羅姆半導體sch2200ax及?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET

羅姆半導體推出的sch2200ax是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓?低導通電阻?高速開關、實現(xiàn)整機的小型化和節(jié)能化。本文來源于電子發(fā)燒友網(wǎng)，如需轉(zhuǎn)載，請標明出處。

sch2200ax特長?
1、 N-ch SiC功率MOSFET
2、低導通電阻
3、高溫時的導通電阻增加小
4、高速開關

sch2200ax外形尺寸：

sch2200ax外形尺寸

sch2200ax封裝

TO-220FM

sch2200ax的產(chǎn)品規(guī)格

絕對最大額定值 (Ta=25oC)
Rated parameters Standard value Conditions
Drain-Source voltage VDSS(V) 600??
Gate-Source voltage VGSS(V) -6 ~ +22??
Drain current(continuous) ID(A) 10 Please use the device with SOA(safety operation area)
Source current(body Di) IS -??
Total power dissipation PD(W) 35??
Channel temperature Tch(°C) 150??
Storage temperature Tstg(°C) -55 ~ +150??

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MOSFET(209657) MOSFET(209657)
羅姆半導體(14468) 羅姆半導體(14468)

瑞薩與Wolfspeed簽下十年大單，8英寸碳化硅成必爭之地

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）作為第三代半導體材料核心，碳化硅（SiC）與其它半導體產(chǎn)品去庫存的市場節(jié)奏截然不同。市場中高性能碳化硅仍然持續(xù)緊缺，并且隨著新能源汽車的蓬勃發(fā)展，也帶動著碳化硅市場熱度

2023-07-07 01:15:00

943

芯動半導體與意法半導體簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日，國內(nèi)領先的半導體企業(yè)芯動半導體與國際知名半導體供應商意法半導體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰(zhàn)略合作協(xié)議。這一協(xié)議的達成，標志著雙方在SiC功率模塊領域的合作邁出了堅實的一步，將共同推動SiC芯片在新能源汽車市場的廣泛應用。

2024-03-15 09:44:43

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

2024-03-08 08:37:49

一文了解SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優(yōu)勢

共讀好書 碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效

2024-02-21 18:24:15

408

河南第一塊8英寸碳化硅SiC單晶出爐！

平煤神馬集團碳化硅半導體粉體驗證線傳來喜訊——實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶，全面驗證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導體粉體在長晶方面的獨特優(yōu)勢。

2024-02-21 09:32:31

336

深度解讀第三代半導體—碳化硅

碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

2024-01-24 16:42:04

840

SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優(yōu)勢

碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。

2024-01-20 17:18:29

502

意法半導體與致瞻科技就SiC達成合作！

今日（1月18日），意法半導體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導體功率模塊和先進電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調(diào)中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術。

2024-01-19 09:48:16

254

半導體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

第三代半導體性能優(yōu)越，應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術發(fā)展的基礎，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料逐漸進入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較

2024-01-16 10:48:49

314

碳化硅特色工藝模塊簡介

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而，由于碳化硅

2024-01-11 17:33:14

291

碳化硅相對傳統(tǒng)硅半導體有什么有缺點

碳化硅（SiC）和傳統(tǒng)硅半導體（Si）是兩種常見的半導體材料，它們在電子器件制造中具有廣泛的應用。然而，碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導體具有一定的優(yōu)缺點。優(yōu)點：更高的熱導率：碳化硅的熱導率是傳統(tǒng)硅半導體

2024-01-10 14:26:52

230

碳化硅逆變器是什么功能介紹

碳化硅逆變器是一種基于碳化硅（SiC）半導體材料的功率電子設備，主要用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能，如更高的開關頻率、更低的導通損耗、更高的工作溫度

2024-01-10 13:55:54

272

碳化硅的特性、應用及動態(tài)測試

SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱，是一種用途廣泛的材料。

2024-01-09 09:41:31

195

碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應用

碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括

2024-01-09 09:26:49

379

車用SiC碳化硅的五大難點和應對方案

車用SiC碳化硅的五大難點和應對方案近年來，包括SiC在內(nèi)的第三代半導體器件在汽車上的應用比例與日俱增。但在專業(yè)人士看來，這并不會是一個簡單的事情。一以車用引線框架來看，盡管Si、碳化硅/氮化鎵引線

2024-01-06 14:22:15

410

氮化鎵半導體和碳化硅半導體的區(qū)別

鎵（GaN）半導體：氮化鎵是一種二元復合半導體（由氮和鎵元素構(gòu)成），具有較大的禁帶寬度（3.4電子伏特）。它是一個具有六方晶系結(jié)構(gòu)的材料，并且具有較高的熱穩(wěn)定性和寬溫度范圍的應用特性。 碳化硅（SiC）半導體： 碳化硅是

2023-12-27 14:54:18

325

意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議助力800V平臺

12 月 22 日消息，據(jù)意法半導體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協(xié)議。

2023-12-24 10:35:24

564

碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優(yōu)勢

碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優(yōu)勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，具有在高頻開關電路中廣泛應用的多個優(yōu)勢。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度

2023-12-21 10:51:03

356

碳化硅MOSFET并聯(lián)運作提升功率輸出

碳化硅（SiC）MOSFET以其正溫度系數(shù)的特性進行靜態(tài)電流的共享和負反饋。如果一個設備的電流更大，那么它就會加熱，相應地增加其RDS(on)。這樣，過境電流降低，熱失衡級別也降低。此外，他們在溫度

2023-12-19 11:59:32

142

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。

2023-12-12 09:47:33

455

碳化硅和igbt的區(qū)別

和IGBT的區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)差異： 碳化硅是一種化合物半導體材料，由碳原子和硅原子組成。它具有非常高的熔點和熱導性，使其在高溫和高功率應用中具有出色的性能。碳化硅晶體管的結(jié)構(gòu)通常更復雜，由多個寄生二極管組成，因此其電子流動路徑更復

2023-12-08 11:35:53

1782

碳化硅和氮化鎵哪個好

碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導體材料，在電子、光電和功率電子等領域中具有廣泛的應用前景。雖然它們都是寬禁帶半導體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)

2023-12-08 11:28:51

739

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)點和應用

碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。

2023-12-08 09:49:23

437

基本半導體：功率半導體的碳化硅時代

目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機構(gòu)預測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數(shù)據(jù)包括多家上市公司，如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。

2023-12-06 17:17:37

603

汽車半導體供需發(fā)生改變，碳化硅是否隨著更改？

汽車一直是碳化硅（SiC）的主要應用市場。在整個汽車半導體供需發(fā)生改變的情況下，碳化硅是否還會延續(xù)此前供不應求的市場行情？

2023-12-05 09:44:51

151

碳化硅技術的挑戰(zhàn)與應用

碳化硅（SiC）是一種由硅和碳組成的半導體材料，用于制造電動汽車（EV）、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，SiC具有多項優(yōu)勢，這些器件憑借其成本效益和制造工藝的簡單性而長期主導市場。

2023-12-05 09:39:09

318

安世半導體推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET

基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。

2023-12-04 10:39:50

413

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

2023-11-28 17:32:26

321

三菱電機與安世宣布將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）功率半導體

2023年11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。

2023-11-25 16:50:53

451

奧迪宣布又增2款碳化硅SiC車型

前段時間，奧迪宣布年底生產(chǎn)碳化硅車型Q6 e-tron（，最近，奧迪又有1款碳化硅車型公布，同時Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車型。

2023-11-25 16:13:05

1423

汽車缺“芯”，這是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵

目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯，比如，電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設期需18-24個月，去年有許多碳化硅項目的投資，要2025年才會釋放產(chǎn)能，預計2025年碳化硅功率半導體的緊缺狀況才會得到緩解。

2023-11-17 17:12:18

664

三菱電機與安世半導體共同開發(fā)碳化硅(SiC)功率半導體

三菱電機今天宣布，將與安世半導體建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅 (SiC) 功率半導體。

2023-11-15 15:25:52

473

三菱電機和安世半導體將合作共同開發(fā)碳化硅功率半導體

11月13日，三菱電機株式會社（TOKYO：6503）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術開發(fā)和供應SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開發(fā)SiC分立器件。

2023-11-14 10:34:33

456

碳化硅在電源中的作用和優(yōu)勢

　　硅是半導體的傳統(tǒng)材料，但其近親碳化硅（SiC）最近已成為激烈的競爭對手。碳化硅的特性特別適合高溫、高壓應用。它提供了更高的效率，并擴展了功率密度和工作溫度等領域的功能。

2023-11-10 09:36:59

481

碳化硅在電力電子器件中的優(yōu)勢和應用

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能，在電力電子行業(yè)中越來越受歡迎。

2023-11-08 09:30:28

358

意法半導體車規(guī)雙列直插碳化硅功率模塊提供多功能封裝配置

充電機(OBC)、 DC/DC直流變壓器、油液泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點包括高功率密度、設計高度緊湊和裝配簡易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強了系統(tǒng)設計靈活性。 ? 新模塊內(nèi)置1200V SiC功率開關管，意法半導體第二代和第三代 SiC MOSFET先進技術確保碳化硅開關管具有

2023-10-31 15:37:59

886

意法半導體發(fā)布ACEPACK DMT-32系列車規(guī)碳化硅(SiC)功率模塊

泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點包括高功率密度、設計高度緊湊和裝配簡易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強了系統(tǒng)設計靈活性。 ? 新模塊內(nèi)置1200VSiC功率開關管，意法半導體第二代和第三代 SiC MOSFET先進技術確保碳化硅開關管具有很低的導通電阻RDS(o

2023-10-30 16:03:10

262

碳化硅和硅的優(yōu)勢對比

寬帶隙半導體使許多以前使用硅（Si）無法實現(xiàn)的高功率應用成為可能，兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標上具有明顯的優(yōu)勢。

2023-10-30 14:11:06

969

安森美半導體完成在韓國全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴建

安森美半導體已完成其在韓國富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴建。該工廠將能夠以峰值產(chǎn)能每年生產(chǎn)超過100萬個200毫米SiC晶圓。為了支持SiC制造能力的增長，安森美美計劃在未來三年內(nèi)雇用

2023-10-26 17:26:58

742

GeneSiC的起源和碳化硅的未來

公司之一， GeneSiC 為政府機構(gòu)開發(fā)了尖端的碳化硅技術?，重點關注性能和穩(wěn)健性，并發(fā)布了幾代碳化硅二極管和 MOSFET 技術，額定值高達 6.5 kV 在各種封裝中以及裸片. 2022年，納微半導體收購了GeneSiC半導體，創(chuàng)建了業(yè)界唯一一家專注于SiC和GaN的純下一代功率半導體公司

2023-10-25 16:32:01

602

三安光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速！

業(yè)內(nèi)人士預測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內(nèi)市場方面，碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展，多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。

2023-10-24 17:11:21

965

科友半導體官宣，首批8吋碳化硅襯底下線

科友半導體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設，加快襯底加工設備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。

2023-10-18 17:43:40

722

東芝第3代碳化硅MOSFET為中高功率密度應用賦能

點擊 “東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半導體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿電場和高功率密度、高電導率、高熱導率等優(yōu)越的物理性能，應用前景廣闊。目前，東芝的碳化硅

2023-10-17 23:10:02

268

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。

2023-10-17 09:43:16

169

寬禁帶半導體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域，處于寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。

2023-10-09 16:38:06

525

【轉(zhuǎn)帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢及其在Boost PFC中的應用

前言 碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業(yè)主要進步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領域，在

2023-10-07 10:12:26

碳化硅MOS管與MOS管有何差異？碳化硅有什么優(yōu)勢？

碳化硅MOS管是以碳化硅半導體材料為基礎的金屬氧化物半導體場效應管，與傳統(tǒng)的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來給大家詳細介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應用等方面的區(qū)別。

2023-09-27 14:49:05

812

第三代寬禁帶半導體碳化硅功率器件的應用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿

2023-09-26 16:42:29

342

什么是SiC MOSFET？

碳化硅，或SiC，作為一種半導體材料，正在逐漸嶄露頭角，廣泛應用于電源電子領域。相較于其他可用技術，碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）表現(xiàn)出顯著的性能提升，為眾多電子應用帶來了新的可能性。

2023-09-15 14:22:29

1250

SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應用領域和發(fā)展趨勢

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的物理、化學和電學性能，在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應用領域和技術發(fā)展趨勢進行簡要介紹。

2023-09-12 17:25:41

664

碳化硅 (SiC)的歷史與應用

碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應用。

2023-09-08 15:24:02

879

碳化硅SiC功率器件，全球市場總體規(guī)模，前三十大廠商排名及市場份額

本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。

2023-09-08 11:30:45

1805

東芝推出用于工業(yè)設備的第3代碳化硅MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設備應用。

2023-09-07 09:59:32

731

SiC相較于Si的優(yōu)勢是什么？碳化硅的實際應用優(yōu)勢

如今，大多數(shù)半導體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應用于MOSFET和肖特基二極管等半導體技術。

2023-09-05 10:56:05

277

碳化硅VJFET的動態(tài)電路模型設計

在電子儀器行業(yè)中，寬帶隙半導體已被證明比傳統(tǒng)的硅基半導體更有利可圖和有效。寬帶隙碳化硅（SiC）半導體是市場上最先進的半導體之一。

2023-08-29 11:34:02

253

安世半導體熱插拔MOSFET與碳化硅二極管入圍年度功率半導體

和管理者。今年，Nexperia（安世半導體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導體！采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時

2023-08-28 15:45:31

1140

功率半導體迎來SiC時代？碳化硅（SiC）的需求快速增長

在新能源汽車終端市場中，隨著SiC材料價格下降，碳化硅（SiC）的需求快速增長，來自于車載充電、驅(qū)動逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。

2023-08-27 09:47:39

791

igbt和碳化硅區(qū)別是什么？

igbt和碳化硅區(qū)別是什么？? IGBT和碳化硅都是半導體器件，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個方面。一、材料： IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣

2023-08-25 14:50:04

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瞻芯電子正式開發(fā)第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品

瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線，開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101

2023-08-21 09:42:12

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碳化硅的性能和應用場景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。

2023-08-19 11:45:22

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半導體下行碳化硅熱度卻愈演愈烈

在半導體行業(yè)的下行周期中，也并非一片低迷之聲，碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。

2023-08-17 14:27:15

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碳化硅MOSFET的應用場景及其影響

　　碳化硅（SiC）技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境中運行的應用。

2023-08-16 10:28:21

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碳化硅的主要特性是什么？為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT？

碳化硅（SiC）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的半導體化合物，屬于寬帶隙（WBG）材料家族。

2023-08-12 11:46:08

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碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來 #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛好者

工業(yè)控制碳化硅

Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

碳化硅MOSFET芯片設計及發(fā)展趨勢

隨著國內(nèi)對碳化硅技術的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設計的水平逐步提升，研究和應用領域也在不斷擴展。

2023-08-10 18:17:49

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碳化硅，下一個風口：引領半導體產(chǎn)業(yè)新潮流！

和更小的尺寸。在這個過程中，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導體材料，逐漸走入了人們的視線。 碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，具有高擊穿場強、高熱導率、高電子遷移率等優(yōu)異特性，使其在高溫、高壓、高頻率、大功率等領域具

2023-08-03 09:22:43

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碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)勢和應用

碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。

2023-07-28 10:57:45

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碳化硅晶圓對半導體的作用

　如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導體因其高頻性能效好主要是用于射頻領域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。

2023-07-25 10:52:23

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碳化硅（SiC）和通往800 V電動汽車的道路

　電動汽車（EV）電池系統(tǒng)從400V到800V的轉(zhuǎn)變使碳化硅（SiC）半導體在牽引逆變器、車載充電器（OBC）和DC/DC轉(zhuǎn)換器中脫穎而出。

2023-07-25 09:50:15

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碳化硅MOSFET的應用場景

碳化硅(SiC)技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境下運行的應用。

2023-07-21 11:42:14

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羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠計劃到2027碳化硅功率半導體業(yè)務達139億

羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠計劃到2027碳化硅功率半導體業(yè)務達139億羅姆一直看好碳化硅功率半導體的發(fā)展，一直在積極布局碳化硅業(yè)務。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30

2023-07-19 19:37:01

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AMEYA360：八英寸碳化硅成中外廠商必爭之地！#碳化硅

碳化硅

jf_81091981發(fā)布于 2023-07-13 11:39:58

揭秘碳化硅芯片的設計和制造

眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求，

2023-07-10 10:49:09

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志橙半導體創(chuàng)業(yè)板IPO受理！CVD碳化硅零部件市占中國第五，募資8億研發(fā)SiC材料等

8億元資金，用于SiC材料研發(fā)制造總部項目、SiC材料研發(fā)項目等。志橙半導體成立于2017年，聚焦半導體設備的碳化硅涂層石墨零部件產(chǎn)品，并提供相關碳化硅涂層服務，主要產(chǎn)品可用于碳化硅外延設備、MOCVD設備、硅外延設備等多種半導體設備反應腔內(nèi)。根據(jù)QY Resea

2023-06-29 00:40:00

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碳化硅功率器件的基本原理、特點和優(yōu)勢

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應用前景。

2023-06-28 09:58:09

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為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關鍵參數(shù)

Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎設施。具有更高的效率

2023-06-16 06:04:07

碳化硅肖特基二極管的原理及應用

碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應，即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導體中的載流子向金屬一側(cè)偏移，形成整流效應。

2023-06-07 17:10:34

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碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅

2023-06-02 15:33:15

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碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。

2023-06-02 14:10:32

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基本半導體攜碳化硅MOSFET新品亮相SNEC國際光伏展

? 5月， SNEC第十六屆（2023）國際太陽能光伏與智慧能源大會在上海新國際博覽中心重磅舉行?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體攜旗下第二代碳化硅MOSFET系列新品，以及全系汽車級碳化硅功率模塊、 碳化硅

2023-05-30 16:33:36

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碳化硅的閾值電壓穩(wěn)定性

碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對Si材料來講，是比較差的，對應用端的影響也很大。

2023-05-30 16:06:18

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碳化硅MOSFET助力新能源汽車實現(xiàn)更出色的能源效率和應用可靠性

碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。

2023-05-25 10:05:21

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什么是碳化硅半導體

硅（Si）是電子產(chǎn)品中常用的純半導體的一個例子。鍺（Ge）是另一種純半導體，用于一些最早的電子設備。半導體也由化合物制成，包括砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）和碳化硅 （SiC）。我們稍后將回到最后一項。

2023-05-24 11:26:14

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碳化硅的獨特性能和應用

SiC，也稱為碳化硅，是硅和碳化物在晶體結(jié)構(gòu)中的組合，大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式：單個SiC晶?？梢詿Y(jié)在一起形成堅固的陶瓷;SiC纖維可以添加到聚合物

2023-05-24 11:20:48

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碳化硅與工業(yè)應用的未來

首先，讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么，以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關于SiC的一個有趣的事實是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實上，碳化物最初是從隕石的碎片中發(fā)現(xiàn)的。其獨特的性能非常有前途，以至于今天，我們合成了用于碳化硅功率產(chǎn)品的硬質(zhì)合金。

2023-05-20 17:00:09

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Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 滿足大功率應用需求

碳化硅（SiC）技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET 就能為許多行業(yè)的許多不同應用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境中運行的應用。

2023-05-19 11:27:34

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SiC碳化硅單晶的生長原理

碳化硅單晶襯底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下簡稱SiC襯底）也是晶體材料的一種，屬于寬禁帶半導體材料，具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優(yōu)勢，是制備大功率電力電子器件以及微波射頻器件的基礎性材料。

2023-05-18 09:54:34

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激光與碳化硅相互作用的機理及應用

本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。

2023-05-17 14:39:04

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碳化硅外延技術廠商希科半導體完成Pre-A輪融資

?？?b class="flag-6" style="color: red">半導體的外延片產(chǎn)品主要用于制造MOSFET、JBS、SBD等碳化硅（SiC）電力電子器件。公司創(chuàng)始核心團隊擁有15年以上的規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗，憑借業(yè)內(nèi)最先進的高品質(zhì)量產(chǎn)工藝和最先進的測試設備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6寸導電型碳化硅外延晶片。

2023-05-17 09:47:00

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