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創(chuàng)意電子高速傳輸接口及高速DDR存儲器技術

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和Stratix III FPGA的接口。 Stratix III FPGA: 具有強大的DDR3寫調平功能,實現(xiàn)和高速DDR3存儲器接口。 提供I/O電路,能夠更靈活地支持現(xiàn)有以及新興的高速外部存儲器標準。 保持高速數(shù)據(jù)速率時的最佳信號完整性
2018-06-22 02:04:003475

高速DDR SDRAM存儲器控制器在嵌入式系統(tǒng)中的應用

,因此能夠很好地滿足上述場合對大量數(shù)據(jù)緩存的需求。但DDR SDRAM的接口不能直接與現(xiàn)今的微處理器和DSP的存儲器接口相連,需要在其間插入控制器實現(xiàn)微處理器或DSP對存儲器的控制。
2019-07-02 08:03:004051

MoSys帶寬引擎2高速串行存儲器IC的介紹

來自OFC 2015的Xilinx Alliance成員演示,重點介紹了與Xilinx UltraScale FPGA接口的MoSys帶寬引擎2高速串行存儲器IC。
2018-11-29 06:37:002846

DDR存儲器的信號完整性討論

當今電子產(chǎn)品一個很重要的區(qū)分元素是其所用的存儲器。服務器、計算機、智能手機、游戲機、GPS 以及幾乎所有類似產(chǎn)品使用的都是現(xiàn)代處理器和 FPGA。這些設備需要高速、高帶寬、雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲器才能運行。
2019-12-11 13:52:134259

非易失性MRAM存儲器在各級高速緩存中的應用

磁阻式隨機存儲器MRAM是一種新型存儲器,其優(yōu)點有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運用于計算機存儲系統(tǒng)中。同時非易失性MRAM存儲器也應用于各級高速
2020-11-09 16:46:48628

存儲器以及DDR5技術及完整的測試方案

· 寄語 ·? 小伙伴們,我們又見面了,上一期?「IC手記 ? 點沙成金的半導體行業(yè)」給大家介紹了芯片簡史和PA測試的內容,這一期,我們繼續(xù)為大家?guī)頂?shù)字芯片的重要分支:存儲器,以及DDR5技術
2021-05-17 09:31:084482

EE-162:通過外部存儲器總線將ADSP-21535與AD9860/2高速轉換器接口

EE-162:通過外部存儲器總線將ADSP-21535與AD9860/2高速轉換器接口
2021-05-18 16:13:206

基于eMMC陣列的高速固態(tài)存儲器的研究與設計

劃分為SFP光纖接口模塊、DDR3高速緩存模塊、eMMC陣列存儲模塊和與上位機通信的干兆網(wǎng)模塊。在系統(tǒng)邏輯設計中重點介紹了eMMC陣列控制邏輯的實現(xiàn)。通過對eMMC陣列的初始化單元、傳輸控制單元、命令
2021-08-04 13:30:1230

系統(tǒng)存儲器層次結構——高速緩存詳解

4級均在CPU外部,Cache和主存構成內存儲系統(tǒng),程序員通過總線尋址訪問存儲單元,訪問速度較寄存器差;虛擬存儲器對程序員而言是透明的 ;外部存儲系統(tǒng)容量大,需通過I/O接口與CPU交換數(shù)據(jù),訪問速度最慢。 高速緩沖存儲器 高速緩沖存儲器(Cache)的原始
2022-06-18 20:47:104738

高速存儲器接口時序

本應用筆記介紹了與DS80C320以外的Maxim高速微控制器的外部存儲器接口。使用這些微控制器的系統(tǒng)設計人員必須了解不同器件系列的多路復用地址/數(shù)據(jù)鎖存要求和鎖存參數(shù)。討論了EPROM和SRAM參數(shù),以確保微控制器和外部器件之間的正確匹配。
2023-03-01 13:56:28716

SPI接口存儲器接口上的應用

除了SPI這種串行接口比較受存儲器設計廠商的歡迎,還有比如由samsung和toshiba設計的Toggle NAND Interface,也被稱為 Asynchronous DDR NAND
2023-04-04 15:16:19765

基于LVDS和PCI接口高速圖像傳輸系統(tǒng)設計

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于LVDS和PCI接口高速圖像傳輸系統(tǒng)設計.doc》資料免費下載
2023-11-03 14:17:202

基于LVDS和PCI接口高速圖像傳輸系統(tǒng)設計

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2023-11-03 14:18:520

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