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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>多晶硅薄膜后化學機械拋光的新型清洗解決方案

多晶硅薄膜后化學機械拋光的新型清洗解決方案

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2023-07-18 17:24:43550

cmp是什么意思 cmp工藝原理

CMP 主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝,其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183030

半導體產業(yè)鏈叩門A股消息頻傳 盾源聚芯深主板IPO受理!

半導體產業(yè)鏈硅部件供應商盾源聚芯沖刺IPO上市! 近日,半導體產業(yè)鏈叩門A股消息頻傳,化學機械拋光(CMP)設備供應商晶亦精微,半導體功率器件企業(yè)華羿微電均在沖刺科創(chuàng)板上市。 硅部件供應商寧夏
2023-07-18 10:43:08368

陶氏化學工廠爆炸 牽動半導體關鍵耗材生產

陶氏化學公司是粘合劑,輔助劑等在內的多種材料提供的高純度化學產品生產線的半導體核心化學材料的主要供應商,也供應全球重要的CMP材料包括拋光墊、拋光液等。
2023-07-18 09:59:07613

晶亦精微沖刺科創(chuàng)板IPO 為國內唯一8英寸CMP設備境外供應商

。 晶亦精微主要從事半導體設備的研發(fā)、生產、銷售及技術服務,主要產品為化學機械拋光(CMP)設備及其配件,并提供技術服務。目前主要為集成電路制造商提供8英寸、12英寸和6/8英寸兼容CMP設備,是國內唯一實現(xiàn)8英寸CMP設備境外批量銷售的設備供應商。
2023-07-14 11:01:15460

一文詳解CMP設備和材料

在前道加工領域:CMP 主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝,其中根據(jù)工藝段來分可以分為前段制程(FEOL)和后段制程(BEOL)
2023-07-10 15:14:333567

超聲波鏡頭清洗 (ULC) 固態(tài)解決方案介紹

本文介紹的超聲波鏡頭清洗 (ULC) 固態(tài)解決方案可實現(xiàn)攝像頭和傳感器的自清洗,并且具有成本效益。
2023-07-08 15:26:11538

液晶玻璃光學超聲波清洗機介紹

?液晶玻璃是一種高科技光電玻璃產品,由液晶薄膜經高溫高壓層壓封裝而成。液晶玻璃超聲波清洗機是專為當前玻璃產品設計的先進清洗設備。液晶玻璃的清洗由于批量大、過程長、表面清潔度要求高等因素,超聲波清洗
2023-07-06 16:17:440

9.6 多晶硅薄膜材料

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:42:09

9.5 非晶薄膜材料(下)

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:41:04

離子注入技術在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應用

在DRAM生產中,離子注入技術被應用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進行重摻雜。
2023-06-19 09:59:27317

單晶硅和多晶硅的區(qū)別

什么是單晶硅,什么是多晶硅,二者究竟是怎么形成的,單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別,多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質方面,主要包括力學性質、電學性質等方面,下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423981

使用SiC FET替代機械斷路器的固態(tài)解決方案

機械斷路器損耗小,但速度很慢,且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題,并且損耗也會持續(xù)降低。
2023-06-12 09:10:02400

多晶硅內摻雜物的擴散效應

當晶體管尺寸縮小時,多晶硅內摻雜物的擴散效應可能會影響器件的性能。
2023-06-11 09:09:19727

行業(yè)方案|數(shù)商云化學品行業(yè)SRM供應商管理系統(tǒng)解決方案

業(yè)的競爭日益激烈,采購成本不斷攀升,為企業(yè)帶來了一系列的問題。針對這些問題,SRM供應商管理解決方案成為了當下化學品企業(yè)的關鍵所在。 二、化學品行業(yè)發(fā)展分析 在全球范圍內,化學品行業(yè)經歷了長時間的高速發(fā)展,同時也隨之帶
2023-06-09 09:08:39328

多晶硅和單晶硅光伏板哪個好

單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型,其主要區(qū)別在于材料。   單晶硅光伏板是由單個晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉換效率和穩(wěn)定性,因此在太陽能發(fā)電領域中應用較為廣泛。但是,制造過程成本較高,價格較貴。
2023-06-08 16:04:414916

鍍膜設備激光清洗

化學清洗及電拋光和超聲波清洗方法。不僅需要拆卸鍍膜機內零件,耗費大量時間精力,同時拆裝過程也有不可避免的污染,而且需要消耗一定的清洗材料,尤其是清洗體積大的物件時,及其不便。
2023-06-08 14:35:37542

機械接觸式薄膜測厚儀

機械接觸式薄膜測厚儀來看一下醫(yī)用包裝材料厚度檢測的必要性,由于近年來,國際新的包裝材料--非PVC復合膜軟袋在國外日益廣用于輸液包裝,復合膜軟袋的材料質量符合中國藥典的標準,具有很低的透水性、透氣性
2023-06-06 09:41:42

藍寶石在化學機械拋光過程中的材料去除機理

化學腐蝕點處的濃度越高,腐蝕速率越快。在拋光過程中拋光液持續(xù)流動,我們假設在腐蝕點處的濃度可以保持初始時的濃度,腐蝕率以最快的速度發(fā)生,則拋光液不同的PH值對應一個腐蝕率,由此可見,去除速率與PH值有關,PH越高,速率越快。
2023-06-02 15:24:06347

臭氧清洗系統(tǒng)的制備及其在硅晶片清洗中的應用

在半導體和太陽能電池制造過程中,清洗晶圓的技術的提升是為了制造高質量產品。目前已經有多種濕法清洗晶圓的技術,如離子水清洗、超聲波清洗、低壓等離子和機械方法。由于濕法工藝一般需要使用含有有害化學物質的酸和堿溶液,會產生大量廢水,因此存在廢物處理成本和環(huán)境監(jiān)管等問題。
2023-06-02 13:33:211020

5.5太陽能級多晶硅的物理冶金制備

半導體
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-01 00:07:55

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗,探究了滴液速率、拋光頭轉 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響,并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化,最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215

硅晶片的酸基蝕刻:傳質和動力學效應

拋光硅晶片是通過各種機械化學工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(晶片),然后是一個稱為拍打的扁平過程,包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光清洗之前,它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584

LTC3524EUF#TRPBF是一款驅動器

LTC?3524 是一款集成 BIAS 和白光 LED 功率轉換器解決方案,以用于中小尺寸的多晶硅薄膜晶體管 (TFT) 液晶 (LCD) 顯示屏。該器件采用單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池或任何 2.5V
2023-05-15 17:04:32

什么是晶圓清洗

晶圓清洗工藝的目的是在不改變或損壞晶圓表面或基板的情況下去除化學雜質和顆粒雜質。晶圓表面必須保持不受影響,這樣粗糙、腐蝕或點蝕會抵消晶圓清潔過程的結果
2023-05-11 22:03:03783

如何讓自動拋光設備達到理想的拋光效果

一、自動拋光機的拋光效果因素自動拋光機的拋光效果取決于多個因素,除了自動拋光機本身的質量以外,還包括使用工藝、選用什么樣的拋光輔料,要拋光物件材質,操作者的經驗技術等,在條件都合適的情況下,自動
2023-05-05 09:57:03535

《炬豐科技-半導體工藝》III-V族化學-機械拋光工藝開發(fā)

書籍:《炬豐科技-半導體工藝》 文章:III-V族化學-機械拋光工藝開發(fā) 編號:JFKJ-21-214 作者:炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術
2023-04-18 10:05:00151

硅膠+FPC薄膜開關~LUPHI/LuphiTouch/雨菲電子薄膜開關及觸摸顯示解決方案供應商#薄膜開關

薄膜開關
東莞市雨菲電子科技有限公司發(fā)布于 2023-04-11 18:23:23

PCB薄膜開關簡介~~薄膜開關及觸摸顯示解決方案供應商!#薄膜開關 #工廠實拍 #薄膜開關面板

薄膜開關
東莞市雨菲電子科技有限公司發(fā)布于 2023-04-08 08:59:33

半導體行業(yè)之刻蝕工藝技術

DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層,然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198

多晶硅蝕刻工藝講解

下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術后從90nm到22nm技術節(jié)點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖??梢钥闯?,SRAM的布局從65nm節(jié)點已發(fā)生
2023-04-03 09:39:402452

薄膜集成電路--薄膜電阻

濾波器等電路,同時具有實現(xiàn)信號采集、級間隔離及阻抗匹配等功能,以及射頻混頻和光載波的集成解決方案。1) 雙極性和場效應對晶體管偏壓網(wǎng)絡2) 電壓調節(jié)網(wǎng)絡3) 溫度補償網(wǎng)絡4) 射頻衰減網(wǎng)絡5)射頻整形和均衡網(wǎng)絡6)隔離網(wǎng)絡
2023-03-28 14:19:17

SI32176-C-GM1R

PROSLIC?單芯片F(xiàn)XS解決方案
2023-03-25 02:23:12

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