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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>IBM和三星在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方面取得重大突破

IBM和三星在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方面取得重大突破

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量子計(jì)算機(jī) 未來(lái)希望

自己從事語(yǔ)音識(shí)別產(chǎn)品設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),而量子技術(shù)和量子計(jì)算機(jī)必將在自然語(yǔ)言處理方面實(shí)現(xiàn)重大突破,想通過(guò)此書(shū)學(xué)習(xí)量子計(jì)算技術(shù),儲(chǔ)備知識(shí),謝謝!
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突發(fā)!三星半導(dǎo)體年終獎(jiǎng)泡湯!

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博捷芯劃片機(jī)在半導(dǎo)體芯片切割領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力

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先楫半導(dǎo)體陳丹:在充滿挑戰(zhàn)的市場(chǎng)中逆勢(shì)突破,先楫瞄準(zhǔn)五大趨勢(shì)持續(xù)耕耘

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北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-11-15 11:15:42

北理工在室溫運(yùn)行中波紅外探測(cè)器研究方面取得突破性進(jìn)展

北京理工大學(xué)郝群教授團(tuán)隊(duì)在室溫運(yùn)行中波紅外探測(cè)器研究方面取得突破性的進(jìn)展,相關(guān)論文于2023年1月發(fā)表于光學(xué)頂刊Light:Science & Applications,獲得封面論文。近日該論文入選ESI高被引。
2023-11-14 09:43:18256

啟元?dú)怏w與國(guó)內(nèi)某半導(dǎo)體公司簽訂大宗氣體供應(yīng)協(xié)議

啟元?dú)怏w是客戶建廠以來(lái)超順液氧的唯一供應(yīng)商。這次合作是雙方的第二次聯(lián)手,對(duì)雙方都具有重大意義。這不僅標(biāo)志著該客戶在電子大量氣體國(guó)產(chǎn)化方面重大進(jìn)展,也標(biāo)志著集成電路行業(yè)起源氣體的重大突破。
2023-11-10 11:35:48327

匯芯半導(dǎo)體突破功率半導(dǎo)體芯片“卡脖子”技術(shù)

站在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的時(shí)代風(fēng)口,來(lái)自佛山的科創(chuàng)力量正在崛起,力合科創(chuàng)(佛山)科技園投資企業(yè)——廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司(下稱“匯芯半導(dǎo)體”)就是其中一個(gè)代表。
2023-11-10 09:58:50459

中國(guó)鎳基超導(dǎo)體機(jī)理研究重大突破

中國(guó)鎳基超導(dǎo)體機(jī)理研究重大突破導(dǎo)體這門(mén)前沿科技具有重要的科學(xué)和應(yīng)用價(jià)值,超導(dǎo)材料在所有涉及電和磁的領(lǐng)域都有用武之地,包括電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、科學(xué)工程、交通運(yùn)輸、電力等領(lǐng)域。 據(jù)央視新聞報(bào)道,此前
2023-11-03 16:00:08526

三星半導(dǎo)體市場(chǎng)明年將復(fù)蘇

三星和sk hynix的最大存儲(chǔ)器市場(chǎng)——智能手機(jī)和電腦市場(chǎng)上,因終端機(jī)需求的減少,存儲(chǔ)器半導(dǎo)體價(jià)格暴跌之后,大部分半導(dǎo)體制造企業(yè)撤回了對(duì)新存儲(chǔ)器設(shè)備的投資。投資者們熱切地期待著復(fù)蘇的跡象。
2023-10-31 11:39:06592

緊湊型有機(jī)半導(dǎo)體激光器技術(shù)取得重大突破

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近日,英國(guó)圣安德魯斯大學(xué)(University of St. Andrews)的科學(xué)家表示,他們?cè)陂_(kāi)發(fā)緊湊型有機(jī)半導(dǎo)體激光器技術(shù)的數(shù)十年挑戰(zhàn)中取得了“重大突破(significant breakthrough)”。
2023-10-30 15:23:00162

兩年磨一劍,谷景電子助力華為汽車車門(mén)玻璃升降系統(tǒng)研發(fā)取得重大突破

近日隨著問(wèn)界M7的爆火,華為在新能源汽車領(lǐng)域又邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。不僅如此,華為某個(gè)在途研發(fā)項(xiàng)目也取得重大突破,該項(xiàng)目主要是針對(duì)新能源汽車車門(mén)玻璃的升降系統(tǒng)。在該項(xiàng)目中,谷景電子與相關(guān)技術(shù)團(tuán)隊(duì)緊密
2023-10-26 10:36:31424

臺(tái)積電再度突破硅光芯片技術(shù)!華為彎道超車計(jì)劃將要失???

近日,臺(tái)積電再次宣布一項(xiàng)重大突破,這一消息引發(fā)了全球科技領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。這次突破涉及硅光芯片技術(shù),被視為半導(dǎo)體領(lǐng)域的一項(xiàng)重大進(jìn)展。然而,這個(gè)消息也讓中國(guó)的華為和中科院等頂尖科研機(jī)構(gòu)陷入了思考和挑戰(zhàn),是否意味著中國(guó)的彎道超車計(jì)劃將要失?。孔屛覀円黄饋?lái)深入了解這一問(wèn)題。
2023-10-22 16:03:59905

存算一體芯片新突破!清華大學(xué)研制出首顆存算一體芯片

集成電路學(xué)院教授吳華強(qiáng)副教授高濱團(tuán)隊(duì)基于存算一體計(jì)算范式研制出的全球首顆全系統(tǒng)集成支持高效片上學(xué)習(xí)(機(jī)器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片,是半導(dǎo)體在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域取得重大突破
2023-10-11 14:39:41625

我國(guó)新型光學(xué)晶體研制實(shí)現(xiàn)重大突破!

以滿足我國(guó)半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)等領(lǐng)域的重大需求。 非線性光學(xué)晶體是獲得不同波長(zhǎng)激光的物質(zhì)條件和源頭。在晶體中實(shí)現(xiàn)應(yīng)用波段相位匹配被普遍認(rèn)為是重要的技術(shù)挑戰(zhàn)之一,決定最終激光輸出的功率和效率。其中,利用晶體各向異性的雙折射相
2023-10-11 09:47:26334

清華大學(xué)重磅消息:全球首顆!我國(guó)芯片領(lǐng)域取得重大突破

,清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強(qiáng)、副教授高濱基于存算一體計(jì)算范式,研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)(機(jī)器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片,在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域取得重大突破,有
2023-10-11 08:39:33416

半導(dǎo)體芯片的制作和封裝資料

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42

半導(dǎo)體所等在莫爾異質(zhì)結(jié)層間激子研究方面取得進(jìn)展

近日,新加坡南洋理工大學(xué)高煒博教授與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室張俊研究員合作,利用施主-受主對(duì)(DAP)模型解釋了二維MoS2/WSe2莫爾異質(zhì)結(jié)中密集且尖銳的局域?qū)娱g激子(IX)發(fā)射現(xiàn)象,并建立了DAP IX的動(dòng)力學(xué)模型,很好地解釋了層間激子壽命與發(fā)射能量的單調(diào)依賴關(guān)系。
2023-09-25 10:14:51379

東南大學(xué)在氮化碳自適應(yīng)生物傳感方面取得重大突破

近日,東南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院、江蘇省富碳材料器件工程研究中心張?jiān)〗淌谡n題組在新型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)氮化碳和自適應(yīng)生物傳感方面取得重要進(jìn)展。
2023-09-21 10:30:03644

華秋亮相第五屆模擬半導(dǎo)體大會(huì)

芯片廠商近幾年抓住行業(yè)東風(fēng),消費(fèi)電子、工業(yè)以及物聯(lián)網(wǎng)、汽車市場(chǎng)都取得突破性進(jìn)展。為此,電子發(fā)燒友網(wǎng)于2023年9月14日深圳益田威斯汀酒店召開(kāi)舉辦“2023第五屆模擬半導(dǎo)體大會(huì)”,大會(huì)邀請(qǐng)眾多
2023-09-15 16:52:45

下周四廈門(mén)見(jiàn)|云天半導(dǎo)體亮相半導(dǎo)體先進(jìn)封測(cè)技術(shù)峰會(huì),助力實(shí)體經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展!

封測(cè)行業(yè)能否提升產(chǎn)業(yè)價(jià)值、取得重大突破的關(guān)鍵。從長(zhǎng)期來(lái)看,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速發(fā)展期,芯片設(shè)計(jì)公司和晶圓代工廠的增加將帶動(dòng)本地封測(cè)需求。先進(jìn)芯片堆疊、互連技術(shù)成為先進(jìn)封裝核心工藝,為Chiplet發(fā)展提供技術(shù)基礎(chǔ);5
2023-09-15 15:40:13690

意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023

▌峰會(huì)簡(jiǎn)介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程,現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng),直擊智能熱點(diǎn),共享前沿資訊,通過(guò)意法半導(dǎo)體核心技術(shù),推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃,實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接:https
2023-09-11 15:43:36

用于高密度和高效率電源設(shè)計(jì)的意法半導(dǎo)體WBG解決方案

? 上市周期短(距第3代不到2年)意法半導(dǎo)體溝槽技術(shù):長(zhǎng)期方法? 意法半導(dǎo)體保持并鞏固了領(lǐng)先地位? 相比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的重大工藝改良? 優(yōu)化和完善的關(guān)鍵步驟
2023-09-08 06:33:00

華為芯片迎重大突破

和巨額投入,已經(jīng)在多個(gè)芯片領(lǐng)域取得重大突破。例如,在人工智能領(lǐng)域,華為擁有自主研發(fā)的昇騰芯片,可以應(yīng)用于智能駕駛、語(yǔ)音識(shí)別、視覺(jué)識(shí)別、機(jī)器人控制等多個(gè)領(lǐng)域,被廣泛運(yùn)用于各種智能設(shè)備中。 雖然華為面臨著一些限制
2023-09-06 11:14:563349

武漢芯源半導(dǎo)體CW32F030系列MCU電焊機(jī)的應(yīng)用

機(jī)、氟弧焊機(jī)、脈沖焊機(jī)等,本文將介紹武漢芯源半導(dǎo)體CW32F030系列單片機(jī)電弧焊機(jī)中的應(yīng)用。 CW32F030系列MCU電焊機(jī)的應(yīng)用框圖 方案特色: ●可實(shí)現(xiàn)對(duì)電焊機(jī)的自動(dòng)化控制,可以通過(guò)輸入
2023-09-06 09:14:04

中國(guó)科技大偵探:揭秘功率半導(dǎo)體封測(cè)技術(shù)的新突破

半導(dǎo)體封測(cè)
北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-08-19 10:28:32

廈門(mén)場(chǎng)會(huì)議|9月強(qiáng)勢(shì)來(lái)襲,聚焦半導(dǎo)體先進(jìn)封測(cè)等議題,部分嘉賓提前揭曉!

封測(cè)行業(yè)能否提升產(chǎn)業(yè)價(jià)值、取得重大突破的關(guān)鍵。從長(zhǎng)期來(lái)看,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速發(fā)展期,芯片設(shè)計(jì)公司和晶圓代工廠的增加將帶動(dòng)本地封測(cè)需求。先進(jìn)芯片堆疊、互連技術(shù)成為先進(jìn)封裝核心工藝,為Chiplet發(fā)展提供技術(shù)基礎(chǔ);5
2023-08-18 18:00:10896

IBM Aspera Connect常見(jiàn)問(wèn)題

IBM Aspera采用了一種不同的方法來(lái)應(yīng)對(duì)全球廣域網(wǎng)上大數(shù)據(jù)移動(dòng)的挑戰(zhàn)。Aspera沒(méi)有優(yōu)化或加速數(shù)據(jù)傳輸,而是使用突破性的傳輸技術(shù)消除了潛在的瓶頸,充分利用可用的網(wǎng)絡(luò)帶寬來(lái)最大限度地提高速度,并在沒(méi)有理論限制的情況下快速擴(kuò)展。
2023-08-11 06:51:46

先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?

先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?
2023-08-08 14:56:29

三星半導(dǎo)體與芯馳科技達(dá)成車規(guī)芯片戰(zhàn)略合作

三星半導(dǎo)體與芯馳科技聯(lián)合宣布,雙方達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系,加強(qiáng)在車規(guī)芯片領(lǐng)域的深度合作。為進(jìn)一步推動(dòng)車規(guī)半導(dǎo)體的系統(tǒng)集成和適配項(xiàng)目,芯馳科技將在全場(chǎng)景車規(guī)芯片的參考方案開(kāi)發(fā)中引入三星半導(dǎo)體的高性能存儲(chǔ)芯片,共同推進(jìn)雙方在車載領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與突破。
2023-08-03 17:29:15679

芯馳科技與三星半導(dǎo)體簽約,加強(qiáng)車規(guī)芯片領(lǐng)域深度合作

汽車標(biāo)準(zhǔn)化半導(dǎo)體的系統(tǒng)集成及地否定項(xiàng)目為進(jìn)一步推進(jìn)科技的戰(zhàn)場(chǎng),如果汽車標(biāo)準(zhǔn)化芯片參考三星半導(dǎo)體解決方案開(kāi)發(fā)的高性能芯片采用雙方的車載領(lǐng)域,共同推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新和突破?!?/div>
2023-08-03 11:07:001774

NVIDIA AI助力Saildrone:全球海洋勘測(cè)再上新臺(tái)階

無(wú)人航行器公司Saildrone,借助NVIDIA的AI技術(shù)成果,正推動(dòng)全自動(dòng)海洋監(jiān)測(cè)領(lǐng)域取得重大突破。
2023-07-25 18:07:41914

三星SD部門(mén)選擇“半導(dǎo)體傳奇”Jim Keller進(jìn)行AI半導(dǎo)體合作

三星電子將與tenstorent、groq共同開(kāi)發(fā)用于尖端it設(shè)備的人工智能半導(dǎo)體。如果實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn),預(yù)計(jì)半導(dǎo)體將在三星電子構(gòu)建的sub-5-nn euv工程生產(chǎn)線和2.5d包裝設(shè)施中生產(chǎn)。
2023-07-20 10:54:08490

重大突破!我國(guó)實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓規(guī)?;苽浼夹g(shù)

我國(guó)在二維半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破! 近日,來(lái)自松山湖材料實(shí)驗(yàn)室/北京大學(xué)教授劉開(kāi)輝、中國(guó)科學(xué)院院士王恩哥團(tuán)隊(duì),以及松山湖材料實(shí)驗(yàn)室/中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員張廣宇團(tuán)隊(duì)的最新研究成果在Science
2023-07-19 15:17:52410

IBM采用自研AI芯片降低成本,三星獲得其代工訂單!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)日前消息,IBM總經(jīng)理卡勒(Mukesh Khare)在舊金山的一次半導(dǎo)體會(huì)議上接受采訪時(shí)表示,公司新一代企業(yè)級(jí)AI數(shù)據(jù)平臺(tái)Watson系統(tǒng)將考慮采用自行研發(fā)的AI芯片
2023-07-19 01:22:001384

重大突破」微軟量子超級(jí)計(jì)算機(jī)路線圖公布!

關(guān)注微軟科技視頻號(hào) 了解更多科技前沿資訊 點(diǎn)亮在看,給BUG點(diǎn)好看 點(diǎn)擊閱讀原文,了解關(guān)于微軟那些事兒 原文標(biāo)題:「重大突破」微軟量子超級(jí)計(jì)算機(jī)路線圖公布! 文章出處:【微信公眾號(hào):微軟科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2023-07-07 00:10:02265

谷歌量子計(jì)算機(jī)新突破 可幾秒內(nèi)完成47年的任務(wù)

谷歌內(nèi)部的研究人員在ArXiv上發(fā)布了一篇論文,宣布在量子計(jì)算領(lǐng)域取得重大突破。他們聲稱,谷歌最新的量子計(jì)算技術(shù)已經(jīng)超越了現(xiàn)有的經(jīng)典超級(jí)計(jì)算機(jī)的能力。
2023-07-05 17:51:181318

基于飛騰CPU的首套全國(guó)產(chǎn)光伏監(jiān)控系統(tǒng)在青海成功投運(yùn)

近日,基于飛騰 CPU 自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首套全國(guó)產(chǎn)光伏監(jiān)控系統(tǒng)——華能睿渥 S316 ,在華能青海共和世能光伏電站正式投運(yùn),標(biāo)志著我國(guó)光伏電站控制技術(shù)在自主可控方面取得重大突破
2023-07-05 10:48:28364

半導(dǎo)體先進(jìn)封測(cè)需求強(qiáng)勁,踏浪前行!

封測(cè)行業(yè)能否提升產(chǎn)業(yè)價(jià)值、取得重大突破的關(guān)鍵。從長(zhǎng)期來(lái)看,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速發(fā)展期,芯片設(shè)計(jì)公司和晶圓代工廠的增加將帶動(dòng)本地封測(cè)需求。先進(jìn)芯片堆疊、互連技術(shù)成為先進(jìn)封裝核心工藝,為Chiplet發(fā)展提供技術(shù)基礎(chǔ);5
2023-07-03 15:17:34490

廣立微推出新一代通用型高性能半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)T4000

的上市進(jìn)一步拓展了公司的產(chǎn)品線,標(biāo)志著廣立微在晶圓級(jí)電性測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域取得了又一重大突破。?? T4000通用型高性能半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可覆蓋LOGIC,CIS,DRAM, SRAM, FLASH, BCD等所有產(chǎn)品的測(cè)試需求,支持第三代化合物半導(dǎo)體(SiC/GaN)的參數(shù)測(cè)試。 該系統(tǒng)擁有豐富
2023-07-03 11:44:22479

“中國(guó)天眼”取得重大突破

“中國(guó)天眼”取得重大突破 由中國(guó)科學(xué)院國(guó)家天文臺(tái)等單位科研人員組成的中國(guó)脈沖星測(cè)時(shí)陣列研究團(tuán)隊(duì),日前利用“中國(guó)天眼”FAST探測(cè)到納赫茲引力波存在的關(guān)鍵性證據(jù),這是納赫茲引力波搜尋的一個(gè)重要突破
2023-06-29 15:57:37867

積塔半導(dǎo)體12英寸產(chǎn)線順利通線

來(lái)源:上海積塔半導(dǎo)體有限公司 近日,積塔半導(dǎo)體12英寸汽車芯片先導(dǎo)線順利建成通線,標(biāo)志著積塔12英寸汽車芯片項(xiàng)目取得重大進(jìn)展,是積塔半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)12吋汽車芯片戰(zhàn)略的重要里程碑。 12英寸BCD產(chǎn)品
2023-06-26 17:37:03510

積塔半導(dǎo)體12英寸汽車芯片先導(dǎo)線已建成通線

該生產(chǎn)線的12英寸bcd產(chǎn)品于今年2月正式投入膠片,6月2日完成了膠片處理,元件電極(wat)試驗(yàn)結(jié)果均達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。積塔半導(dǎo)體方面正式表示,此次構(gòu)建開(kāi)通線意味著積塔12英寸汽車半導(dǎo)體事業(yè)的重大進(jìn)展,這是積塔半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)12英寸汽車半導(dǎo)體戰(zhàn)略的重要里程碑。
2023-06-26 10:39:10824

科友半導(dǎo)體突破8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)

科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù),在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長(zhǎng)速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績(jī)。2023年4月,科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進(jìn)入中試線生產(chǎn),打破了國(guó)際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。
2023-06-25 14:47:29342

突破氮化鎵功率半導(dǎo)體的速度限制

突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49

半橋GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21

GaN功率半導(dǎo)體快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用

GaN功率半導(dǎo)體快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42

GaNFast功率半導(dǎo)體建模資料

GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27

意法半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首款MEMS防水/防液絕對(duì)壓力傳感器

意法半導(dǎo)體(ST)在工業(yè)市場(chǎng)上推出了首款MEMS防水/防液絕對(duì)壓力傳感器,在技術(shù)和性能上取得重大進(jìn)步,成為工業(yè)市場(chǎng)中的一款突破性產(chǎn)品。
2023-06-11 09:30:29264

半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)向變了

由于半導(dǎo)體禁令,整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)開(kāi)始發(fā)生變化。原來(lái)世界上最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠臺(tái)積電將無(wú)法再為華為加工麒麟芯片,高通(qualcomm)、三星三星)等半導(dǎo)體巨頭也將無(wú)法向中國(guó)提供自由的產(chǎn)品。
2023-06-09 10:37:43699

半導(dǎo)體企業(yè)如何決勝2023秋招?

根據(jù)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書(shū)數(shù)據(jù)來(lái)看,目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右,人才缺口仍有30w之 巨 。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下,定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來(lái)長(zhǎng)期發(fā)展的基石。 那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23

XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議

供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>   
2023-05-30 14:24:29

XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級(jí)代理富滿

供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級(jí)代理富滿,廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>  
2023-05-29 11:37:36

XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案

供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 10:09:46

半導(dǎo)體激光器的特點(diǎn)

  半導(dǎo)體激光器一般具有質(zhì)量輕、調(diào)制效率高、體積小等特點(diǎn),在民用、醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用比較廣泛。大功率半導(dǎo)體激光器的研究從20世紀(jì)80年代開(kāi)始,從未停止,隨著半導(dǎo)體技術(shù)與激光技術(shù)的不斷發(fā)展,大功率也半導(dǎo)體激光器在功率輸出、功率轉(zhuǎn)換、可靠性等方面取得了比較大的進(jìn)步。
2023-05-24 07:03:15656

IGBT 功率半導(dǎo)體封測(cè)重大突破!

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-04-27 21:46:19

郝躍院士:功率密度與輻照問(wèn)題是氮化物半導(dǎo)體的兩大挑戰(zhàn)

郝躍院士長(zhǎng)期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體短波長(zhǎng)光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。
2023-04-26 10:21:32718

日企市場(chǎng)份額占比超9成,國(guó)內(nèi)第四代半導(dǎo)體材料加速突破

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近國(guó)內(nèi)關(guān)于第四代半導(dǎo)體的消息很多,特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體,而第四代半導(dǎo)體的其中一個(gè)重要特征
2023-03-27 01:49:002940

“第四代半導(dǎo)體” 迎重大突破!能否改變行業(yè)新技術(shù)?

中國(guó)電科46所氧化鎵團(tuán)隊(duì)從大尺寸氧化鎵熱場(chǎng)設(shè)計(jì)出發(fā),成功構(gòu)建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu),突破了6英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù),可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制,將有力支撐我國(guó)氧化鎵材料實(shí)用化進(jìn)程和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2023-03-23 09:35:54999

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