什么是3D晶體管？3D晶體管，從技術(shù)上講，應(yīng)該是三個門晶體管。傳統(tǒng)的二維門由較薄的三維硅鰭（fin）所取代，硅鰭由硅基垂直伸出。
2012-08-08 11:12:01
3086 8050的情況下，補(bǔ)碼通常是8550。8050和8550晶體管的技術(shù)額定值通常是相同的。區(qū)別在于它們的極性。它們共同允許電流安全地流過無線電和無線電，從而為傳輸提供動力，并允許在用戶端實現(xiàn)多種功能
2023-02-16 18:22:30
其實早在2002年Intel即發(fā)現(xiàn)了這一技術(shù)，一直處于試驗演示階段，現(xiàn)在終于把它變成了現(xiàn)實，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶體管的數(shù)量將達(dá)到10億。
2020-04-07 09:01:21
3D顯示技術(shù)的原理是什么？3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
的減輕產(chǎn)品重量呢？采用新型的塑料成型技術(shù)：3D混合制造 可以到達(dá)要求，3D混合制造步驟是3D打印成型/激光LDS選擇性沉積金屬。采用這種工藝的好處是節(jié)省了制造時間和實現(xiàn)了復(fù)雜的饋源/波導(dǎo)等器件的一體化免安裝調(diào)試，且?guī)淼牧硗夂锰幨谴蠓葴p輕了產(chǎn)品重量。下面舉例說明：
2019-07-08 06:25:50
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時，當(dāng)需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關(guān)概念有點模糊，請各位大俠指點?。?！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)測量技術(shù)報告摘 要晶體管的參數(shù)是用來表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設(shè)計（下）》是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計技術(shù)的基礎(chǔ)知識和基本實驗，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
的hFE檔測量。測量時，應(yīng)先將萬用表置于ADJ檔進(jìn)行調(diào)零后，再撥至hFE檔，將被測晶體管的C、B、E三個引腳分別插入相應(yīng)的測試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個電極接出3根引線后，再分
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
組成。 BA.3B.4C.5D.63.固定偏置共射極放大電路，已知RB=300KΩ，RC=4KΩ，Vcc=12V，β=50，則ICQ為( )。 CA.2μAB.3μAC.2mAD.3mA4.三相異步電動機(jī)的轉(zhuǎn)子由轉(zhuǎn)子鐵心、轉(zhuǎn)子繞組、風(fēng)扇、換向器等組成。 ×5.單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)中有( )個PN結(jié)。 CA.
2021-09-02 06:19:31
從事電子設(shè)計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計（上）放大電路技術(shù)的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯的晶體管電路設(shè)計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-3 21:31 編輯
圖解實用電子技術(shù)叢書---晶體管電路設(shè)計與制作，黑田徹著aTeastaEdaitaTeastaEdait
2013-11-01 17:14:06
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數(shù)變化不超出規(guī)定允許值時的最大集電極耗散功率。使用晶體管時，實際功耗不允許超過PCM，通常還應(yīng)留有較大余量，因為功耗過大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加，(2)技術(shù)上的簡化，(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓，(4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動技術(shù)的進(jìn)步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
圖像中放、伴音中放、緩沖放大等）電路中使用的高頻晶體管，可以選用特征頻率范圍在30~300MHZ的高頻晶體管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011
2012-01-28 11:27:38
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
【不懂就問】圖中的晶體管驅(qū)動電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產(chǎn)生的的正脈沖通過D2，直接驅(qū)動MOSFET管Q2，達(dá)到提高導(dǎo)
2018-07-09 10:27:34
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
JY-3晶體管測試儀技術(shù)說明書
2012-08-03 00:00:14
。圖片：D. Hisamoto等人，1990年 英特爾在 2012 年宣布使用批量配置（22 納米技術(shù)）（圖 11）?！ D 11.英特爾的鰭式場效應(yīng)晶體管。圖片：英特爾公司 一些基本功能
2023-02-24 15:20:59
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個PN結(jié)二極管相對于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
近年來，3D打印技術(shù)全面開花！好像隔兩天你就會聽到3D打印引領(lǐng)發(fā)展潮流的相關(guān)報道。最近，我讀到一篇有關(guān)第一臺太空3D打印機(jī)的報道。NASA希望3D打印將在某一天隨時隨地為打印備用零件提供資源，并且在
2018-09-11 14:04:15
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
作， (3)可得到的器件耐壓范圍從100V到700V，應(yīng)有盡有． 幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計人員的共同努力，改進(jìn)
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設(shè)計與制作》是“圖解實用電子技術(shù)叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設(shè)計和制作進(jìn)行詳細(xì)敘述；然后利用可在微機(jī)
2021-01-05 22:38:36
與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術(shù)，擁有世界上最密集的晶體管和最小
2017-09-22 11:08:53
世界首款3D芯片工藝即將由無晶圓半導(dǎo)體公司BeSang授權(quán)。 BeSang制造了一個示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個縱向晶體管的記憶存儲單元。該芯片由韓國國家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
當(dāng)3D電影已成為影院觀影的首選，當(dāng)3D打印已普及到雙耳無線藍(lán)牙耳機(jī)，一種叫“3D微波”的技術(shù)也悄然而生。初次聽到“3D微波”，你可能會一臉茫然，這個3D微波是應(yīng)用在哪個場景？是不是用這種技術(shù)的微波爐1秒鐘就能把飯煮熟？O M G!我覺得很有必要給大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來說，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽能電池板產(chǎn)品的出現(xiàn)?！ ≡谠S多透明電子系統(tǒng)中，晶體管都是至關(guān)重要的部件。如今，這種器件通常是薄膜晶體管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導(dǎo)電氧化物材料制成。 不過，薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
達(dá)林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
電場控制材料的電導(dǎo)率。 鰭式場效應(yīng)晶體管是一種非平面器件，即不受單個平面的限制。它也被稱為3D，因為具有第三維度。 為避免混淆，必須了解不同的文獻(xiàn)在提及鰭式場效應(yīng)晶體管器件時使用不同的標(biāo)簽
2023-02-24 15:25:29
描述你有沒有想過如何自己想出一個觸摸開關(guān)？是的！隨著晶體管的發(fā)明，一切都成為可能。在這個項目中，我們將使用 BC547 晶體管和其他支持組件構(gòu)建一個簡單的觸摸傳感器電路。這種類型的開關(guān)可用于現(xiàn)代
2022-08-30 07:23:58
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一個單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個問題請教于各位高手。1：開關(guān)初始時刻是閉合的時候，點擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關(guān)打開，點擊仿真后，點擊開關(guān)閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
，導(dǎo)致流過晶體管的電流為零的大耗盡層。在這種情況下，晶體管被關(guān)閉?！ 〗財鄥^(qū)域特征如下所示： 圖3.截斷區(qū)域特征。圖片由Simon Munyua Mugo提供 晶體管操作類似于單刀單擲固態(tài)開關(guān)
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
本帖最后由 LOVE玲 于 2017-8-22 19:42 編輯
電路見圖中，請教各位前輩們在此電路中，如何用軟件檢測晶體管的故障？謝謝大家！
2017-08-22 19:36:41
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時，數(shù)字晶體管啟動。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故判斷為不合格。正確觀點A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 數(shù)字晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時，數(shù)字晶體管啟動。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
急需一種流動性更強(qiáng)的新材料來替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導(dǎo)體之一，普渡大學(xué)通過這種材料做出了全球首款3D環(huán)繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長度
2011-12-08 00:01:44
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場上確立了自己的地位，但在軟開關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
求51單片機(jī) STC89c526個晶體管問題按下鍵1 晶體管1閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，再按鍵1 晶體管2閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，以此類推。求大神幫助
2017-03-12 19:59:39
3D視覺技術(shù)有何作用？常見的3D視覺方案主要有哪些？
2021-11-09 07:46:56
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場的應(yīng)用場景中，提升效率極限一或兩個百分點依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢
2021-01-19 16:48:15
正在從二維走向三維世界——芯片設(shè)計、芯片封裝等環(huán)節(jié)都在向3D結(jié)構(gòu)靠攏。晶體管架構(gòu)發(fā)生了改變當(dāng)先進(jìn)工藝從28nm向22nm發(fā)展的過程中，晶體管的結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化——傳統(tǒng)的平面型晶體管技術(shù)（包括體硅技術(shù)
2020-03-19 14:04:57
的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過使用納米片設(shè)備制造出MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，取代FinFET晶體管技術(shù)。 此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備，從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。
2020-07-07 11:36:10
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
請問怎樣理解3D ICs技術(shù)之變？
2021-06-18 07:20:20
這個達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
本文通過高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:18
0 本文核心議題： 通過本文介紹，我們將對Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)有著詳細(xì)的了解。業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:277281 
英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:24949 
英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:241232 英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:244845 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:307799 CPU里的晶體管都是集成的超微晶體管，一個22納米工藝的i5可能集成上十億的晶體管。
2020-01-31 16:10:0013392
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