電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過(guò)去的2023年里，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進(jìn)展神速，同時(shí)三安和天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等獲得海外芯片巨頭的認(rèn)可，簽下
2024-01-08 08:25:34
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）碳化硅襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)的上游核心材料，在下游器件需求高速增長(zhǎng)下，近年來(lái)襯底廠商加速推進(jìn)8英寸襯底的量產(chǎn)進(jìn)度，去年業(yè)界龍頭Wolfspeed已經(jīng)啟動(dòng)了全球首家8英寸
2023-06-22 00:16:002280 
功率芯片載體裝配工藝中應(yīng)用廣泛。傳統(tǒng)的手工燒結(jié)方式具有熔融時(shí)間長(zhǎng)、生產(chǎn)效率低、可靠性差等缺點(diǎn)，通過(guò)對(duì)基于銦鉛銀低溫焊料的真空燒結(jié)工藝的助焊劑選取、焊料厚度和尺寸、工裝夾具設(shè)計(jì)、真空燒結(jié)曲線調(diào)試等幾個(gè)方面進(jìn)行研究，最終摸索出一種適
2024-03-19 08:44:0518 
近年來(lái)，隨著碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，降低SiC成本的呼聲日益強(qiáng)烈，最終產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個(gè)成本結(jié)構(gòu)中占比最高，達(dá)到50%左右。
2024-03-08 14:24:32195 
襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:41161 
共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心） 摘要： 針對(duì)SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片雙面銀燒結(jié)技術(shù)與粗銅線超聲鍵合
2024-03-05 08:41:47104 
共讀好書 王強(qiáng)翔 李文濤 苗國(guó)策 吳思宇 （南京國(guó)博電子股份有限公司） 摘要： 本文重點(diǎn)研究了金屬陶瓷功率管膠黏劑封裝工藝中膠黏劑的固化溫度、時(shí)間、壓力等主要工藝參數(shù)對(duì)黏結(jié)效果的影響。通過(guò)溫度循環(huán)
2024-03-05 08:40:3566 
，一些國(guó)際上制冷劑研究前沿領(lǐng)域的一些研究成果，主要是一些代表性的高性能環(huán)保制冷劑和制冷系統(tǒng)，具有很大的潛力和研究價(jià)值：
1.HFO-1234yf制冷劑
HFO-1234yf制冷劑是由美國(guó)霍尼維爾和杜邦
2024-03-02 17:52:13
共讀好書 張?chǎng)?苑明星 楊小渝 （重慶市聲光電有限公司） 摘 要： 對(duì)半導(dǎo)體封裝工藝的研究，先探析半導(dǎo)體工藝概述，能對(duì)其工作原理有一定的了解與掌握；再考慮半導(dǎo)體封裝工藝流程，目的是在作業(yè)階段嚴(yán)謹(jǐn)
2024-02-25 11:58:10275 
電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個(gè)電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來(lái)越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯底材料的選擇、分類以及襯底與外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54474 智程半導(dǎo)體自2009年起致力于半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研究、生產(chǎn)與銷售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種高尖端產(chǎn)品領(lǐng)域。
2024-01-12 14:55:23636 國(guó)內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線，覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研單晶爐設(shè)備及外延片等產(chǎn)品。
2024-01-12 11:37:03863 
醫(yī)用膠帶剝離試驗(yàn)機(jī) 2024/濟(jì)南三泉智能科技有限公司醫(yī)用膠帶剝離測(cè)試儀是一種用于測(cè)試醫(yī)用膠帶剝離性能的實(shí)驗(yàn)設(shè)備。它可以模擬實(shí)際使用過(guò)程中醫(yī)用膠帶所承受的各種力學(xué)條件，對(duì)醫(yī)用膠帶的粘性、持久性、耐候
2024-01-10 14:48:15
ADBMS6815芯片在使用的過(guò)程中出現(xiàn)插拔燒蝕板子問(wèn)題，主要變現(xiàn)為芯片內(nèi)部的均衡MOS和外部均衡電阻損壞，當(dāng)前是批次行出問(wèn)題，其中2142周號(hào)芯片熱插拔損壞率超過(guò)5%，損壞區(qū)域?yàn)镾6-S12;1
2024-01-03 06:39:42
碲鋅鎘（CZT）單晶材料作為碲鎘汞（MCT）紅外焦平面探測(cè)器的首選襯底材料，其表面質(zhì)量的優(yōu)劣將直接影響碲鎘汞薄膜材料的晶體質(zhì)量以及成品率，故生產(chǎn)出外延級(jí)別的碲鋅鎘襯底表面是極其重要的。
2024-01-02 13:51:18157 
AlN單晶襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應(yīng)用前景引起了人們的廣泛研究興趣. 物理氣相輸運(yùn)（PVT）是最適合AIN襯底制備的方法。
2023-12-28 09:20:22316 
當(dāng)前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來(lái)說(shuō)，高溫?cái)U(kuò)散工藝簡(jiǎn)單，設(shè)備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫?cái)U(kuò)散工藝引入的晶格損傷低。離子注入工藝復(fù)雜且設(shè)備昂貴，但它可獨(dú)立控制摻雜元素的濃度和結(jié)深，雖然也會(huì)給襯底引入大量的點(diǎn)缺陷和擴(kuò)展缺陷。
2023-12-22 09:41:21698 
歡迎了解 張浩亮?方杰?徐凝華 （株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司?新型功率半導(dǎo)體器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室） 摘要： 主要研究了應(yīng)用于?IGBT?模塊封裝中的銀燒結(jié)工藝和銅引線鍵合工藝，依據(jù)系列質(zhì)量表征和評(píng)價(jià)
2023-12-20 08:41:09419 
自2019年4月在江蘇南京建立以來(lái)，超芯星專注于6至8英寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)和商品化。其創(chuàng)始者為劉欣宇博士，他具有豐富的海內(nèi)外產(chǎn)業(yè)化經(jīng)歷以及廣闊的國(guó)際視野，為1至6英寸碳化硅襯底的研究和商業(yè)化注入獨(dú)特見(jiàn)解。
2023-12-14 10:05:56387 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，成本占比最高的部分是襯底，碳化硅襯底的產(chǎn)能決定了下游器件的產(chǎn)量上限。因此，襯底廠商可以稱之為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的風(fēng)向標(biāo)。 ? 本土碳化硅供應(yīng)商份額增長(zhǎng)
2023-12-12 01:35:001177 GaN性能優(yōu)異，在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛，發(fā)展?jié)摿薮?；進(jìn)一步發(fā)展，需提升材料質(zhì)量，制備高質(zhì)量氮化鎵同質(zhì)襯底。
2023-12-09 10:24:57716 高良率、高密度布線的優(yōu)勢(shì)吸引了大量研究者的目光。總結(jié)了 RDL-first 工藝的技術(shù)路線及優(yōu)勢(shì)，詳細(xì)介紹其工藝進(jìn)展，模擬其在程序中的應(yīng)用，并對(duì) RDL-first 工藝的發(fā)展方向進(jìn)行展望，為 RDL-first 技術(shù)的進(jìn)一步優(yōu)化提供參考。
2023-12-07 11:33:44723 
襯底:NPN雙極晶體管的基礎(chǔ)是p摻雜(硼)硅襯底，上面沉積了厚氧化層（600 nm）。
2023-12-06 18:15:251251 
通過(guò)有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應(yīng)，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對(duì)PLD生長(zhǎng)的AlN/Si異質(zhì)界面的表面形貌、晶體質(zhì)量和界面性能進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:40232 
相關(guān)材料的動(dòng)、靜摩擦系數(shù)測(cè)定和膠粘復(fù)合制品、醫(yī)用貼劑、離型紙、保護(hù)膜等產(chǎn)品的剝離強(qiáng)度測(cè)定。產(chǎn)品特征擁有剝離、摩擦系數(shù)兩種試驗(yàn)?zāi)Ｊ皆囼?yàn)臺(tái)面無(wú)磁化設(shè)計(jì)，完全符合標(biāo)準(zhǔn)要求
2023-11-23 15:09:20
半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢？外延層的存在有何意義？ 半導(dǎo)體器件往往由襯底和外延層組成，這兩個(gè)部分在制造過(guò)程中起著重要的作用，并且在器件的性能和功能方面具有重要意義。 首先，襯底是半導(dǎo)體
2023-11-22 17:21:281509 在材料科學(xué)領(lǐng)域，鐳射轉(zhuǎn)移復(fù)合紙剝離試驗(yàn)機(jī)作為一種先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備，發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。這種試驗(yàn)機(jī)主要用于研究各種材料的剝離性能，特別是在紙張、塑料、金屬等材料的復(fù)合剝離方面，具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。一
2023-10-30 16:29:48
AuSn焊料是一種常用于封裝微電子器件的材料，其低溫焊接特性使其在對(duì)敏感器件和高溫敏感材料的封裝中備受歡迎。本文旨在探討AuSn焊料在低溫真空封裝工藝中的應(yīng)用，以及該工藝的研究進(jìn)展和應(yīng)用前景。
2023-10-30 14:32:39720 
一、不干膠帶剝離力試驗(yàn)機(jī)概述不干膠帶剝離力試驗(yàn)機(jī)是一種用于測(cè)試不干膠帶剝離力的實(shí)驗(yàn)設(shè)備。該設(shè)備主要用于評(píng)估不干膠帶的粘性和附著性能，對(duì)于不干膠帶的使用性能和可靠性評(píng)估具有重要意義。二、不干膠帶剝離力
2023-10-27 16:35:06
，需比阻焊菲林整體大2mil?！?金厚要求1.5＜金厚≤4.0um
工藝流程
制作要求
① 干膜需使用GPM-220抗電金干膜；
② 全板不印阻焊的產(chǎn)品無(wú)需二次干膜；
③ 有印阻焊的，二次干膜只做阻焊
2023-10-27 11:25:48
在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57930 金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過(guò)程中，如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優(yōu)點(diǎn)是節(jié)省成本和工藝簡(jiǎn)化。在剝離過(guò)程中，經(jīng)過(guò)涂層、曝光和開(kāi)發(fā)過(guò)程后，光刻膠會(huì)在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05185 
SEMulator3D?虛擬制造平臺(tái)可以展示下一代半大馬士革工藝流程，并使用新掩膜版研究后段器件集成的工藝假設(shè)和挑戰(zhàn)
2023-10-24 17:24:00360 
應(yīng)運(yùn)而生，為塑料薄膜的生產(chǎn)、應(yīng)用和研究提供了強(qiáng)大的支持。塑料薄膜剝離測(cè)試儀是一種專門用于測(cè)試塑料薄膜的設(shè)備，它可以模擬塑料薄膜在實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的各種環(huán)境條件，從
2023-10-20 14:32:27
編織袋剝離力強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)是一種專門用于測(cè)試編織袋的物理性能的設(shè)備，它可以有效地測(cè)量編織袋的剝離力強(qiáng)度。這種試驗(yàn)機(jī)在塑料、橡膠和包裝材料等行業(yè)中得到了廣泛應(yīng)用。一、編織袋剝離力強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)的工作原理編織袋
2023-10-19 16:41:00
醫(yī)用貼劑作為一種醫(yī)療用品，其持粘性能對(duì)于治療效果和患者的舒適度至關(guān)重要。溫控型持粘力測(cè)試儀是一種專門用于在嚴(yán)格控制溫度條件下測(cè)試醫(yī)用貼劑持粘性能的儀器，能夠更準(zhǔn)確地評(píng)估醫(yī)用貼劑的性能，從而為產(chǎn)品
2023-10-19 16:37:54
科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進(jìn)晶體生長(zhǎng)厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724 復(fù)合膜剝離強(qiáng)度試驗(yàn)儀是一種專門用于測(cè)試復(fù)合膜材料剝離強(qiáng)度的設(shè)備。該設(shè)備通過(guò)模擬實(shí)際使用過(guò)程中復(fù)合膜材料的剝離情況，對(duì)材料的性能進(jìn)行科學(xué)評(píng)估，從而為材料改進(jìn)和生產(chǎn)工藝優(yōu)化提供重要依據(jù)。本文將詳細(xì)介紹
2023-10-18 16:50:14
2023年9月，科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:46404 硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用?；诠?b class="flag-6" style="color: red">襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化開(kāi)發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:31317 
可能面臨的壓力、溫度和時(shí)間等條件，對(duì)注射劑的密封性能進(jìn)行全面評(píng)估。該儀器能夠提供準(zhǔn)確的檢測(cè)數(shù)據(jù)，幫助企業(yè)和研究人員了解注射劑在受到壓力作用下的行為和表
2023-10-13 13:41:44
紙張層間剝離強(qiáng)度試驗(yàn)儀層間結(jié)合強(qiáng)度是指紙或紙板抵抗層間分離的能力，是紙張內(nèi)部粘結(jié)能力的反映。強(qiáng)度較低會(huì)導(dǎo)致紙張和紙板，在使用粘性油墨印刷時(shí)出現(xiàn)拉毛問(wèn)題，強(qiáng)度過(guò)高會(huì)給紙張的生產(chǎn)加工帶來(lái)難度，同時(shí)加大了
2023-10-12 16:40:13
無(wú)刷電機(jī)在啟動(dòng)的時(shí)候怎么抗負(fù)載啟動(dòng)
2023-10-12 06:30:21
SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實(shí)際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄的硅層，這種結(jié)構(gòu)將有源硅層與襯底的硅層分開(kāi)。而在傳統(tǒng)的硅制程中，芯片直接在硅襯底上形成，沒(méi)有使用絕緣體層。
2023-10-10 18:14:031123 
碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:06525 
醫(yī)用貼劑初粘性測(cè)試儀醫(yī)用貼劑初粘性測(cè)試儀是一種專門用于測(cè)試醫(yī)用貼劑初粘性的儀器。初粘性是指物體表面在粘合前的粘附能力，對(duì)于醫(yī)用貼劑來(lái)說(shuō)，初粘性是評(píng)價(jià)其質(zhì)量和效果的重要指標(biāo)之一。本文將介紹醫(yī)用貼劑初
2023-09-28 14:15:10
本文簡(jiǎn)單介紹了自抗擾控制技術(shù)和它是如何從經(jīng)典PID控制技術(shù)演變出新型實(shí)用控制技術(shù)的基本想法和關(guān)鍵技術(shù)。自抗擾控制器(Auto/Active DisturbancesRejection
2023-09-28 06:04:51
列陣探測(cè)器引起了人們的廣泛關(guān)注。為了滿足高性能、雙多色紅外焦平面器件制備的要求，需要對(duì)碲鎘汞p型摻雜與激活進(jìn)行專項(xiàng)研究。使用分子束外延方法直接在碲鎘汞工藝中進(jìn)行摻雜，As很難占據(jù)Te位，一般作為間隙原子或者占據(jù)金屬位，
2023-09-26 09:18:14284 
不干膠背膠剝離強(qiáng)度試驗(yàn)儀 背膠剝離強(qiáng)度指的是產(chǎn)品背膠粘貼牢固的情況，背膠剝離強(qiáng)度太大或太小均不利于使用，應(yīng)控制在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)，既不輕易掉下來(lái)，又能在揭離時(shí)很容易撕下來(lái)而不撕裂背面
2023-09-22 17:20:35
載帶剝離強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī) 載帶剝離力測(cè)試儀是一種專業(yè)應(yīng)用于載帶、離型紙、醫(yī)用無(wú)菌敷貼等相關(guān)材料剝離力測(cè)試的儀器。它采用先進(jìn)的電子測(cè)量技術(shù)和計(jì)算機(jī)控制，能夠快速、準(zhǔn)確地測(cè)量不同材料的剝離力。該儀器
2023-09-21 16:46:44
復(fù)合膜層間剝離試驗(yàn)機(jī) 復(fù)合膜剝離力測(cè)試儀是一款專業(yè)用于測(cè)試復(fù)合膜、薄膜等相關(guān)材料剝離強(qiáng)度的儀器。該儀器采用先進(jìn)的電子測(cè)量技術(shù)，能夠快速、準(zhǔn)確地測(cè)定復(fù)合膜或薄膜材料的剝離力。該設(shè)備主要由主機(jī)
2023-09-20 15:29:25
鋁箔剝離強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī) 90度剝離強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)是一款用于測(cè)試材料90度剝離性能的實(shí)驗(yàn)設(shè)備，適用于膏藥貼劑、軟包裝等產(chǎn)品的性能測(cè)試。該設(shè)備采用高精度的力值傳感器和可靠的傳動(dòng)系統(tǒng)，可以在一定速度下
2023-09-20 15:25:12
膠粘帶剝離強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī) 電子剝離試驗(yàn)機(jī)是一款用于測(cè)試不干膠、膠粘帶、標(biāo)簽、雙面膠等材料剝離性能的專業(yè)設(shè)備。它可以準(zhǔn)確測(cè)量標(biāo)簽和粘合劑之間的粘合力，以確保標(biāo)簽在需要的時(shí)間內(nèi)保持穩(wěn)定，并為用戶
2023-09-20 15:15:46
膠粘帶剝離力測(cè)試儀 不干膠剝離力試驗(yàn)機(jī)可準(zhǔn)確測(cè)量初始粘度力值大小，確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確可靠。其產(chǎn)品符合FINAT和ASTM等國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，被廣泛應(yīng)用于研究中心、膠粘制品企業(yè)、質(zhì)檢中心等單位。是將測(cè)試
2023-09-20 15:08:54
180度剝離試驗(yàn)機(jī) 180度剝離試驗(yàn)機(jī)是一種專門用于測(cè)試膠粘劑、膠粘帶、不干膠等相關(guān)產(chǎn)品剝離強(qiáng)度的設(shè)備。它對(duì)于產(chǎn)品研發(fā)、質(zhì)量控制以及生產(chǎn)過(guò)程中的問(wèn)題解決具有重要意義。180度剝離試驗(yàn)機(jī)
2023-09-20 14:55:45
醫(yī)用貼劑持粘性測(cè)試儀 醫(yī)用膠帶，又稱布基膠帶，以醫(yī)用無(wú)紡布或PE打孔膜為基材，涂敷醫(yī)用壓敏膠制成。它貼合肌膚，不傷皮膚，粘合穩(wěn)固，不易脫落，揭下時(shí)無(wú)殘膠，成為傳統(tǒng)氧化鋅膠布的理想替代品
2023-09-20 14:54:35
產(chǎn)品簡(jiǎn)介材料試驗(yàn)機(jī)專門測(cè)試各種材料、成品、半成品及單體的強(qiáng)度,選取各種類夾具、冶具、可做抗拉力，抗壓強(qiáng)度、抗彎、拉伸、延伸率、撕裂、剝離、應(yīng)力、應(yīng)變、剪力等，針對(duì)食品行業(yè)可測(cè)包裝容器的頂壓強(qiáng)度，頂壓
2023-09-19 17:23:27
研究、材料開(kāi)發(fā)之基本設(shè)備，軟件功能測(cè)控系統(tǒng)是專為微機(jī)電子萬(wàn)能試驗(yàn)機(jī)、微機(jī)液壓萬(wàn)能試驗(yàn)機(jī)、微機(jī)壓力機(jī)設(shè)計(jì)的測(cè)控系統(tǒng)。可進(jìn)行拉伸、壓縮、彎曲、剪切、撕裂、剝離試驗(yàn)。采
2023-09-19 16:03:21
拉伸、壓縮、三點(diǎn)抗彎、四點(diǎn)抗彎、剪切、撕裂、剝離、成品鞋穿刺、紙箱持壓、泡棉循環(huán)壓縮、彈簧拉壓及各種動(dòng)靜態(tài)循環(huán)測(cè)試等。機(jī)臺(tái)結(jié)構(gòu)交流伺服馬達(dá)驅(qū)動(dòng),精密滾珠絲桿傳動(dòng);
2023-09-19 15:24:34
2023年9月，第三屆紫外LED國(guó)際會(huì)議暨長(zhǎng)治LED發(fā)展推進(jìn)大會(huì)在長(zhǎng)治隆重召開(kāi)，國(guó)內(nèi)外專家云集，深入交流紫外LED最新技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢(shì)。晶能光電外延工藝高級(jí)經(jīng)理周名兵受邀作《硅襯底GaN基近紫外
2023-09-19 11:11:285752 圓盤剝離試驗(yàn)機(jī) 圓盤剝離試驗(yàn)機(jī)可以用于檢測(cè)吊牌、包裝袋墨層的牢固度以及墨層的結(jié)合度、油墨脫色等指標(biāo)。下面介紹具體的測(cè)試步驟和評(píng)價(jià)方法。 需要準(zhǔn)備圓盤剝離試驗(yàn)機(jī)、吊牌或包裝袋樣品
2023-09-18 10:00:29
導(dǎo)電型襯底Wolfspeed一家獨(dú)大，絕緣型襯底天岳先進(jìn)入圍前三。2020年全球?qū)щ娦蚐iC襯底依舊被Wolfspeed、II-VI、羅姆壟斷，CR3高達(dá)90%，其中Wolfspeed市占率高達(dá)62
2023-09-07 16:26:321583 
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對(duì)聚合物抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖，然后通過(guò)干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292 
透明膠帶剝離試驗(yàn)機(jī)-概要醫(yī)用膠帶也叫輸液貼，是輸液過(guò)程中固定注射藥液后對(duì)輸液導(dǎo)管、針柄的重要作用，其相關(guān)的粘性指標(biāo)是藥包材等相關(guān)單位需要進(jìn)行檢測(cè)控制的指標(biāo)，剝離強(qiáng)度就是檢測(cè)醫(yī)用膠帶粘性的重要元素
2023-09-01 16:23:03
近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:44737 CVD因具有可控、高質(zhì)量生長(zhǎng)石墨烯的優(yōu)點(diǎn)而引起國(guó)內(nèi)外關(guān)注，據(jù)報(bào)道石墨烯薄膜可在多個(gè)襯底上生長(zhǎng)，如Fe、Cu和Ni、 Pt等。研究表明，采用CVD工藝生長(zhǎng)單層石墨烯，可實(shí)現(xiàn)晶?？烧{(diào)、降低石墨烯固有強(qiáng)度、降低碳原料分解的能量屏障，一定條件下，CVD工藝能帶來(lái)可擴(kuò)展、經(jīng)濟(jì)、可重復(fù)且易于使用的優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-01 11:12:53338 
近日，日本化工企業(yè)旭化成（Asahi Kasei）旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布，公司生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁（AlN）襯底，展示了公司生長(zhǎng)氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴(kuò)展性，以滿足各類應(yīng)用的生產(chǎn)需求。
2023-08-29 14:37:29847 氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。
使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:312376 目前絕大多數(shù)研究采用機(jī)械剝離和逐層轉(zhuǎn)移的物理方法對(duì)轉(zhuǎn)角石墨烯樣品進(jìn)行制備，然而，該方法存在條件苛刻、產(chǎn)出率低、界面污染等一系列問(wèn)題。為發(fā)展更加高效的制備技術(shù)，研究者們通過(guò)對(duì)化學(xué)氣相沉積法中襯底的設(shè)計(jì)，陸續(xù)突破了幾種類型的轉(zhuǎn)角石墨烯的規(guī)?；苽潆y題。
2023-08-14 11:37:59386 
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中，襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延膜生長(zhǎng)的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高和可實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢(shì)， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。
2023-07-27 10:24:02879 
切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時(shí)，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。
2023-07-04 14:56:16617 
SiC襯底切割是將晶棒切割為晶片，切割方式有內(nèi)圓和外圓兩種。由于SiC價(jià)格高，外圓、內(nèi)圓刀片厚度較大，切割損耗高、生產(chǎn)效率低，加大了襯底的成本。
2023-06-25 17:34:241704 
）的工藝，使其形成一層既抗銅氧化又可提供良好的可焊性的涂覆層，熱風(fēng)整平時(shí)焊料和銅在結(jié)合處形成銅錫金屬化合物，其厚度大約有1～2mil。
噴錫工藝分為有鉛噴錫和無(wú)鉛噴錫，其區(qū)別是無(wú)鉛噴錫屬于環(huán)保類工藝，不含
2023-06-25 11:35:01
）的工藝，使其形成一層既抗銅氧化又可提供良好的可焊性的涂覆層，熱風(fēng)整平時(shí)焊料和銅在結(jié)合處形成銅錫金屬化合物，其厚度大約有1～2mil。
噴錫工藝分為有鉛噴錫和無(wú)鉛噴錫，其區(qū)別是無(wú)鉛噴錫屬于環(huán)保類工藝，不含
2023-06-25 11:17:44
）的工藝，使其形成一層既抗銅氧化又可提供良好的可焊性的涂覆層，熱風(fēng)整平時(shí)焊料和銅在結(jié)合處形成銅錫金屬化合物，其厚度大約有1～2mil。
噴錫工藝分為有鉛噴錫和無(wú)鉛噴錫，其區(qū)別是無(wú)鉛噴錫屬于環(huán)保類工藝，不含
2023-06-25 10:37:54
,負(fù)載量,微蝕劑含量等都是要注意的項(xiàng)目；
6.沉銅返工不良：
一些沉銅或圖形轉(zhuǎn)后的返工板在返工過(guò)程中因?yàn)橥叔儾涣?返工方法不對(duì)或返工過(guò)程中微蝕時(shí)間控制不當(dāng)?shù)然蚱渌蚨紩?huì)造成板面起泡；沉銅板的返工如果在
2023-06-09 14:44:53
研究機(jī)構(gòu)TECHCET日前預(yù)測(cè)，盡管全球經(jīng)濟(jì)普遍放緩，但2023年SiC襯底市場(chǎng)將持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。
2023-06-08 10:12:34436 
膠粘劑剝離強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)醫(yī)用膠帶也叫輸液貼，是輸液過(guò)程中固定注射藥液后對(duì)輸液導(dǎo)管、針柄的重要作用，其相關(guān)的粘性指標(biāo)是藥包材等相關(guān)單位需要進(jìn)行檢測(cè)控制的指標(biāo)，剝離強(qiáng)度就是檢測(cè)醫(yī)用膠帶粘性的重要元素。若膠
2023-06-06 09:38:23
。我想避免它，在設(shè)備啟動(dòng)時(shí)我希望中繼是休息的。
我想我需要使用下拉電阻來(lái)避免啟動(dòng)時(shí)引腳處于低電平狀態(tài)。我不明白在哪里插入抗蝕劑。
你能告訴我這個(gè)方案嗎？
現(xiàn)有的引腳上有一個(gè)上拉或下拉電阻。一旦
2023-06-02 06:22:48
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092826 
焊點(diǎn)剝離現(xiàn)象多出現(xiàn)在通孔波峰焊接工藝中，但也在SMT回流焊工藝中出現(xiàn)過(guò)?，F(xiàn)象是焊點(diǎn)和焊盤之間出現(xiàn)斷層而剝離。這類現(xiàn)象的主要原因是無(wú)鉛合金的熱膨脹系數(shù)和基板之間的差別很大，導(dǎo)致焊點(diǎn)固話時(shí)在剝離部分有太大的應(yīng)力而使它們分開(kāi)，一些焊料合金的非共晶性也是造成這種現(xiàn)象的原因之一。
2023-05-26 10:10:25586 處應(yīng)承受20N靜拉力15s不斷裂和泄漏，可通過(guò)連接力牢固度測(cè)試儀/剝離強(qiáng)度測(cè)試儀/拉力測(cè)試儀等專業(yè)檢驗(yàn)。連接力牢固度測(cè)試儀剝離強(qiáng)度試驗(yàn)應(yīng)符合gb 14232-19
2023-05-19 17:17:28388 
碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483426 
硅通孔（TSV） 是當(dāng)前技術(shù)先進(jìn)性最高的封裝互連技術(shù)之一?；?TSV 封裝的核心工藝包括 TSV 制造、RDL/微凸點(diǎn)加工、襯底減薄、圓片鍵合與薄圓片拿持等。
2023-05-08 10:35:242024 
一、PCB工藝設(shè)計(jì)要考慮的基本問(wèn)題
PCB的工藝設(shè)計(jì)非常重要，它關(guān)系到所設(shè)計(jì)的PCB能否高效率、低成本地制造出來(lái)。新一代的SMT裝聯(lián)工藝，由于其復(fù)雜性，要求設(shè)計(jì)者從一開(kāi)始就必須考慮制造
2023-04-25 16:52:12
基板表面銅箔剝離測(cè)試的主要目的是評(píng)估基板載體箔與銅箔之間的剝離強(qiáng)度。通過(guò)這項(xiàng)測(cè)試，可以了解基板表面銅箔在不同制造工藝和處理方法下的剝離性能，為印制電路板的制造提供科學(xué)的依據(jù)和指導(dǎo)。
2023-04-24 09:36:23587 
PCB制程中的COB工藝是什么呢？
2023-04-23 10:46:59
施工中，清潔度至關(guān)重要。清潔銅面層壓板，然后將其送入凈化環(huán)境。在此階段，至關(guān)重要的是，不得有灰塵顆粒沉積在層壓板上。錯(cuò)誤的污點(diǎn)可能會(huì)導(dǎo)致電路短路或保持?jǐn)嚅_(kāi)狀態(tài)?！ 〗酉聛?lái)，清潔面板接收稱為光致抗蝕劑
2023-04-21 15:55:18
及鋼的蝕刻劑。它適用于絲網(wǎng)漏印油墨、液體光致抗蝕劑和鍍金印制電路版電路圖形的蝕刻。用三氯化鐵為蝕刻劑的蝕刻工藝流程如下： 預(yù)蝕刻檢查→蝕刻→水洗→浸酸處理→水洗→干燥→去抗蝕層→熱水洗→水沖洗
2023-04-20 15:25:28
電子剝離試驗(yàn)機(jī)適用于膠黏劑、膠粘帶、不干膠、復(fù)合膜、人造革、編織袋、薄膜、紙張、電子載帶等相關(guān)產(chǎn)品的剝離、剪切、拉斷等性能測(cè)試。電子剝離試驗(yàn)機(jī)有立式和臥式兩種結(jié)構(gòu)，顯示方面又可分為L(zhǎng)CD數(shù)顯和電腦顯示兩種。
2023-04-19 10:25:42420 
的腹腔鏡下血管吻合器械來(lái)分離大動(dòng)脈和大靜脈。想要研發(fā)生產(chǎn)一個(gè)合格達(dá)標(biāo)的吻合器，其中剝離強(qiáng)度是檢測(cè)項(xiàng)目中的重要指標(biāo)之一。吻合器剝離強(qiáng)度如何試驗(yàn)？為了測(cè)試吻合器的剝離強(qiáng)
2023-04-06 16:41:50438 
半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會(huì)排放有害廢氣。對(duì)于使用非?；顫姷臍怏w的化學(xué)氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點(diǎn)處理是常見(jiàn)的做法。相比之下，對(duì)于濕法化學(xué)工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認(rèn)
2023-04-06 09:26:48408 
管等醫(yī)藥包裝或醫(yī)療器械配套使用。對(duì)于醫(yī)用膠塞來(lái)說(shuō)，由于膠塞的分子結(jié)構(gòu)、成分、生產(chǎn)工藝等方面的不同，除了其使用的安全性、耐藥性等性能外，其密封性能、抗穿刺性能等物理
2023-04-04 10:56:38
共基放大電路的放大倍數(shù)與負(fù)載內(nèi)阻RL、信號(hào)源內(nèi)阻RS有關(guān)嗎？
2023-03-31 15:35:03
FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182459 來(lái)源：盛美上海 支持快速增長(zhǎng)的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車、功率轉(zhuǎn)換和可再生能源 盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“盛美上海”)，作為一家為半導(dǎo)體前道和先進(jìn)晶圓級(jí)封裝應(yīng)用提供晶圓工藝
2023-03-28 17:17:11336 全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭(zhēng)之地。
2023-03-23 10:30:041284
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