關(guān)于光學(xué)發(fā)射光譜的應(yīng)用研究報(bào)告

摘要

光學(xué)發(fā)射光譜(OES)已被證明是一種有價(jià)值的工具在開發(fā)和生產(chǎn)最先進(jìn)的半導(dǎo)體器件。應(yīng)用于等離子體蝕刻所需的各種材料重點(diǎn)討論了集成電路的制造。關(guān)于刻蝕端點(diǎn)分析， OES技術(shù)在監(jiān)控中的應(yīng)用。

介紹

把復(fù)雜的圖案轉(zhuǎn)移到表面上的過(guò)程一種硅片，以生產(chǎn)集成電路(IC) 。這對(duì)化學(xué)家和工程師都是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。 它要求形成精確的掩模，以及高度控制的蝕刻技術(shù)。光發(fā)射是這兩個(gè)過(guò)程步驟的固有部分; 作為一個(gè) 曝光源用于光刻的前一種，并作為副產(chǎn)物射頻(RF)激勵(lì)在后者。 本文將討論通過(guò)光學(xué)發(fā)射光譜(OES)表征這種發(fā)射，使用這種技術(shù)來(lái)監(jiān)視和控制某些方面的半導(dǎo)體制造過(guò)程。

本文還講述了監(jiān)控等離子體條件，腐蝕端點(diǎn)檢測(cè)，光電現(xiàn)象等問(wèn)題。

詳細(xì)內(nèi)容關(guān)注后可獲取

? 審核編輯：符乾江