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光刻技術是什么,有哪些作用

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光刻廠落地雄安?中國電子院否認!真相是啥?

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芯片制造工藝:光學光刻-掩膜、光刻

制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級(空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500)潔凈室,在光刻區(qū)域,潔凈室要求10級或更高。
2024-03-20 12:36:0060

關于光刻膠的關鍵參數(shù)介紹

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2024-03-20 11:36:50195

電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化及常見問題介紹

本文從光刻圖案設計、特征尺寸、電鏡參數(shù)優(yōu)化等方面介紹電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化,最后介紹了一些常見問題。
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光刻機巨頭ASML要搬離荷蘭?

據(jù)荷蘭《電訊報》3月6日報道,因荷蘭政府的反移民政策傾向,光刻機巨頭阿斯麥(ASML)正計劃搬離荷蘭。
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淺談不同階段光刻機工作方式

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2024-03-08 10:42:3788

一文解析半導體設計電路的“光刻工藝”

利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用。
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光刻膠和光刻機的區(qū)別

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不同材料在晶圓級封裝中的作用

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佳能預計到2024年出貨納米壓印光刻

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2024-01-18 10:25:22145

光刻膠分類與市場結構

光刻膠主要下游應用包括:顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導體制造等,其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用,占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%,是第三達應用場景。
2024-01-03 18:12:21346

改進芯片技術的關鍵因素——光刻技術

使用13.5nm波長的光進行成像的EUV光刻技術已被簡歷。先進的邏輯產(chǎn)品依賴于它,DRAM制造商已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)。
2023-12-29 15:22:31172

英特爾搶下6種ASML HIGH NA光刻

如果我們假設光刻機成本為 3.5 億至 4 億美元,并且 2024 年 10 個光刻機的HIGH NA 銷售額將在 35億至40億美元之間。
2023-12-28 11:31:39406

激光微納加工技術詳解

激光微納加工技術利用激光脈沖與材料的非線性作用,可以<100nm精度實現(xiàn)傳統(tǒng)方法難以實現(xiàn)的復雜功能結構和器件的增材制造。而激光直寫(DLW)光刻是一項具有空間三維加工能力的微納加工技術,在微納集成器件制造中發(fā)揮著重要作用。
2023-12-22 10:34:20401

光刻工藝的基本步驟 ***的整體結構圖

光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中,k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度,ASML認為其物理極限在0.25,k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
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晶圓級封裝(WLP)的各項材料及其作用

本篇文章將探討用于晶圓級封裝(WLP)的各項材料,從光刻膠中的樹脂,到晶圓承載系統(tǒng)(WSS)中的粘合劑,這些材料均在晶圓級封裝中發(fā)揮著重要作用
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勻膠速度影響光刻膠的哪些性質(zhì)?

勻膠是光刻中比較重要的一步,而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數(shù),那么我們在勻膠時,是如何確定勻膠速度呢?它影響光刻膠的哪些性質(zhì)?
2023-12-15 09:35:56442

光刻各環(huán)節(jié)對應的不同模型種類

光學模型是基于霍普金斯(Hopkins)光學成像理論,預先計算出透射相交系數(shù)(TCCs),從而描述光刻機的光學成像。光學模型中,經(jīng)過優(yōu)化的光源,通過光刻機的照明系統(tǒng),照射在掩模上。如果在實際光刻
2023-12-11 11:35:32288

半導體制造之光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334

光刻膠國內(nèi)市場及國產(chǎn)化率詳解

KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻光刻膠。248nmKrF光刻技術已廣 泛應用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:50283

不僅需要***,更需要光刻

為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠,需要高純度的配方原料,例如光刻樹脂,溶劑PGMEA…此外,生產(chǎn)過程中的反應釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關重要的控制環(huán)節(jié)。例如,2019年,某家半導體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染,導致上萬片12吋晶圓報廢
2023-11-27 17:15:48550

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

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2023-11-23 18:13:02579

西隴科學9天8板,回應稱“未生產(chǎn)、銷售光刻膠”

 20日,西隴科學(株)發(fā)布公告稱,該公司沒有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠,占公司營業(yè)收入的比例,是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315

基于JSM-35CF SEM的納米電子束光刻系統(tǒng)實現(xiàn)與應用

在電子和電氣制造業(yè)中,光刻技術是制造無源/有源器件的重要步驟。
2023-11-20 09:30:05406

儲能技術對智能電網(wǎng)的建設作用

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光刻膠黏度如何測量?光刻膠需要稀釋嗎?

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠算高黏度,哪些算低黏度呢?
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ASML攜全景光刻解決方案亮相進博會

第六屆進博會于近日在上海國家會展中心正式收官,ASML2023進博之旅也圓滿落幕! 今年,ASML繼續(xù)以“光刻未來,攜手同行”為主題,攜全景光刻解決方案驚艷亮相,還創(chuàng)新性地帶來了“芯”意滿滿的沉浸
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片內(nèi)和片間非均勻性是什么?如何計算?有什么作用呢?

導語:均勻性在芯片制程的每一個工序中都需要考慮到,包括薄膜沉積,刻蝕,光刻,cmp,離子注入等。較高的均勻性才能保證芯片的產(chǎn)品與性能。那么片內(nèi)和片間非均勻性是什么?如何計算?有什么作用呢?
2023-11-01 18:21:12503

半導體關鍵材料光刻膠市場格局發(fā)展現(xiàn)狀

生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑(光增感劑、光致產(chǎn)酸劑幫助其更好發(fā)揮作用)、樹脂、溶劑和其他添加劑等,我國由于資金和技術的差距,如感光劑、樹脂等被外企壟斷,所以光刻膠自給能力不足。
2023-11-01 15:51:48138

什么是EUV光刻?EUV與DUV光刻的區(qū)別

EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光,涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上,用于微芯片設計過程中的后續(xù)步驟。
2023-10-30 12:22:55615

半導體制造領域光刻膠的作用和意義

光刻是半導體加工中最重要的工藝之一,決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%,占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關鍵耗材,其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關。
2023-10-26 15:10:24359

光學光刻技術有哪些分類 光刻技術的原理

光學光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結構圖形畫在涂有光刻膠的硅片上,通過光的照射,光刻膠的成分發(fā)生化學反應,從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關,而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:15271

PCB激光投影光刻照明系統(tǒng)的設計

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2023-10-23 09:38:181

arduino平臺millis()函數(shù)什么作用?

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各種光刻技術你都了解嗎?

當制程節(jié)點演進到5nm時,DUV和多重曝光技術的組合也難以滿足量產(chǎn)需求了,EUV光刻機就成為前道工序的必需品了,沒有它,很難制造出符合應用需求的5nm芯片,即使不用EUV能制造出一些5nm芯片,其整個生產(chǎn)線的良率也非常低,無法形成大規(guī)模的商業(yè)化生產(chǎn)。
2023-10-13 14:45:03834

半導體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成,是一種具有光化學敏感性的混合液體。其利用光化學反應,經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝,將所需要的微細圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上,是用于微細加工技術的關鍵性電子化學品。
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MDK的里面代碼補全的功能是什么作用的?

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關于光刻技術的五大分類

光刻是通過一系列操作,除去外延片表面特定部分的工藝,在半導體器件和集成電路制作中起到極為關鍵的作用。
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極紫外 (EUVL) 光刻設備技術應用分析

歐洲極紫外光刻(EUVL)技術利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來源是使用強大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大多數(shù)在13.5納米附近發(fā)射的錫離子(例如Sn10+-Sn15+)。
2023-09-25 11:10:50264

芯片和線路板的光刻技術不同?差別在哪里?

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2023-09-21 10:20:34607

化學機械拋光(CMP) 技術的發(fā)展應用及存在問題

性能和速度上同時滿足了圓片圖形加工的要求。CMP 技術是機械削磨和化學腐蝕的組合技術 , 它借助超微粒子的研磨作用以及漿料的化學腐蝕作用在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔平坦表面[2、3] 。CMP 技術對于
2023-09-19 07:23:03

EUV光刻膠開發(fā)面臨哪些挑戰(zhàn)?

EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì),當受到EUV光子照射時會發(fā)生化學變化。這些材料在解決半導體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關鍵作用,包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度(LER)、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
2023-09-11 11:58:42349

濕法去膠液的種類有哪些?去膠液都有哪些種類?去膠原理是什么?

光刻技術通過光刻膠將圖案成功轉(zhuǎn)移到硅片上,但是在相關制程結束后就需要完全除去光刻膠,那么這個時候去膠液就發(fā)揮了作用,那么去膠液都有哪些種類?去膠原理是什么?
2023-09-06 10:25:011152

光伏刻蝕工藝流程 光刻蝕刻加工原理是什么

光刻蝕(Photolithography)是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術,用于制造微細結構和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學和物理作用,通過光罩的設計和控制,將光影投射到光敏材料上,形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:422270

半導體制造工藝之光刻工藝詳解

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2023-08-24 10:38:541221

什么是光刻工藝?光刻的基本原理

光刻是半導體芯片生產(chǎn)流程中最復雜、最關鍵的工藝步驟,耗時長、成本高。半導體芯片生產(chǎn)的難點和關鍵點在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,這一過程通過光刻來實現(xiàn), 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531586

浸沒式光刻,拯救摩爾定律

2000年代初,芯片行業(yè)一直致力于從193納米氟化氬(ArF)光源光刻技術過渡到157納米氟(F 2 )光源光刻技術
2023-08-23 10:33:46798

光刻技術概述及其分類

光刻是一種圖像復制技術,是集成電路工藝中至關重要的一項工藝。簡單地說,光刻類似照相復制方法,即將掩膜版上的圖形精確地復制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面,然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護下對硅片進行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。
2023-08-07 17:52:531480

EUV光刻市場高速增長,復合年增長率21.8%

EUV掩膜,也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜,對于極紫外光刻(EUVL)這種先進光刻技術至關重要。EUV光刻是一種先進技術,用于制造具有更小特征尺寸和增強性能的下一代半導體器件。
2023-08-07 15:55:02396

次時代EUV光刻已箭在弦上!

半導體技術的未來通常是通過光刻設備的鏡頭來看待的,盡管高度挑戰(zhàn)性的技術問題幾乎永無休止,但光刻設備仍繼續(xù)為未來的工藝節(jié)點提供更好的分辨率。
2023-07-28 17:41:161130

深紫外光刻復雜照明光學系統(tǒng)設計

摘要 :隨著微電子產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,我國迫切需要研制極大規(guī)模集成電路的加工設備-光刻機。曝光波長為193nm的投影式光刻機因其技術成熟、曝光線寬可延伸至32nm節(jié)點的優(yōu)勢已成為目前光刻領域的主流設備
2023-07-17 11:02:38592

光刻掩膜版測溫儀,光刻機曝光光學系統(tǒng)測溫儀

GK-1000光刻掩膜版測溫儀,光刻機曝光光學系統(tǒng)測溫儀光刻機是一種用于微納米加工的設備,主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS(微機電系統(tǒng))等微細結構。光刻機是一種光學投影技術,通過將光線通過
2023-07-07 11:46:07

虹科案例 | 用于低成本改造光刻設備的UV紫外光源

? ? 紫外光刻和曝光 是半導體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結構的核心技術。在紫外光刻過程中,光源發(fā)射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵,然后投射到光刻膠層上,形成所需的微細圖案。 長期以來
2023-07-05 10:11:241026

3D IC對光刻技術的新技術要求

中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解,本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優(yōu)化》研討課。在授課過程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-30 10:06:02261

基于機器學習的逆向光刻技術

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2023-06-29 10:02:17327

晶圓代工廠如何突破物理極限提升光刻技術?

EUV微影技術的落實延續(xù)了摩爾定律的壽命,這里的EUV指的其實是一種紫外光源,跟過去光刻技術所采用的光源比起來,EUV的波長更短,因此有助于大幅提高分辨率。
2023-06-27 10:11:42248

光刻對準原理與精度控制

中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解,本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優(yōu)化》研討課。在授課過程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-26 17:00:19766

一文了解光刻的歷史

如今,光刻技術已成為一項容錯率極低的大產(chǎn)業(yè)。全球領先的荷蘭公司 ASML 也是歐洲市值最大的科技公司。它的光刻工具依賴于世界上最平坦的鏡子、最強大的商用激光器之一以及比太陽表面爆炸還高的熱度,在硅上刻出微小的形狀,尺寸僅為幾納米。
2023-06-26 16:59:16569

與EUV相比,這一光刻技術更具發(fā)展?jié)摿?/a>

光刻中承上啟下的半導體掩膜版

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/周凱揚)在上游的半導體制造產(chǎn)業(yè)中,除了光刻機等設備外,光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質(zhì)量與良率的關鍵因素。就拿掩膜版來說,這個承載設計圖形的材料,經(jīng)過曝光后將圖形信息轉(zhuǎn)移到
2023-06-22 01:27:001984

硅基光刻技術在柔性電子器件制造中的應用

近日,湖南大學段輝高教授團隊通過開發(fā)基于“光刻膠全干法轉(zhuǎn)印”技術的新型光刻工藝,用于柔性及不規(guī)則(曲面、懸空)襯底上柔性電子器件的原位和高保形制造,為高精度、高可靠性和高穩(wěn)定性柔性電子器件的制造提供
2023-06-17 10:19:38507

面向光刻的設計規(guī)則建立及優(yōu)化

中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解,本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優(yōu)化》研討課。在授課過程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-14 10:16:38226

芯片制造之光刻工藝詳細流程圖

光刻機可分為前道光刻機和后道光刻機。光刻機既可以用在前道工藝,也可以用在后道工藝,前道光刻機用于芯片的制造,曝光工藝極其復雜,后道光刻機主要用于封裝測試,實現(xiàn)高性能的先進封裝,技術難度相對較小。
2023-06-09 10:49:205857

芯片制造光刻步驟詳解

芯片前道制造可以劃分為七個環(huán)節(jié),即沉積、涂膠、光刻、去膠、烘烤、刻蝕、離子注入。
2023-06-08 10:57:093765

一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當今使用的最先進的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項重要但復雜的技術。
2023-06-06 11:23:54688

知識分享---光刻模塊標準步驟

通常,光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的,其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準、曝光、顯影和適當?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進行表征,以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像,并具有所需的側壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25418

逆向光刻的原理及其優(yōu)勢

中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解,本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優(yōu)化》研討課。
2023-05-26 14:59:17528

化學放大型光刻膠的作用原理

感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量,感光速度越快,單位時間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高,經(jīng)濟效益越好,另-方面,過快的感光速度會對引起工藝寬容度的減小,影響工藝制程的穩(wěn)定性。
2023-05-25 09:46:09561

光刻技術:光學關鍵尺寸測量(OCD)原理

  集成電路芯片持續(xù)朝著密度不斷增加和器件尺寸不斷微縮的方向發(fā)展,其中最為關鍵的一個參數(shù)就是柵極線條寬度。任何經(jīng)過光刻后的光刻膠線條寬度或刻蝕后柵極線條寬度與設計尺寸的偏離都會直接影響最終器件的性能
2023-05-24 09:25:193491

EUV光刻技術優(yōu)勢及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術仍被認為是實現(xiàn)半導體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關鍵途徑。隨著技術的不斷發(fā)展和成熟,預計EUV光刻將在未來繼續(xù)推動芯片制程的進步。
2023-05-18 15:49:041790

一文講透光刻膠及芯片制造關鍵技術

在集成電路制造領域,如果說光刻機是推動制程技術進步的“引擎”,光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。
2023-05-13 11:28:381122

二極管的鉗位作用和穩(wěn)壓作用什么不同啊?

二極管的鉗位作用和穩(wěn)壓作用什么不同啊?
2023-05-05 10:00:38

EUV光刻的無名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模,然后依靠硬掩模來保護晶圓。但是,如果光刻膠太薄,它可能會在第一個轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小,底層厚度也應該減小。
2023-04-27 16:25:00689

NVIDIA H100 GPU為2nm芯片加速計算光刻!

現(xiàn)代工藝技術將晶圓廠設備要求推向極限,需要實現(xiàn)突破其物理極限的高分辨率,這正是計算光刻技術發(fā)揮作用的地方。計算光刻就是為芯片生產(chǎn)制作光掩模的技術,它結合來自ASML設備和測試晶圓的關鍵數(shù)據(jù),是一個模擬生產(chǎn)過程的算法。
2023-04-26 10:05:29918

淺談光刻技術

在整個芯片制造過程中,幾乎每一道工序的實施都離不開光刻技術光刻技術也是制造芯片最關鍵的技術,占芯片制造成本的35%以上。
2023-04-26 08:57:031033

光刻技術的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義,光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構,然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質(zhì)層,例如玻璃、SOS中的藍寶石。
2023-04-25 11:11:331243

光刻技術的詳細工序

清洗硅片(Wafer Clean) 清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷,提高光刻膠黏附性 基本步驟:化學清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403859

光刻技術的原理及發(fā)展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-04-25 11:05:322260

什么是光刻技術

光刻技術簡單來講,就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程,是大規(guī)模集成電路的基礎。目前市場上主流技術是193nm沉浸式光刻技術,CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261

光刻技術簡述

光刻技術是將掩模中的幾何形狀的圖案轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導體晶片表面的薄層輻射敏感材料(稱為抗蝕劑)上的過程
2023-04-25 09:55:131057

計算光刻技術有多重要?計算光刻如何改變2nm芯片制造?

光刻是在晶圓上創(chuàng)建圖案的過程,是芯片制造過程的起始階段,包括兩個階段——光掩膜制造和圖案投影。
2023-04-25 09:22:16696

光刻膠顯影殘留原因

151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留,找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52

田字型電容橋什么作用?

電路的作用問題:這種“田”字電容電路什么作用?檢測嗎?
2023-04-19 17:35:04

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā),必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn),imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164

音圈電機模組在主流光刻掩模臺系統(tǒng)中的應用

光刻機是芯片智造的核心設備之一,也是當下尤為復雜的精密儀器之一。正因為此,荷蘭光刻機智造商阿斯麥通研制的EUV光刻機才會“千金難求”。 很多人都對光刻機有所耳聞,但其實不同光刻機的用途并不
2023-04-06 08:56:49679

Dev Error Detect什么作用?

我想知道 OSIF 的含義以及有關其配置的一些信息。 1. “Dev Error Detect”什么作用?它是否啟用斷言來檢查/檢測有關 Osif 驅(qū)動程序的錯誤?2.“使用系統(tǒng)定時器”選項
2023-03-27 08:56:50

GTC 2023 NVIDIA將加速計算引入半導體光刻 計算光刻技術提速40倍

GTC 2023 NVIDIA將加速計算引入半導體光刻 計算光刻技術提速40倍 NVIDIA cuLitho的計算光刻庫可以將計算光刻技術提速40倍。這對于半導體制造而言極大的提升了效率。甚至可以說
2023-03-23 18:55:377489

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