)對(duì)電機(jī)的性能和應(yīng)用有著重要影響。下面將詳細(xì)介紹
2023-11-17 11:41:453444 動(dòng)力電池和儲(chǔ)能電池之間的區(qū)別是什么？ 動(dòng)力電池和儲(chǔ)能電池在用途、設(shè)計(jì)、性能以及技術(shù)特點(diǎn)等方面存在著顯著的差異。本文將從這些方面進(jìn)行詳細(xì)解析，幫助讀者全面了解和區(qū)分這兩種類型的電池。 一、用途
2023-11-13 12:19:33876 arduino和單片機(jī)的區(qū)別是什么
2023-11-07 08:34:41
1.共陽(yáng)極/共陰極數(shù)碼管內(nèi)部組成結(jié)構(gòu)
2.設(shè)計(jì)共陰/共陽(yáng)數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)電路
3.數(shù)碼管顯示的字符與段選/位選之間的關(guān)系
共陰從左往右第三個(gè)數(shù)碼管顯示0
共陽(yáng)從左往右第三個(gè)數(shù)碼管顯示0
0對(duì)應(yīng)的段選就是
2023-11-06 11:06:42
TI的FAE給推薦了一款基于Arm Cortex R4F內(nèi)核的MCU TMS570系列，不知道這個(gè)內(nèi)核與ARM Cortex M4F內(nèi)核有什么區(qū)別？只知道R系列內(nèi)核實(shí)時(shí)性很強(qiáng)。
2023-11-06 07:13:19
要點(diǎn)亮數(shù)碼管中 a、b、c、d、e、f、g、dp ）:
1.共陰極 LED 顯示器字形碼對(duì)應(yīng)關(guān)系如下：
數(shù)字對(duì)應(yīng)： 0x3f: 0； 0x06:1； 0x5b:2; 0x4f: 3；
0x66:4; 0x6d
2023-11-05 18:37:57
字段發(fā)光二極管的陽(yáng)極為高電平時(shí)，相應(yīng)字段就點(diǎn)亮。
2. Keil工程和過(guò)程截圖
/**********
*實(shí)驗(yàn)名：LED顯示器動(dòng)態(tài)顯示
*實(shí)驗(yàn)效果：在4位一體LED顯示器左數(shù)第4位顯示4，過(guò)1s，
*在左數(shù)
2023-11-04 23:53:28
?RT1052?號(hào)稱跨界處理器
F7 與H7都是ST的產(chǎn)品。
他們都是M7的內(nèi)核，為何差別會(huì)這么大
他們?nèi)叨加惺裁?b class="flag-6" style="color: red">區(qū)別
2023-11-02 06:23:20
CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V,高電子遷移率晶體管CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V
2023-10-17 16:12:54
STM32的G4與F4有哪些區(qū)別
2023-09-25 07:38:25
stm32f030c6t6和f031c6t6有什么區(qū)別
2023-09-25 07:19:35
請(qǐng)問(wèn)stm32f1系列自帶dfu嗎，我知道f4是自帶的
2023-09-25 07:09:52
口等。該芯片的配置十分強(qiáng)悍，很多功能相對(duì)STM32F1來(lái)說(shuō)進(jìn)行了重大改進(jìn)，比如FSMC的速度，F4刷屏速度可達(dá)3300W像素/秒，而F1的速度則只有500W左右?，F(xiàn)在收集了一些原理圖、PCB、源碼以及文檔手冊(cè)分享給大家。
2023-09-22 07:06:30
f4的pwm管腳可以輸出100MHz左右的頻率嗎，那么是不是可以做調(diào)頻發(fā)射電路
2023-09-22 06:48:09
管是p型MOSFET。這兩種管子的主要區(qū)別是導(dǎo)通時(shí)的極性。 本文將詳細(xì)介紹使用NMOS和PMOS管的兩級(jí)運(yùn)放輸入級(jí)之間的區(qū)別。 1.結(jié)構(gòu)區(qū)別： 兩級(jí)運(yùn)放的輸入級(jí)通常由一個(gè)差分放大器和一個(gè)共源共極放大器組成。在差分放大器中使用了兩個(gè)輸入MOS管，而共源共極放大器則使用一個(gè)單端輸入MOS管。 對(duì)于兩
2023-09-17 17:14:341950 產(chǎn)品系列概述
? F1/F2/F4特征比較
? 突出顯示的功能
? 引導(dǎo)和重映射功能
? RTC校準(zhǔn)和同步
? 復(fù)位和調(diào)節(jié)器功能
? I2S新功能
? F1至F2至F4端口導(dǎo)向器
2023-09-12 07:44:21
Keil Middleware版本6.0依賴于CMSIS驅(qū)動(dòng)程序API 2.0。
您需要升級(jí)到STM32F2或F4 Device Family Pack(DFPS)版本2.x或更高版本。
這些DFP
2023-09-04 07:33:25
衛(wèi)星通話和聯(lián)網(wǎng)的區(qū)別是什么？? 衛(wèi)星通話和聯(lián)網(wǎng)雖然涉及到衛(wèi)星技術(shù)，但是它們之間還是有很大的區(qū)別的。下面我們將從技術(shù)的角度來(lái)詳細(xì)解釋一下衛(wèi)星通話和聯(lián)網(wǎng)的區(qū)別。 一、衛(wèi)星通話 衛(wèi)星通話是指通過(guò)衛(wèi)星傳輸
2023-08-30 17:27:0711227 CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 開發(fā)的一款無(wú)與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。適用于A類、AB類和線性放大器，能處理多種波形
2023-08-26 15:40:57
差異。本文將詳細(xì)介紹晶閘管和MOS管之間的區(qū)別。 一、結(jié)構(gòu) 晶閘管由四個(gè)半導(dǎo)體層組成，分別是P型半導(dǎo)體，N型半導(dǎo)體，P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。結(jié)構(gòu)從外到內(nèi)進(jìn)行排列。與之相比，MOS管由三個(gè)半導(dǎo)體層組成：源極，漏極和柵極。其中柵極是一
2023-08-25 15:53:572470 晶閘管和晶體管區(qū)別是什么？ 晶閘管和晶體管都屬于半導(dǎo)體器件的范疇，它們的出現(xiàn)都徹底改變了電子行業(yè)的發(fā)展。但是，晶閘管和晶體管之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別，這些區(qū)別在分析它們的工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用等方面
2023-08-25 15:47:411278 晶體管和mos管的區(qū)別是什么？ 晶體管（transistor）和MOS管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）都是半導(dǎo)體器件，它們
2023-08-25 15:29:314219 儲(chǔ)能和氫能源的區(qū)別是什么？ 儲(chǔ)能和氫能源是兩種不同的能源技術(shù)，雖然它們都被認(rèn)為是未來(lái)能源發(fā)展的方向，但是它們之間存在著很多區(qū)別。 儲(chǔ)能技術(shù)是指將能量?jī)?chǔ)存在儲(chǔ)能設(shè)施中，以便在需要時(shí)釋放出來(lái)。目前，常見
2023-08-22 17:06:511381 請(qǐng)問(wèn) Hbird-SDK、Nuclei-SDK和NucleiStudio這三者之間的關(guān)系和區(qū)別是什么??？有沒有誰(shuí)包含誰(shuí)了？
2023-08-12 08:08:18
CHKA012a99F 是一款 140W 氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產(chǎn)品為雷達(dá)和電信等各種射頻功率應(yīng)用提供通用寬帶解決方案。它是在 SiC 襯底上采用 0.5μm 柵極長(zhǎng)度 GaN HEMT
2023-08-10 10:50:22
200-W；4400 - 5000 MHz；50 歐姆輸入/輸出匹配；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款專為高效率設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高
2023-08-09 09:20:19
8.8 - 9.6 GHz、300 W、45 V、封裝 GaN 晶體管 Wolfspeed 的 CGHV1A250F 是一款 300 W 封裝晶體管，輸入和輸出端口完全匹配 50 歐姆
2023-08-08 10:35:45
8.8 - 9.6 GHz、300 W、45 V、封裝 GaN 晶體管 Wolfspeed 的 CGHV1A250F 是一款 300 W 封裝晶體管，輸入和輸出端口完全匹配 50 歐姆
2023-08-08 10:25:26
) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV37400F 非常適合 3.3 – 3.7 GHz S 波段雷達(dá)放大器應(yīng)用。晶體管的輸入匹
2023-08-07 17:27:44
) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH31240F 非常適合 2.7 –3.1-GHz；S波段；雷達(dá)放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金
2023-08-07 17:06:35
120-W；2.9 - 3.8 GHz；50V；用于 S 波段雷達(dá)系統(tǒng)的 GaN HEMTWolfspeed 的 CGHV35120F 是一款專為高效率而設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 16:28:32
請(qǐng)問(wèn)stm32F427IIH6和stm32f429iih6有哪些區(qū)別??？
2023-08-07 11:17:29
) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH21240F 非常適合 1.8 – 2.3 GHz WCDMA 和 LTE 放大器應(yīng)用。該晶體
2023-08-07 09:34:30
晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH25120F 非常適合 2.3-2.7GHz WiMAX；LTE 和 BWA 放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金
2023-08-07 09:18:04
遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH09120F 非常適合 MC-GSM；WCDMA 和 LTE 放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。
2023-08-07 09:13:02
有誰(shuí)遇到過(guò) cubemx 生成的F4 usb audio的代碼，能枚舉成功，但沒有同步端點(diǎn)（OTG_FS）的情況嗎？
有大佬指點(diǎn)一下嗎？
2023-08-07 08:31:38
Cgh2760F成為甚高頻、通信、3G、4G、LTE、2.3-9.9zWMAX和Bwa放大器的理想應(yīng)用。無(wú)與倫比的晶體管由陶瓷/金屬法蘭封裝提供。
2023-08-04 17:01:17
高效率;高增益和寬帶寬能力;使Cgh40035F成為線性和壓縮放大電路的理想。晶體管可在一個(gè)旋下法蘭包中使用。 特點(diǎn)多達(dá)4千兆赫的操作2.0千兆
2023-08-04 10:16:16
高效率;高增益和寬帶寬能力;使Cgh40035F成為線性和壓縮放大電路的理想。晶體管可在一個(gè)旋下法蘭包中使用。 特點(diǎn)多達(dá)4千兆赫的操作2.0千兆
2023-08-04 09:15:44
;
它們之間最大的區(qū)別是電流、電壓和響應(yīng)速度。
從某種意義上說(shuō)，1N4007可以代替1N4148，只要響應(yīng)速度不是太苛刻，1N4148注定只能用在弱電低電流感性負(fù)載上。
III.1N4148
2023-07-31 16:07:44
600 V、4 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比
2023-07-25 10:07:08
003f4可以直接驅(qū)動(dòng)3位數(shù)碼管動(dòng)態(tài)顯示嗎 還有003f4我用5V供電可以嗎？有大佬麻煩幫我解答一下疑惑好不好，謝謝
2023-06-15 07:04:50
ZXTP2041F 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTP2041F（PNP, 40V, 1A, SOT23）該晶體管結(jié)合了高增益、高電流操作和低飽和電壓，使其成為功率 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)
2023-06-12 17:28:12
ZXTP2027F 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTP2027F（PNP, 60V, 4A, SOT23）先進(jìn)的工藝能力和封裝設(shè)計(jì)已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率
2023-06-12 10:15:19
ZXTP2025F 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTP2025F（PNP、50V、5A、SOT23）先進(jìn)的工藝能力和封裝設(shè)計(jì)已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該
2023-06-12 10:06:02
ZXTN2040F 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN2040F 該晶體管結(jié)合了高增益、高電流操作和低飽和電壓，使其成為功率 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)和低損耗功率開關(guān)的理想選擇。
2023-06-08 06:47:03
ZXTN2038F 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN2038F 該晶體管結(jié)合了高增益、高電流操作和低飽和電壓，使其成為功率 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)和低損耗功率開關(guān)的理想選擇
2023-06-08 06:38:43
ZXTN2031F 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN2031F 先進(jìn)的工藝能力和封裝設(shè)計(jì)已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值
2023-06-07 22:58:24
ZXTN2020F 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTN2020F 先進(jìn)的工藝能力和封裝設(shè)計(jì)已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值使其非常適合
2023-06-07 21:17:56
請(qǐng)問(wèn)模塊有什么區(qū)別（除了一個(gè)LED二極管和對(duì)應(yīng)的電阻）？
謝謝你！
2023-05-25 09:00:40
兩者之間有什么區(qū)別。
想要確定部件號(hào) FXPS7250A4S 末尾的“S”標(biāo)記表示什么？另外，這部分的預(yù)計(jì)開發(fā)完成日期是什么時(shí)候？當(dāng)原件過(guò)時(shí)時(shí)它會(huì)可用嗎？
2023-05-17 06:38:43
n-mos管截止如果在s-d之間加上正向電壓，體二極管會(huì)不會(huì)導(dǎo)通？
2023-05-16 14:30:44
在推挽電路中，三極管PNP的基極和發(fā)射集之間連了一個(gè)5V穩(wěn)壓二極管，這個(gè)穩(wěn)壓二極管起什么作用？
2023-04-28 14:37:18
、半導(dǎo)體放電管。
半導(dǎo)體放電管電壓范圍為6~800 V，通量為150A/250A/400A，用于中低浪涌保護(hù)。
陶瓷氣體放電管，半導(dǎo)體放電管，玻璃氣體放電管的參數(shù)區(qū)別：
1、通流量不同。
陶瓷氣體
2023-04-27 11:54:23
有人可以幫我解決 TJA1044 和 TJA1049 之間的區(qū)別嗎？
2023-04-17 08:09:07
有人可以說(shuō)， UJA1169ATK/ X/F 和UJA1169ATK/ X/F Z之間是否有任何區(qū)別？如果我們同時(shí)使用這兩種類型，我們是否會(huì)得到具有任何寄存器或功能的問(wèn)題？不幸的是，我沒有找到關(guān)于 UJA1169ATK/ X/FZ的任何信息
2023-04-11 08:04:03
下午好，我需要確認(rèn) (Freescale /NXP) 組件的兩個(gè)選項(xiàng)之間的兼容性。第一版 MCHC11F1VFNE4 和第二版 MCHC11F1CFNE4。我知道差異是溫度范圍。但是合適的形式和功能會(huì)是一樣的嗎？對(duì)芯片進(jìn)行閃存/編程怎么樣，那也是一樣的嗎？?jī)蓚€(gè)版本之間。
2023-04-06 07:08:56
你能幫我找出S912ZVCA96AMLF和S912ZVCA96
F0MLF
之間的
區(qū)別嗎？我的客戶想訂購(gòu)S912ZVCA96
F0MLF，但我們只能找到S912ZVCA96AML。如果它們?cè)诠δ苌舷嗤?/div>
2023-04-04 08:55:21
雙繞組變壓器和三繞組變壓器、三相變壓器之間的區(qū)別是什么呢？求解答
2023-04-03 11:25:52
請(qǐng)教大神二極管的正向飽和電流Ior和Isc有什么區(qū)別嗎？
2023-03-31 16:26:00
采用晶體管互補(bǔ)對(duì)稱輸出時(shí)，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
我不明白 mCAN、msCAN 和 FlexCAN 之間的區(qū)別是什么，或者為什么存在這么多不同版本的 can 外設(shè)。 是否有關(guān)于每個(gè)產(chǎn)品的文檔？
2023-03-29 08:19:06
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